Аморфная пленка

Cтраница 1

Аморфная пленка образуется при ком - ( юо) - поверхность при комнатной натной температуре, но при температу - температуре. Первый признак осаждения появляется тогда, когда средняя толщина пленки составляет около 4 А. Па дифракционных картинах появляются длинные полосы с внешней стороны полос, обусловливаемых подложкой. По мере увеличения толщины пленки интенсивность этих полос увеличивается и полосы, связанные с подложкой, уменьшаются, как показано на рис. 20, бив. Анализ картины показывает, что пленка толщиной 20 А состоит из индия. Тетрагональный индий растет на подложке эпитаксиально даже при комнатной температуре. Кубический InSb растет на подложке NaCl с параллельной ориентацией. Анализ результатов по дифракции показывает, что InSb имеет гексагональную структуру, эпитакскальные соотношения между ним и подложкой NaCl представлены ( 0001) InSb ( 001) NaCl и ( ЮТО In Sb Щ0 NaCl. Гексагональная фаза наблюдается только на первоначальной стадии роста пленки. Образование этой фазы может быть вызвано наличием на поверхности свободного индия. Более подробно этот вопрос будет изложен в разд. При эпитаксиальном росте не происходит никаких превращений до тех пор, пока толщина пленки не достигнет нескольких тысяч ангстрем. На рис. 20, ж и з обнаруживаются дополнительные двойные точки, не присутствующие на линиях, соединяющих основные отражения. [1]

Схема клуппа. [2]

Аморфная пленка поступает на медленно вращающуюся группу валиков со скоростью, равной линейной скорости приемного барабана. Ориентированная пленка выходит из установки со скоростью, определяемой коэффициентом вытяжки. Валики установки должны быть строго параллельны между собой во избежание неравномерности вытяжки и проскальзывания основы между ними. За установкой продольной ориентации предусмотрено намоточное устройство, которое используется при наладке режима в период пуска. [3]

Аморфная пленка из ПЭТФ может быть получена как в виде плоской ленты, так и в виде рукава. [4]

Фоточувствитсльность и накопление заряда в зависимости от отношения дигидридных и моногидридных связей в пленках a - Si. Н с 0 01 % ( по массе кислорода 431.| Занисимость фоточувствительности и накопления заряда от концентрации кислорода в a - Si. II-пленках, легированных бором при В2Н6. SiH4 Ю 4 44J. / положительный заряд. 2 - отрицательный заряд. [5]

Аморфные пленки кремния, изготовленные разложением в ТР, содержат сравнительно большое количество водорода, условия связи которого сильно влияют на электрические и оптические свойства пленки. На рис. 7.4.4 сравниваются типичные спектры ИК-поглощения на двух типах пленок. Обычно дигидридная связь приводит k получению высокоомной пленки и по этой причине такие пленки не используются в солнечных элементах. Однако это явление широко используется в фотоприемниках. [6]

Получение аморфных сплавов методами металлизации. [7]

Аморфные пленки типа Ni - Р получают осаждением из водных растворов хлоридов металлов. Для этой цели используют ванны, представляющие собой смесь гипофосфитов и гидрида бора. Подбирая соответствующим образом состав ванны, получают аморфные сплавы Со - Р, Ni-В и Ni-Fe - В. [8]

Толстые аморфные пленки диоксида кремния, образующиеся при термическом окислении кремния, за исключением приграничных областей с полупроводником ( и металлом в МДП-структурах), в основном стехио-метричны по составу. Они играют важную роль в миграции примесных атомов от металла к полупроводнику в МДП-структурах. [9]

Влияние скорости вытяжки на прочностные свойства полиэтиле нтерефта-латных пленок при скорости вытяжки. [10]

Затем охлажденную аморфную пленку или вытягивают и она поступает на последующие операции, или сматывают в рулоны. [11]

Сформованная аморфная пленка поступает на установку для продольного растяжения. Установка состоит из ряда роликов ( или системы роликов), вращающихся с разной окружной скоростью и обеспечивающих продольное растяжение пленки до заданной величины. При этом температура должна быть несколько выше температуры стеклования пленки - примерно 80 - 100 С. Иногда в зоне растяжения устанавливают дополнительный подогреватель. [12]

Неориентированная аморфная пленка толщиной от 20 до 200 мк используется в электротехнической промышленности 2 3 для изоляции проводов катушек и низов электродвигателей мощностью не менее 736 вт. Поликарбонатная пленка, полученная вакуум-формованием, служит для изоляции магнитных сердечников сложной конфигурации. [13]

Доменная структура в тонкой пластинке ортофер. [14]

Свойства аморфных пленок практически не зависят от материала подложки. [15]

Страницы: 1 2 3 4