Алмазная пленка

Cтраница 1

Алмазные пленки с преимущественной ориентацией микрокристаллитов, которые называют ориентированными или текстурированными, были получены на монокристаллических подложках из кремния, никеля, кобальта, SiC, кубического BN, иридия и платины ( см. [59]), однако гетероэпитаксиальные монокристаллические алмазные пленки с диаметром более 1 мм не были получены вплоть до последнего времени. Монокристаллические Ir и Pd являются одними из наиболее перспективных материалов, которые рассматриваются как подложки для гетероэпитаксиального роста монокристаллических алмазных пленок. Кроме того, оба вещества не образуют карбидов и достаточно слабо растворяют углерод. Получены гетероэпитаксиальные пленки размером до 5 мм. [1]

Эпитаксиальные алмазные пленки, очевидно, могут быть получены лишь в условиях, когда скорость роста алмаза много больше скорости роста графита. Это также возможно, если подобрать некоторый гипотетический травитель, который не действовал бы на алмаз, но газифицировал зародыши графита. Все усилия по синтезу эпи-таксиальных алмазных пленок направлены именно на подавление роста графита при сохранении значительной скорости роста алмаза. [2]

Рост алмазных пленок возможен и при более низких температурах, но при очень малой концентрации метана в смеси с водородом. [3]

Первые попытки получения алмазных пленок были связаны с наращиванием крупных монокристаллов алмаза ( с линейным размером 3 - 4 мм) в тех же условиях, что и алмазных порошков. Небезынтересно отметить, что при этом на алмазных монокристаллах получены линейные скорости роста, значительно превышающие линейные скорости роста частиц алмазных порошков. [4]

С помощью импульсного способа кристаллизации наращены эпи-таксиальные алмазные пленки, получены нитевидные и изометрич-ные кристаллы алмаза. [5]

По-видимому, наиболее экономичным является создание алмазных пленок методами газофазного осаждения с одновременным легированием их бором. При осаждении таких пленок возникает ряд проблем. Одна из них связана с тем, что алмазная пленка - поликристаллическая, что приводит к неоднородности растущей поверхности, дополнительному рассеянию света гранями, гетерированию дефектов поверхностью микрокристаллов. Последнее, в свою очередь, может привести к изменению механизма электрической проводимости. [6]

Впервые предложен и реализован способ получения алмазных пленок методом лазерного испарения УДА. Исследованы режимы испарения УДА в случае рубинового ( Х694 нм) и неодимового ( Х1060 нм) лазеров. [7]

Зато появилась надежда получать224 из фуллерена апмазы и алмазные пленки. [8]

С использованием УДА пленки как зародышевого слоя получены алмазные пленки улучшенного качества методом химического плазменного осаждения: тонкие, однородные. Получены качественные алмазные пленки с хорошей адгезией на образцах карбида вольфрама, пригодные для практического использования в качестве режущих инструментов. [9]

Среди современных материалов па алмазной основе особое место занимают алмазные пленки. [10]

Методы химического парового осаждения ( CVD) позволяют получать алмазные пленки. [11]

Разработанные к настоящему времени технологии получения высокочистых монокристаллов алмаза с заданными свойствами и алмазных пленок открывают новые перспективы их использования при изготовлении оптических окон для мощных лазеров и оптических приборов, теплоотводов, элементной базы для создания мощных транзисторов и различного рода датчиков, в частности, датчиков радиационного излучения. [12]

Зависимость пороговой напряженности электрического поля от напряжения смещения подложки для пленки, выращенной в плазме. Состав газовой смеси. 10 % СН, 1 % N2, 89 % Н2. [13]

Уменьшение величины порогового автоэмиссионного поля связано с резким уменьшением концентрации х / - связей и слабым увеличением концентрации яр2 - связей в алмазной пленке. Следует заметить, что хотя определенное количество зр2 - связей требуется для проявления автоэмиссии из алмазной пленки, но этого совершенно недостаточно для появления автоэмиссии при низких пороговых полях. [14]

Физические свойства алмаза и кремния. [15]

Страницы: 1 2 3