Cтраница 1
Барьерные пленки получают в р-рах электролитов типа Н3ВО3, не растворяющих оксиды, обычно в два этапа. [1]
Если на поверхности электрода имеется барьерная пленка, то при наложении на него постепенно увеличивающегося напряжения вплоть до определенной величины в системе будет наблюдаться лишь незначительный ток утечки, обусловленный наличием дефектных участков с электронным переносом тока. [2]
Торможение анодного процесса хемосорбционной или барьерной пленкой заключается не в кроющем ( изолирующем) действии ее, как это ранее предполагалось, она имеет более сложный электрохимический, а часто, кроме этого, и ( полупроводниковый характер. Следует различать два типа анодных процессов на пассивной поверхности металла. [3]
Принимая во внимание тот факт, что тонкие барьерные пленки, возникающие на алюминии при анодировании и коррозии в высокотемпературной воде, имеют почти аналогичную структуру и электрические свойства [3], упомянутый выше метод был положен нами в основу при исследовании барьерных свойств пленок применительно к процессам коррозии в высокотемпературной воде. [4]
Другими словами, начинается процесс дальнейшего роста барьерной пленки. [5]
Более вероятной причиной отмеченного эффекта является процесс возобновления барьерной пленки на поверхности металла, интенсивность которого при прочих одинаковых условиях возрастает с увеличением давления химически активных газов. [7]
Это, видимо, связано с изменением защитных свойств диффузионной барьерной пленки ржавчины. [8]
Не может быть двух мнений о том, что именно диффузионная барьерная пленка объясняет пассивность металлов, пассивных только по второму определению. Видимая пленка PbSO4 на свинце, погруженном в H2SO4, или пленка фторида железа на стали, погруженной в водный раствор HF - это примеры защитных пленок, которые изолируют металл от окружающей среды. В течение последних 125 лет идет дискуссия о механизме пассивности металлов и сплавов этого типа. [9]
Схематическое представление влияния термообработки на величину KiHp, наблюдаемую или в растворах КС1, или СиСЬ ( а - без наложения потенциала. [10] |
Во-вторых, выделение меди ( или возможно CuCl) может действовать в качестве барьерной пленки. [11]
Кабель типа HTF1. [12] |
Конструкция кабеля HTF2 аналогична конструкции кабеля HTF1, при этом в кабеле HTF2 отсутствуют барьерные пленки поверх токопроводящих жил. [13]
Кабель типа HTF1. [14] |
Конструкция кабеля HTF2 аналогична конструкции кабеля HTF1, при этом в кабеле HTF2 отсутствуют барьерные пленки поверх токопроводящих жил. [15]