Танталовая пленка

Cтраница 2

Как и в случае азота, первоначальное изменение электрических свойств танталовых пленок объясняется растворением кислорода между узлами кристаллической решетки. Резкое возрастание удельного сопротивления и падение температурного коэффициента сопротивления при высоких давлениях кислорода происходят вследствие образования изоляционных слоев пятиокиси тантала, которые обволакивают отдельные частицы тантала. [16]

Слабая завшшлюсть удельного сопротивлеим от толгщины пленки, когда подавляется поглощающая способноегь. [17]

Майссел и Шейбл [62] доказали, что удельное оэттрвтттодение и температурный коэффициент танталовых пленок не зависят от их толщины ( по меньшей мере до 500 А) при условии, что пленки достаточно чистые. Применяя метод катодного распыленна с приложением напряжется еме-щения, при котором устраняется заметная поглощающая способность пленки ( см. гл. [18]

Влияние различной концентрации азота при напылении на удельное сопротивление и ТКС танталовых пленок. [19]

Кислород оказывает сильное влияние и на удельное сопротивление, и на ТКС танталовых пленок, причем изменение удельного сопротивления с изменением концентрации кислорода происходит настолько быстро, что даже затрудняет контроль. Установлено, что для придания пленкам хороших свойств эффективным элементом, который необходимо ввести в тантал при напылении, является азот. [20]

Зависимости. - нок вольфрама от удельного сопротивления. - - - - - - - - удельного сопротивления от толщины пленки. [21]

Пленки с малой плотностью получаются при особых режимах распыления и отличаются от других танталовых пленок большим количеством пор, которые уменьшают фактическое сечение проводящего слоя. [22]

Конструкция трехслойной /. С-структуры. [23]

Разработаны также RC - цепочки с распределенными параметрами и регулируемыми сопротивлениями на основе танталовых пленок. В этих цепях верхний электрод одновременно является и сопротивлением, номинальное значение которого достигается за счет подгоночного процесса анодного окисления. [24]

Форма тантало-вого тонкопленочного резистора при малом отношении длины к ширине. [25]

В основе метода лежит свойство окиси тантала не подвергаться воздействию травителей, применяемых для обработки танталовых пленок. При использовании этого метода на подложку распыляется слой тантала несколько большей, чем обычно толщины. На тантал наносится слой алюминия. [26]

Зависимость скорости осаждения от входной мощности, полученная для различных окислов. [27]

Обычно при распылении Та температура подложек составляет 200 - 400 С и слабо влияет на свойства танталовых пленок. Более высокая температура может влиять на структуру, но она не характерна для тонкопленочной технологии. [28]

Существенным преимуществом устройства является простота их изготовления: резистивные элементы и диэлектрик конденсатора создаются на одной танталовой пленке. Схемы имеют небольшие габариты. Так, фильтр на 1 кГц с двумя транзисторами размещается на подложке размером 35 Х27 мм; фильтр на 10 кГц с двумя транзисторами - на подложке размером 20 X 10 мм. Толщина фильтров, включая транзисторы, равна 8 мм. [29]

Однако частотный предел этих элементов ограничивается диапазоном 0 1 - 1 0 МГц вследствие большого удельного поверхностного сопротивления танталовых пленок. [30]

Страницы: 1 2 3 4