Пленка - твердый раствор
Cтраница 2
 |
Зависимость параметра а2а ( 7, 2 и термоэлектрической эффективности z ( 3 4 от концентрации носителей заряда в мелкоблочных пленках ( jf, 5 и объемных кристаллах ( 2, 4. [16] |
При этом в пленках п - Bi2Te3 все параметры ( аг а, х) практически такие же, как в объемных кристаллах. В пленках твердых растворов значительно уменьшается решеточная составляющая теплопроводности кр. Повышение z в пленках р - Bio Sbi Teg обусловлено, в основном согласно [262], рассеянием длинноволновых фононов на границах блоков ( зерен) и оказывается более существенным в пленках на полиимиде из-за меньшего размера зерен. [17]
Метод ОЭС все чаще применяют для изучения химического состава поверхности сложных оксидов. В [75] исследовали пленки твердых растворов PbZr03 - РЬТЮ3 и привели количественные оценки композиции по Pb, Ti, Zr, О. [19]
 |
Изменение однородности твердого раствора GaP - GaAs в зависимости от числа циклов гомогенизирующего переноса иодом из смеси соединений ( исходный материал содержал 12 % GaP и 88 % GaAs. [20] |
Розенберг и др. [103] считают, что, в отличие от эпитаксиальных пленок GaAs, твердые растворы Ga ( РжАз ж) находятся в напряженном состоянии, причем величина напряжений зависит от температуры роста и состава пленок, но не зависит от их толщины. По их мнению, напряжения в пленках твердых растворов вызваны ликвацией компонентов, однако прямые экспериментальные наблюдения, подтверждающие эту точку зрения, ими не приводятся. [21]
На поверхность трения существенно воздействуют окислительные процессы, что обусловливается коррози-онно-агрессивным действием жидкой средь. Они характеризуются образованием химически адсорбированных пленок, пленок твердых растворов химических соединений металла с кислородом. Абразив и пластифицирование поверхностного слоя под действием нагрузок и температур интенсифицируют протекание окислительного изнашивания. [22]
Твердые растворы GaAs-GaP являются весьма перспективным материалом для применения в электронной технике, в частности для изготовления люминесцентных диодов, тензодатчиков и силовых диодов. Исследование влияния ряда технологических параметров на структурные особенности пленок твердого раствора позволяет выявить пути повышения качества данного материала. [23]
Окислительное изнашивание - процесс постепенного разрушения поверхностей деталей или образцов при трении, вызываемый взаимодействием активных пластически деформированных ( текстурированных) поверхностных слоев металла с кислородом воздуха или смазки, адсорбирующимся на поверхностях. Окислительный износ проявляется в образовании химически адсорбированных пленок, пленок твердых растворов и химических соединений металла с кислородом и удалении их с поверхностей трения. [24]
 |
Зависимость параметра сс2с ( 7, 2 и термоэлектрической эффективности z ( 3 4 от концентрации носителей заряда в мелкоблочных пленках ( 1 3 и объемных кристаллах ( 2, 4. [25] |
В пленках п - В12Теа и п - Bi2Te2 4Se0 6 2 сохраняется на уровне параметров объемных кристаллов. При этом в пленках п - Bi2Te3 все параметры ( аг а, к) практически такие же, как в объемных кристаллах. В пленках твердых растворов значительно уменьшается решеточная составляющая теплопроводности хр. Величина а2а в р - Bio 5Sbi5Te3 сохраняется, а в п - Bi2Te2 4Seo 6 уменьшается примерно так же, как и к. Повышение z в пленках р - Bi0 5Sbi5Te3 обусловлено, в основном согласно [262], рассеянием длинноволновых фононов на границах блоков ( зерен) и оказывается более существенным в пленках на полиимиде из-за меньшего размера зерен. [26]
Окислительный износ возникает под воздействием сил трения и кислорода окружающей среды. В процессе окислительного износа происходит пластическая деформация поверхностных слоев сопряженных деталей и диффузия кислорода в пластически деформируемые слои. Образующиеся при этом пленки твердых растворов во время работы сопряженной пары разрушаются. [27]
Сравнение результатов хр пленок и объемных кристаллов ( см. рис. 3.7) показывает, что абсолютные величины хр пленок и объемных кристаллов Bi2Te3 практически не отличаются. Это свидетельствует о том, что длина свободного пробега фононов, ответственных за явления теплопереноса в Bi2Te3, меньше размеров зерен ( блоков) в пленках. В то же время в пленках твердых растворов Хр значительно меньше по сравнению с хр объемных кристаллов. Это в свою очередь увеличивает вклад длинноволновых фононов в теплопроводность. Для длинноволновых фононов длина свободного пробега значительно выше и соизмерима с размерами зерен в пленках. [28]
Сравнение результатов хр пленок и объемных кристаллов ( см. рис. 3.7) показывает, что абсолютные величины хр пленок и объемных кристаллов Bi2Te3 практически не отличаются. Это свидетельствует о том, что длина свободного пробега фононов, ответственных за явления теплопереноса в Bi2Te3, меньше размеров зерен ( блоков) в пленках. В то же время в пленках твердых растворов кр значительно меньше по сравнению с хр объемных кристаллов. Это в свою очередь увеличивает вклад длинноволновых фононов в теплопроводность. Для длинноволновых фононов длина свободного пробега значительно выше и соизмерима с размерами зерен в пленках. [29]
Страницы: 1 2