Чистая пленка
Cтраница 3
Одним из следствий этого погло - 5 щающего действия свежих осажденных пленок является тот факт, что по мере протекания процесса осаждения, объем технологического газа уменьшается и, следовательно, получается более чистая пленка. Удельное сопротивление пленки, таким образом, часто приближается к объемному значению, так как пленка наращивается ( предполагается постоянная скорость осаждения) до тех пор, пока не наступит такой момент, когда скорость поглощения будет точно равна скорости поступления в вакуумную камеру свежих примесей. Вследствие этого температурный коэффициент начальных слоев пленки часто будет отрицательным, тогда как для верхних слоев пленки-коэффициент положительный. [31]
С другой стороны, если испарение проводится при помощи кратковременных импульсов, то начальное низкое давление падает постепенно, указывая на то, что вольфрам в этих условиях действует как геттер и что более чистые пленки могут быть получены при небольшом изменении обычного метода. [32]
В температурном диапазоне от 170 до 77К зависимость проводимости характеризовалась спрямлением кривой в координатах log ( a) - ( 1 / Т) п, где п - уменьшалось с толщиной для чистых пленок и оставалось приблизительно постоянной около 0.5 для легированных пленок. [33]
Материалы, из которых делают подложки, делят на две группы в зависимости от того, остается ли пленка на подложке ( которая должна быть прозрачной для излучения) или пленка отделяется и снимается спектр чистой пленки. [34]
Для осаждения пленок железа чаще всего используют карбонильные и цикло-пентадиошшыше соединения железа. Наиболее легко чистые пленки железа получаются разложением пентакарбонпла железа. [35]
Травление чистых пленок хрома этим травителем успешно осуществляется при комнатной температуре. [36]
Для изготовления ампул используют шаблон, состоящий из двух металлических деталей грушевидной или другой формы, скрепляемых в верхней части винтом, позволяющим свободное вращение и закрепление обеих половин ( черт. Два кусочка чистой пленки, предварительно протертых спиртом и высушенных, помещают между деталями шаблона, зажимают и аккуратно обрезают ножницами так, чтобы края пленки выступали снаружи примерно на 1 мм. [37]
В экспериментальных значениях коэффициента С имеется существенный разброс. В работе [1165] исследовались тонкие чистые пленки Pt с толщинами от 0 1 до 10 нм, нанесенные на чистые кремниевые подложки. [39]
Из 250 мл исследуемого воздуха туман серной кислоты осаждают на пленку. Затем определяют разницу в пропускании света между чистой пленкой и пленкой с полученным пятном диаметром от 0 35 до 1 мм. [40]
 |
Промывание отверстий в узкой части трубок. Внутренний объекта на пленке, диаметр трубки 3 должен составлять 0 1мм, внешний - 0 3 мм. Внутренний диаметр трубки 1 должен быть 0 75 мм. [41] |
Еще одним преимуществом способа пульверизации является то, что в микроскопе обычно удается различать след, оставленный каплей. Это позволяет, во-первых, непосредственно сравнивать структуру чистой пленки с обработанным участком. Во-вторых, и это наиболее интересно, при условии знания угла смачивания из площади следа капли можно рассчитать ее объем и, хотя и приближенно, частичную или весовую концентрацию суспензии или золя. В случае применения растворов нелетучих солей по размерам выделившихся кристалликов можно судить также об их концентрации, о чем подробнее сказано на стр. [42]
Они действуют, как клешневые соединения путем образования комплексов с хлористыми металлами, получающимися в результате реакции разложения. Эти комплексы прозрачны, и поэтому они не вызывают помутнения чистой пленки. Стабилизаторами они являются не сами по себе, а только в сочетании с обычными металлическими стабилизаторами. [43]
Основным условием получения надежных данных в такого рода исследованиях является очень высокая чистота поверхности образцов. Наилучший метод приготовления чистой поверхности, по-видимому, состоит в напылении чистой пленки на поверхность выбранного вещества при испарении в системе с высоким вакуумом или с помощью импульсного нагрева поверхности для удаления адсорбированных газов. [44]
Ионно-плазменное распыление - метод получения резистивных, проводящих и диэлектрических пленок, при котором распыление осуществляется бомбардировкой материала мишени ионами плазмы газового разряда низкого давления, формируемого между термокатодом и независимым анодом. Отличительной чертой ионно-плазменного распыления является высокий вакуум, что обеспечивает получение более чистых пленок. Электрические цепи разряда и распыления развязаны. [45]
Страницы: 1 2 3 4