Пленка - соединение
Cтраница 1
Пленки соединений As2Se3, Sb2Se3, Sb2Te3, Ga2Se3, Ga2Te3 всегда аморфны независимо от скорости испарения и толщины осадка в пределах 500 - 100G А. [1]
Пленки соединений AIVBVI широко применяются в качестве приемников инфракрасного излучения. Из соединений данной группы подробно изучена эпитаксия сульфида, теллурида и селенида свинца. Все эти соединения обладают кубической решеткой. [2]
Пленки соединений II-IV групп осаждают [114] с использованием химической реакции между парами металла и гидридами элементов VI группы, при этом в процессе газотранспортной реакции пары соединений II-VI групп переносятся с помощью НС1 или НВг, а гидриды элементов VI группы взаимодействуют с металлорганическими соединениями, содержащими диэтиловые или диметиловые группы. [3]
Пленки соединений AIVBVI строго стехиометрического состава или с заданным избытком одного из компонентов получают по методу Векшинского. [4]
Наличие в пленке соединений трехвалентного хрома придает ей зеленый цвет, а шестивалентного - желтый. [5]
Наличие в пленке соединений трехвалентного хрома придает ей зеленоватый цвет, а соединения шестивалентного хрома - желтый. [6]
Поликристаллические и эпитаксиаль-нш пленки соединений AniBv, полученные конденсацией в вакууме, можно с успехом использовать для создания датчиков Холла II магнитосопротивлений [154], тонкопленочных транзисторов [135] и ряда других приборов. [7]
Входящие в состав пленки соединения трехвалентного хрома придают ей зеленый цвет, а шестивалентного - желтый. [8]
Фосфатирование - покрытие пленкой фос-форокислых соединений марганца и железа. Для закрепления пленки деталь дополнительно помещают в расплавленную смазку или поверхность покрывают лаком. [9]
 |
Платиновые диски с пленкой соединения NbaSn, полученной осаждением из газовой фазы. диски имеют 1, 4, 8 и 20 колец. [10] |
Для получения составных цилиндров использовались пленки соединения NbsSn, полученные методом осаждения из газовой фазы. [11]
Этот метод применяется для конденсации пленок соединений. Испаряемый материал в виде порошка тонкого помола непрерывно подают в нагреватель, температура которого достаточна для испарения наименее летучего компонента. Это позволяет избежать существенного различия между составами конденсируемого и испаряемого вещества. [12]
Скорость роста и степень совершенства энитаксиальных пленок соединений весьма чувствительны к концентрации хлористого водорода. Таким образом, для получения хороших пленок с достаточными скоростями роста необходимы оптимальные условия. Hci 1 - 2 см. / мин и vR2 100 см3 / лшн скорость роста равна приблизительно 40 мк / час. [13]
 |
Изменение удельной маг - ст Р ннем Давлении до 7000 кГЦм на. [14] |
По данным [93] при отжиге пленки соединения InTe в высоком вакууме при температурах 160 происходит частичная диссоциация соединения с потерей теллура и увеличение толщины пленки вследствие образования слоя новой фазы. При температурах отжига 310 и выше начинается заметное уменьшение толщины пленки, обусловленное сублимацией этой новой фазы. [15]
Страницы: 1 2 3 4