Чистая пленка

Cтраница 1

Чистые пленки, получаемые только из растворов пленкообразующих веществ, особенно природного происхождения, в большинстве случаев недостаточно атмосферостойки и водопроницаемы. Поэтому в технике чаще используют пигментированные покрытия. [1]

Чистые пленки Fe, полученные испарением ( Бик), вовсе не обнаруживают различных типов адсорбции. Это явление, следовательно, связано с присутствием промоторов. [2]

Чистая пленка двуокиси олова неустойчива при тренировке током, поэтому всегда в состав пленки вводят добавки. Введение окиси сурьмы Sb2O3 ( до 50 %) позволяет повысить устойчивость при протекании тока и управлять температурным коэффициентом сопротивления в весьма широких пределах, вплоть до изменения его знака, но удельное сопротивление остается низким, не более 20 ом / квадрат. [3]

При необходимости получения очень чистых пленок широко практикуется предварительное обезгаживание источника при температуре несколько ниже рабочей. Однако очень часто такая процедура оказывается недостаточной, и при повышении температуры до рабочей наблюдается еще существенное выделение газа. Еще одним способом улучшения чистоты пленки является экранирование подложки в начале процесса испарения до тех пор, пока не улучшится вакуум. [4]

Но при этом получаются менее чистые пленки из-за испарения материала подогревателя. Для того чтобы это загрязнение пленки свести к минимуму, необходимо выбирать металл для подогревателя так, чтобы его давление пара было пренебрежимо малым при рабочих температурах испарения, чтобы не происходило никаких химических реакций между материалом подогревателя и испаряемым металлом, а также не образовывались сплавы между ними. В качестве материалов подогревателей применяются тугоплавкие металлы: W, Та, Mo. Часто проводят также отжиг испарителей в вакууме. [5]

Следует отметить, что чистая пленка двуокиси олова неустойчива при протекании тока, поэтому в нее всегда вводят добавки. Введение окиси сурьмы ( до 50 %) позволяет повысить устойчивость При протекании тока и управлять температурным коэффициентом сопротивления в весьма широких пределах, вплоть до изменения его знака: Добавление в пленку двуокиси титана повышает ее удельное сопротивление. [6]

Ход лучей ( электронов в электронном эмиссионном. [7]

Если в микроскоп поместить чистую пленку, имеющую повсюду одинаковую толщину, проходящие сквозь нее электроны испытывают совершенно равномерное рассеяние. [8]

Этот способ позволяет получать чистую пленку полимера, прочно связанную с поверхностью носителя. [9]

Термическим испарением в вакууме получают наиболее чистые пленки. Достоинствами этого способа являются простота напыления, высокая скорость осаждения пленок и возможность напыления различных металлов. Пленки из материалов сложного состава, которые имеют различные скорости испарения отдельных компонентов, получить этим способом сложно. [10]

Термическое испарение в вакууме позволяет получать наиболее чистые пленки. Степень их загрязнения контролируется давлением в камере остаточных газов. [11]

В среде инертного газа возможно получение достаточно чистых пленок тантала с электрическими характеристиками, близкими к характеристикам массивного материала. Этому способствует то, что инертный газ препятствует поглощению свеженапыленной пленкой тантала различных газов, десорбирующихся со стенок камеры и деталей, находящихся внутри нее. Процесс катодного распыления в отличие от термического испарения в вакууме идет при сравнительно низкой температуре испаряющегося материала. [12]

Ниже - 120 С поглощение аЗота чистой пленкой бария полностью обратимо относительно температуры и может рассматриваться как физическая адсорбция. [13]

В настоящем разделе обсуждаются способы, позволяющие получить более чистые пленки индивидуального вещества нутом физических методов изменения условий распада, использования физических методов дезактивации возбужденных молекул продуктов распада, использования химических методов дезактивации возбужденных частиц продуктов распада и каталитичес-ских процессов, а также рассмотрены осложнения, возникающие при подавлении вторичных реакций. [14]

В настоящей работе приводятся некоторые экспериментальные данные по синтезу чистых пленок арсенида галлия и воспроизводимости электрофизических параметров пленок от опыта к опыту. [15]

Страницы: 1 2 3 4