Исследованная пленка

Cтраница 3

Широко распространенная мицеллярпая теория предполагает существование мицелл как микрокристаллов в строгом смысле слова с граничной поверхностью. Приведенные выше результаты показывают, что по крайней мере для исследованных пленок концепция существования высокоупорядоченной структуры ошибочна и должна быть заменена концепцией статистических отклонений в расположении соседних целлюлозных цепей, аналогичной той, которая используется для объяснения структуры жидкостей. [31]

Крикорян [160, 240] распылял германий при напряжении от 2000 до 5000 в и давлении аргона ( 2 - 6) - 10 - 2 мм, рт. ст. Кроме чистого аргона, использовали также смеси различных газов, в том числе содержащие аргон с восстановителем или активным газом. Условия осаждения германия в этих опытах и перечень использованных подложек указаны в табл. 3.11. Толщина исследованных пленок изменялась от 1000 до 7000 А, а скорость их роста от 1400 до 5500 А / час. [32]

Рассчитанные частоты колебаний растяжения связи Si - H. [33]

С помощью этих выражений можно рассчитать величину влияния соседних атомов на частоты колебаний Si-H и Si - H2, связанных с одним, двумя или тремя атомами углерода. Результаты расчетов приведены в табл. 4.2.1. Как видно из нее, пик поглощения 2090 см 1 может быть обусловлен любой колебательной модой растяжения связи Si - H с одним или двумя присоединенными к Si атомами углерода. Учитывая, что содержание углерода в исследованных пленках было небольшим ( отношение интенсивностей пиков в ОЭС-спектрах С / Si 0 06), можно полагать, что пик 2090 см - обусловлен колебательной модой растяжения связи Si-H с одним присоединенным к кремнию атомом углерода. [34]

Рассчитанные частоты колебаний растяжения связи Si-H. [35]

С помощью этих выражений можно рассчитать величину влияния соседних атомов на частоты колебаний Si-H и Si - Н2, связанных с одним, двумя или тремя атомами углерода. Результаты расчетов приведены в табл. 4.2.1. Как видно из нее, пик поглощения 2090 см 1 может быть обусловлен любой колебательной модой растяжения связи Si-H с одним или двумя присоединенными к Si атомами углерода. Учитывая, что содержание углерода в исследованных пленках было небольшим ( отношение интенсивностей пиков в ОЭС-спектрах C / Si 0 06), можно полагать, что пик 2090 см обусловлен колебательной модой растяжения связи Si-H с одним присоединенным к кремнию атомом углерода. [36]

При заполнении от 2 - Ю 4 до 0 8 существует зависимость между каталитической активностью и содержанием углеводорода. По известным значениям поверхности пленок количественно сравнивались результаты, полученные на всех исследованных пленках. Определение скорости образования дейтерометанов в проточной системе в начальной стадии реакции показывает, что СРгО3 и CPD3 не являются первичными продуктами реакции обмена. [37]

ИК-спектры ПВС. Обозначения кривых - - - 5. [38]

На рис. 43 приведены некоторые ИК-спектры пленок ПВС. Как видно из рисунка, для пленок типа А ( кривая Л полоса поглощения 1146 см-1 проявляется слабо. В то же время при осаждении пленки на стекле ацетоном ( кривая 2) или раствором хлористого натрия ( кривые 3 и 4) возникает отчетливая полоса 1146 см-1. Для ориентировочной оценки кристалличности исследованных пленок было рассчитано отношение оптической плотности полосы 1146 смг1 к оптической плотности полосы 850 см-1. [39]

Это объясняется естественной зависимостью от поверхностной вязкости скорости вытекания раствора из пленок. Процесс стекания удобно наблюдать при вертикальном расположении пленки раствора ( в замкнутом пространстве) по образующейся в ней серии окрашенных, расположенных в определенной последовательности интерференционных полос; интерференционные полосы указывают на клиновидную форму поперечного сечения пленки, постепенно утолщающегося книзу и одновременно утоньшающегося кверху. Каждая цветная интерференционная полоса относится к спектру данного порядка, и переход от одной полосы к другой соответствует увеличению или уменьшению толщины пленки на половину длины волны, что позволяет по интерференционной картине оценить скорость стекания. Майлс, Росс и Шедловский [26], используя этот простой способ, показали, что растворы чистых поверхностноактивных веществ практически всегда образуют быстро утоньшающиеся пленки, тогда как из пленок тех же растворов, содержащих третий компонент, жидкость стекает гораздо медленнее. Интересно при этом отметить, что все исследованные пленки характеризовались или большой или малой скоростью стекания без промежуточных ее значений. Было отмечено также, что при повышении температуры раствора до характерного критического значения скорость стекания внезапно резко увеличивалась и жидкость пленки приобретала низкую поверхностную вязкость. [40]

Из этой таблицы видно, что качество пленки зависит от применения того или иного из рассмотренных выше пластификаторов. Из смесей 60: 40 и 65: 35 с бензиловым эфиром получаются высокопрочные пленки с большим относительным удлинением. В данном случае этот эфир обладает преимуществом по сравнению с алцфатическими эфирами. Но для получения морозостойких пленок более пригодны алифатические эфиры. В таблице вновь приводится вязкость эфиров, чтобы наглядно доказать правильность предположения 41 о зависимости морозостойкости пленок от вязкости пластификатора. Сопоставление морозостойкости исследованных пленок также указывает на превосходство пластификаторов, в которых спиртовой компонент имеет чисто алифатическую структуру. [41]

На рис. 4.2.8, б показаны зависимости основных свойств пленок а - Sii xCx: Н, полученных плазменным разложением [ SiH4 ( 0 5) СН4 ( 0 5) ], от концентрации легирующих примесей. Здесь также видна возможность управления типом и концентрацией носителей заряда. Темновая проводимость при добавлении в газовую смесь 1 % диборана или 0 2 % фосфина увеличивается до 10 5 и 10 - 3 См / см соответственно. Темновая проводимость нелегированных пленок при комнатной температуре из-за малости величины не поддается измерению. Минимальные значения энергии активации для пленок р - и л-типов составляют 0 4 и 0 3 эВ соответственно. Оптическая ширина запрещенной зоны в исследованных пленках зависит от легирования и уменьшается при росте концентрации обоих легирующих компонентов. [42]

Страницы: 1 2 3