Золотая пленка

Cтраница 3

Схема устройства кремниевого фотоэлемента с запирающим слоем. [31]

В частности, в селеновом фотоэлементе ( рис. 12 - 27) этого типа слой селена наносится на стальную пластинку, а на селен напыляется золотая пленка. Световой поток увеличивает концентрацию электронов в селене, и они диффундируют через запирающий слой, возникший в селене у границы золотой пленки, в покровный электрод. Последний заряжается отрицательно, а опорный электрод положительно. Число свободных электронов, диффундирующих в покровный электрод, пропорционально числу фотонов, поглощенных в полупроводнике, благодаря чему разность потенциалов фотоэлемента пропорциональна его освещенности. [32]

С учетом того, что лучшее затухание рентгеновских лучей наблюдается в золоте, а кремний практически полностью пропускает рентгеновские лучи, шаблон для рентгенолитографии изготавливается из тонкой золотой пленки, нанесенной на кремниевую подложку. [33]

Скофроник и другие [ 551, используя термоэлектронную модель, получили хорошее совпадение с экспериментальными значениями проводимости, в зависимости от квадратного корня приложенного напряжения для тонких золотых пленок при различных температурах. На основании этого было найдено среднее расстояние между островками, которое в одном примере составило 59 А. [34]

Сравнение ионизирующего действия различных видов тока ( расстояние до нейтрализатора 500 мм. измеренная длина. [35]

В качестве активного вещества для нейтрализаторов с а-излучением используют главным образом полоний ( Ро-210), который электролитическим путем наносят на латунную или никелевую подложку и покрывают тонкой золотой пленкой, предохраняющей слой полония от окисления и возгонки. Узкие прямоугольные полоски помещают затем в специальный держатель, изготовляемый обычно из латуни. Из-за короткого периода полураспада ( 138 сут) эти нейтрализаторы нуждаются в периодической замене. [36]

Конструкция пленочного болометра для коаксиальных линий передачи. [37]

В работе [45] описано устройство пленочного болометра для коаксиальных линий передачи. Золотая пленка с удельным поверхностным сопротивлением около 32 ом / см2 наносится методом вакуумного распыления на боковую поверхность стеклянного цилиндра с малыми диэлектрическими потерями. Для получения однородной пленки поверхность цилиндра очень тщательно шлифуется, а сам цилиндр в процессе напыления вращается. [38]

Электронографические исследования пленок толщиной порядка 1000 А показали, что они состоят из гексагональных кристалликов, обычно ориентированных плоскостью ( 0001) параллельно подложке, с азимутальной разориентировкой. В тех случаях, когда золотые пленки, используемые в качестве подложек, характеризуются высокой степенью упорядочения и ориентированы плоскостью ( 111) параллельно поверхности, имеет место эпитаксиальный рост, и пленки CdS продолжают расти так, чтобы ось С была перпендикулярна к поверхности, даже при наклонном падении потока испаряемых частиц. Если золотые пленки ориентированы беспорядочно, напыление в наклонном потоке приводит к образованию пленок с совершенно другой ориентацией. [39]

Зависимость сопротивления от температуры тонкой пленки, показывающая необратимое увеличение сопротивления, связанное со спеканием. [40]

Поскольку спекание происходит до некоторой степени неожиданно и связано с потерей необходимых свойств, известны результаты только ограниченного количества исследований процессов спекания. В одном из них при исследовании золотых пленок, осажденных на подложках из сульфида цинка [83], процесс спекания проходит три стадии. Вначале в пленках образуются маленькие отверстия, затем отверстия увеличиваются и в конечном итоге пленка разделяется на островки. Установленное изменение сопротивления происходит в основном на второй и третьей стадиях. Был сделан вывод, что данный процесс термически активен и связан с миграцией атомов золота. [41]

В противоположность этому пленки, осажденные на холодную слюдяную подложку, имели р 0, даже если они проходили термообработку при 300 С в течение 20 мин. Более ярко выраженное влияние на удельное сопротивление золотых пленок, осажденных на подложки из окиси ниобия, оказывает отжиг; до сих пор в подобных экспериментах показатель р сказывался равным нулю. [42]

Схема тылового ( а и фронтового ( б фотоэлементов. [43]

На границе соприкосновения полупроводника с пленкой золота образуется тонкий слой, обладающий односторонней проводимостью, так называемый вентильный или запирающий слой. Этот слой свободно пропускает электроны из полупроводника в покровную золотую пленку, но представляет большое сопротивление для электронов, стремящихся перейти обратно из золотого слоя в полупроводник. В результате на границе полупроводника с покровным золотым слоем возникает разность потенциалов и во внешней цепи, замыкающей золотой слой с полупроводником, возникает электрический ток, обнаруживаемый гальванометром, включенным последовательно во внешнюю цепь. Для удобства полупроводник обычно помещают на металлическую подкладку. [44]

На границе соприкосновения полупроводника с пленкой золота образуется тонкий слой, обладающий односторонней проводимостью, так называемой вентильный или запирающий слой. Этот слой свободно пропускает электроны из полупроводника в покровную золотую пленку, но представляет большое сопротивление для электронов, стремящихся перейти обратно из золотого слоя в полупроводник. В результате на границе полупроводника с покровным золотым слоем возникает разность потенциалов и во внешней цепи, замыкающей золотой слой с полупроводником, возникает электрический ток, обнаруживаемый гальванометром, включенным последовательно во внешнюю цепь. Для удобства полупроводник обычно помещают на металлическую подкладку. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5