Легированная пленка

Cтраница 1

Легированные пленки менее чувствительны к действию кислорода, но даже в этом случае соответствующие магнитные свойства изме - - пяются. [1]

Зависимость концентрации хлора Cci в пленках CdS, осаждаемых методом пульверизации с последующим пиролизом, от температуры подложки Тп. [2]

Для получения легированных пленок сульфидов и селени-дов кадмия, цинка и свинца, а также их сплавов рядом исследователей [20, 28, 30, 36, 37, 39, 40] успешно применялся совместный пиролиз нескольких веществ. [3]

Удельное сопротивление легированных пленок поликремния зависит как от концентрации и вида легирующих примесей, так и от структуры пленок Основной контроль концентрации легирующей примеси в поликремниевой пленке связан с контролем ее потока ( Q) в процессе осаждения. [4]

Ом-см и неоднородно легированной пленки 7i - Si толщиной - 10 мкм методом химического осаждения из паровой фазы с использованием термически активированной реакции восстановления трихлорсилана ( необходимая легирующая примесь содержится в водороде) при температуре подложки около 1150 С и средней скорости роста - 1 мкм / мин; 4) получение контактной сетки с помощью вакуумного испарения Ti и Ag через металлическую маску; 5) создание просветляющего покрытия из SnO2 путем окисления тетраметилолова при температуре 400 С в атмосфере Аг; 6) отжиг полученной структуры в атмосфере Не, стимулирующий диффузию примесей к границам зерен. Графитовая пластина служит омическим контактом к р - области элемента, а низкоомная подложка из металлургического кремния р - типа обусловливает появление электрического поля на границе раздела p - Si - p - Si вблизи тыльной поверхности. Вследствие неоднородного легирования верхнего слоя M - Si в нем образуется тянущее электрическое поле. [5]

Кинетика охрупчивания стали Д с титановым покрытием ( испытание по методу Б после отпуска при температуре С. [6]

Высокие защитные свойства анодных легированных пленок в высокоминерализованных растворах сохраняются вплоть до напряжений в металле, соответствующих пределу текучести основного материала. [7]

Зависимость скорости роста пленки от концентрации четыреххлористого кремния в водороде ( в молярных долях. [8]

В случае необходимости получения легированной пленки в поток вводят газ РС13 для пленки электронного типа и газ ВВг3 для пленки дырочного типа. Эти легирующие примеси выбраны потому, что они обладают упругостью пара и ее зависимостью от температуры, близкими к упругости пара тетрахлорида кремния. В противном случае затрудняется расчет и контролирование концентрации примесей. Особое значение для качества получаемой пленки имеет способ обработки ее поверхности. [9]

Профили распределения легирующей примеси в слоях n - i - p a - Si. Н, полученные с помощью ионного микроанализатора. [10]

Как показано, проводимость легированных пленок Si: Н может быть повышена при проведении осаждения из газовой смеси SiH4 - Нз - легирующая примесь в тлеющем разряде высокой мощности. [11]

Профили распределения легирующей примеси в слоях n - i - p a - Si. Н, полученные с помощью ионного микроанализатора. [12]

Как показано, проводимость легированных пленок Si: Н может быть повышена при проведении осаждения из газовой смеси SiH4 - H2 - легирующая примесь в тлеющем разряде высокой мощности. [13]

В случае, если необходимо вести осаждение легированной пленки на подложке с высоким сопротивлением, используют легированный полупроводник, причем концентрация примесей в этом случае мало отличается от концентрации их в исходном полупроводнике. Возможно также и специальное введение примесей в зону образования пленки, но при этом больше сказывается влияние точности поддержания температуры, геометрия ампулы и место расположения германия. [14]

Изменение плотности гидрогенизированного аморфного. [15]

Страницы: 1 2 3