Легированная пленка
Cтраница 2
Результаты анализа спектров комбинационного рассеяния света [88] свидетельствуют о том, что легированные пленки a - Si: F: H имеют структуру, близкую к поликристаллической. Тем не менее их можно успешно использовать в качестве контактных слоев солнечных элементов. [16]
В диапазоне концентраций углерода, где легирование бором приводит к расширению запрещенной зоны, фотопроводимость легированных пленок a - Sii xCx: H на основе этилена больше фотопроводимости нелегированных пленок только на один порядок. [17]
Отжиг в течение 30 мин при Т - 850 С в воздухе также уменьшает удельное сопротивление легированных пленок поликремния за счет перевода атомов легирующей примеси в электрически активное состояние. [18]
Диэлектрические материалы применяют в микроэлектронике в качестве изоляционных покрытий и масок при диффузии и ионной имплантации, герметизирующих покрытий легированных пленок, предотвращающих выход легирующих элементов, герметизирующих слоев, защищающих поверхности приборов от внешних воздействий, для диффузии примесей из слоев легированных оксидов, а также для геттерирования примесей и дефектов. Наиболее перспективны для этих целей оксид и нитрид кремния, а также имеющие более узкое применение оксинитрид кремния и некоторые стекла. [19]
В температурном диапазоне от 170 до 77К зависимость проводимости характеризовалась спрямлением кривой в координатах log ( a) - ( 1 / Т) п, где п - уменьшалось с толщиной для чистых пленок и оставалось приблизительно постоянной около 0.5 для легированных пленок. [20]
Несмотря на то что легирование, как правило, приводит к нарушению преимущественной ориентации, при низкой концентрации примеси степень ориентации пленок CdS повышается. Легированные пленки CdS с неоднородным профилем распределения концентрации алюминия оказываются более плотными и благодаря присутствию А12Оз почти не содержат трещин и полостей, характерных для беспримесных пиролитиче-ских пленок CdS. Полученное с помощью растрового электронного микроскопа изображение поверхности раздела Cu2S - CdS солнечного элемента, изготовленного методом пульверизации с последующим пиролизом, после удаления пленки Cu2S путем химического травления в KCN приведено на рис. 4.3, в. В отличие от структуры, показанной на рис. 4.3, а, здесь видна сетка, пронизывающая поверхность узелков. Она образована теми областями между зернами, которые были заполнены сульфидом меди. [21]
Эпитаксия - процесс осаждения атомарного кремния на монокристаллической кремниевой подложке, при котором полученная пленка служит продолжением структуры основания. Обычно выполняют осаждение легированной пленки одной структуры ( например, п-типа) на легированное основание другой структуры р-типа. При различных типах электропроводности на границе пленки и основания возникает р-п переход. В эпитаксиаль-но-планарной структуре пленка достигает толщины до 25 мкм, и в ней размещаются все элементы ИС; пластина же толщиной до 200 мкм является конструктивным элементом. Полупроводниковые ИС изготовляют групповым методом, при котором на одной пластине диаметром до 60 мм одновременно создается 300 - 500 структур - набор элементов и межсоединений; параллельно обрабатывается партия в 20 - 30 пластин. Затем кристалл разрезают на части, которые монтируют в корпусах. [22]
Дан обзор оптических, электрических и оптоэлектронных свойств пленок а - Si [ хСх: Н на основе данных о химической связи, полученных методами ИК-снек-троскопии и ядерных реакций. С точки зрения физики приборов проанализировано явление прозрачности легированных пленок a - Sij - xCx: Н, используемых в p - i - n солнечных элементах на основе a - Si. [23]
Дан обзор оптических, электрических и оптоэлектронных свойств пленок а - Si [ fCx: H на основе данных о химической связи, полученных методами ИК-снек-троскопии и ядерных реакций. С точки зрения физики приборов проанализировано явление прозрачности легированных пленок a - Sii xCjf: Н, используемых в p - i - n солнечных элементах на основе a - Si. [24]
Кроме того, с их помощью легко получить и легированные пленки. [25]
 |
Влияние температуры. [26] |
На рис. 3.36 показано изменение твердости после отжига одно - и многослойных пленок. Видно, что начиная с температуры 1000 С для легированных пленок ( Ti, Zr) N с увеличением температуры отжига характерен рост твердости, обусловленный распадом твердого раствора и выделением ультрадисперсных продуктов спинодального распада. [27]
Осаждение пленок двуокиси кремния, содержащих определенные количества таких окислов, как В203, Р205, As203, Sb203 и некоторые другие, используется для контролируемого введения микропримесей в полупроводниковые материалы при создании электронно-дырочных переходов. Этот вопрос рассматривается подробно в разделе 10.4. Здесь же мы лишь отметим, что, варьируя условия осаждения и исходные соединения, можно получать легированные пленки двуокиси кремния строго заданного состава. Кроме алкилышх соединений этих элементов, свойства которых приведены в главе 7, для этих целей используются также их алкоксипроизводные. Соединения этого класса, как правило, являются жидкими и обладают достаточно высокой летучестью. [28]
Предполагается усовершенствовать метод осаждения аморфных материалов в тлеющем разряде с учетом особенностей процессов, происходящих в плазме, и поверхностных химических реакций. Необходимо идентифицировать наиболее важные параметры газовой фазы и процесса конденсации и разработать способы управления ими для получения пленок высокого качества. Более глубоко следует изучить влияние на свойства аморфных материалов нежелательных примесей и веществ, применяемых для компенсации ненасыщенных связей и легирования. Создание высококачественных легированных пленок сплава a - Si: Н с фтором требует изменения состава атмосферы разряда и условий осаждения, а также использования других легирующих примесей. [29]
Страницы: 1 2 3