Аморфная пленка
Cтраница 4
 |
Схема радиоактивного толщиномера. [46] |
Процесс ориентации идет за счет нагрева аморфной пленки и разности линейных скоростей групп валиков. Группа медленно вращающихся валиков служит для нагрева пленки до температуры, близкой к температуре стеклования. Группа быстро вращающихся валиков одновременно служит для ориентации и охлаждения ориентированной пленки. Ориентация происходит в узком зазоре между ориентирующим и первым охлаждающим валиком. Теплоносителем для обеих групп валиков служит вода. [47]
На диаграмме напряжение - деформация для аморфной пленки ( рис. 23) при нагрузках до 5 кГ / мм2 наблюдается линейная зависимость до начала вытяжки, соответствующей постоянному значению напряжения. При большей ориентации наблюдается повышение прочности. [48]
 |
Установка для получения пленок поливом из раствора. [49] |
Обычно этот метод приводит к образованию аморфной пленки. В процессе сушки возникают напряжения вследствие все увеличивающейся когезии в пленке при удалении растворителя, а также в связи с адгезией пленки к ленте, обусловливающей плоскостную ориентацию макромолекул. В условиях мягкой сушки и в присутствии хорошего растворителя, сохраняющего растворяющую способность при большой концентрации полимера, возникшие напряжения успевают релаксировать и образующаяся пленка приобретает аморфную, изотропную структуру. [50]
Здесь же приведены сведения о кристаллизации аморфных пленок и их вольт-амперных характеристиках. [51]
На рис. 4.5.3 приведен спектр электропоглощения аморфной пленки пен-тацена толщиной 3000 А. Аморфность пленки обеспечивает случайную ориентацию молекул. Однако структура Д / с выше 1 83 эВ в области 2 12 и 2 27 эВ меняется пропорционально d2k / 9E2, указывая на выраженный СТ-характер переходов при этой энергии. Это кажущееся уменьшение величины переносимого заряда с ростом энергии представляется ошибкой метода расчета, поскольку переход при 2 35 эВ рассматривается как перенос небольших количеств заряда на большие расстояния; такой подход игнорирует вклад от переноса больших количеств заряда на малые расстояния. [52]
В данной работе проводится Электронографическое исследование аморфных пленок германидов хрома, полученных вакуумным распылением. Методом Фурье-анализа рассчитываются экспериментальные функции радиального распределения атомов. Для каждой пленки путем сравнения рассчитанных и экспериментальных кратчайших межатомных расстояний и первых координационных максимумов выбираются гипотетические структурные модели. [53]
 |
Методы измерения толщины пленок. [54] |
Структурными дефектами являются кристаллические дефекты в аморфных пленках - кристаллы самого материала пленки или же инородных включений. Химическими дефектами следует считать инородные включения: загрязнения, попадающие из среды, в которой образуется пленка ( пузырьки газа, анионы электролита, вещество испаряющихся электродов и т.п.), а также локальные нарушения состава пленки, например появление в оксидных пленках низших оксидов основного материала или оксидов примесей. Возможно появление дефектов типа микротрещин, пор и флуктуации толщины. [55]
Стирание записанной информации осуществляется следующим путем: аморфная пленка нагревается до температуры размягчения, но не до такой высокой температуры, как при записи; размягченная аморфная пленка течет обратно в пустоты пузырьков и записанная информация стирается. [56]
ТУЗ - температура, ниже которой формируется аморфная пленка. [57]
Структура оксидных пленок зависит от среды: аморфные пленки получают во влажном кислороде, кристаллические - в сухом кислороде. [58]
Страницы: 1 2 3 4