Сверхтонкая пленка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Поддайся соблазну. А то он может не повториться. Законы Мерфи (еще...)

Сверхтонкая пленка

Cтраница 2


16 Температурная зависимость тока, проходящего через диод со структурой Аи - Si3N4 - Si при напряженности электрического поля 5 3 - 106 В / см. /. - ток, обусловленный эмиссией Пула-Френкеля, / 2 - туннельный ток, / з - омический ток. [16]

Тип преобладающего механизма проводимости зависит от напряженности поля и температуры. В сверхтонких пленках ( толщиной 3 нм), как правило, наиболее важную роль играет процесс туннелирования носителей.  [17]

Дифференциальное уравнение (2.20) представляет главным образом академический интерес при исследовании процессов фононнои теплопроводности в чистых кристаллах при сверхнизких температурах, а также процессов взрывного характера. Расширяющееся применение сверхтонких пленок и стремительное улучшение быстродействия современных ИК-камер ( разработаны тепловизоры с частотой кадров до нескольких кГц) могут перевести интерес к сверхбыстрым тепловым процессам в практическую плоскость.  [18]

Объясняется это явление скачкообразным возникновением сверхтонких пленок толщиной 5 - 10 нм, называемых черными за их абсолютную светопроницаемость. Такие пленки очень прочны и более не утоньшаются. Для каждого детергента образование черных пленок обусловлено определенной, характерной только для него, концентрацией, являющейся его физико-химическим свойством.  [19]

Особенностью пробоя сверхтонких пленок является резкое возрастание времени задержки ( t; 10 - 4 - 10 - 5 с) по сравнению со значением tf при пробое более толстых образцов. Резкое возрастание времени задержки при переходе к сверхтонким пленкам может свидетельствовать об изменении механизма пробоя, как это предполагалось в случае тонких слоев кристаллов галогенидов щелочных металлов [ 13, с. Можно предположить также, что в подобных образцах пробой обусловлен про-плавлением проводящего канала в пленке эмиссионным током, идущим с шероховатостей катода.  [20]

Особенностью пробоя сверхтонких пленок является резкое возрастание времени задержки ( / - 10 - 4 - 1Q - 5 с) по сравнению со значением tf при пробое более толстых образцов. Резкое возрастание времени задержки при переходе к сверхтонким пленкам может свидетельствовать об изменении механизма пробоя, как это предполагалось в случае тонких слоев кристаллов галогенидов щелочных металлов [ 13, с. Можно предположить также, что в подобных образцах пробой обусловлен про-плавлением проводящего канала в пленке эмиссионным током, идущим с шероховатостей катода.  [21]

К настоящему времени возможности применения периодических структур в магнетиках в основном касаются трех аспектов. Во-первых, использование доменов различного вида в тонких и сверхтонких пленках; во-вторых, использование многослойных структур, сочетающих ферро - и антиферромагнитные слои или магнитные и диэлектрические слои; в-третьих, использование магнитных материалов со слоистыми структурами. При этом такие структуры могут состоять не только из кристаллических слоев, но и из ионов с различными видами упорядочения - спинового или зарядового. Наиболее перспективными материалами с различными видами упорядочения считаются перовскитоподоб-ные оксиды металлов переходной группы, например, манганиты.  [22]

Практически это предел плотности для объемного мои тажа. Радиоаппаратура, разработанная на основе элементов, собранных в так называемые этажерочные микромодули с применением сверхтонких пленок, позволяет размещать 100 - 200 элементов в 1 см3, а в так называемых твердых схемах - более 1000 элементов.  [23]

Исследования последних лет показали возможность улучшения классических пироэлектрических материалов путем муль-тилегирования ТГС, ионного травления танталата лития, специальной технологии получения сверхтонких пленок пирополимеров и полярных полициклических текстур, а также выявили новые высокоэффективные материалы-тетраборат лития и прустит для работы три температурах ниже - 150 С, борацитные композиты и модифицированную пирокерамику на основе титаната свинца для работы при повышенных температурах. В результате этих исследований созданы датчики для новых методов измеерний - высокочувствительных пироэлектрической анемометрии и фотопироэлектрической спектроскопии твердых тел.  [24]

25 Допустимые значения [ Ра ] 25 для материалов. [25]

В процессе испытаний на поверхности контртела образуются тонкие пленки полимерного материала толщиной 0 5 - 2 мкм. Объясняется это тем, что образуемые на контртеле в первом случае сверхтонкие пленки легко удаляются с поверхностей трения. При значительной шероховатости контртела ( Ra 0 254 мкм) проявляется режущий эффект.  [26]

При толщине защитного слоя 20 - 30 мкм продукты, обладающие эффектом последействия, проявляют хорошие защитные свойства в коррозионных камерах Г-4 и солевого тумана. Относительные поляризационное ( ОПС) и омическое ( СОС) сопротивления сверхтонких пленок ингибированных материалов также достаточно высоки. Смазка ПВК при малой толщине не проявляет защитных свойств; ОПС и ООС в этом случае небольшие. Из данных табл. 51 видно, что с увеличением толщины пленки продукта НГ-216 эффект последействия практически не изменяется. Однако с увеличением толщины пленки повышается защитная эффективность как смазки ПВК, так и покрытия НГ-216. При этом паропроницаемость покрытий уменьшается. Но даже при толщине 1000 мкм ( смазка ПВК) и 450 мкм ( покрытие НГ-216) этот показатель достаточно высок. Таким образом, водопроницаемость пленок покрытия е лимитирует скорость коррозионного процесса.  [27]

На рис. 7 показана криогенная микросхема, иллюстрирующая разновидность схем, которые можно изготавливать таким методом, и возможные уровни контроля технологического процесса. Кроме перечисленных выше случаев, маски для напыления используются при создании тонкопленочного рисунка и в некоторых других методах. Одним из них является метод осаждения полимерных пленок из паров мономерных соединений. Кроме того маски используются для нанесения сверхтонких пленок, служащих в качестве зародышеобразователя для последующего осаждения более толстых пленок. После того, как на подложку нанесен очень тонкий слой заданной конфигурации, маска удаляется и вся поверхность подложки подвергается воздействию паров другого вещества для выращивания пленки заданной толщины. Зарождение второго слоя может быть либо ограничено выбором испаряющихся веществ и условий осаждения [19, 20], либо совсем подавлено предварительной обработкой поверхности. Амес и другие [21] сообщают, что таким методом можно получать линии шириной около 0 0025 мм, при условии контроля наращивания краев пленки, предварительно напыленной через маску.  [28]

Свойства простого вещества, Никаких соединений гелий не образует, а в виде простого вещества по своим физическим свойствам ближе всего к водороду. Гелий труднее всех переходит в жидкое состояние и легче всего переходит в газ. Теплота его парообразования чрезвычайно мала и составляет всего 0 092 кДж / моль. Первая разновидность существует при температуре выше 2 172 К, а вторая - ниже этой температурной точки. Превращение одной модификации в другую сопровождается удивительными аномалиями в теплоемкости и других свойствах. Так, теплопроводность у гелия - П вдруг резко возрастает и становится в 3 - Ю6 больше, чем у гелня-I. Гелий способен образовывать сверхтонкие пленки, скользящие как бы без трения.  [29]



Страницы:      1    2