Тонкая пленка - алюминий
Cтраница 3
В интервале приложенных напряжений 1 - 6 В зависимость lg / от У / г имеет вид прямых линий. Эмиссия Шоттки происходит через топкие изолирующие слои оксида алюминия. Наклон кривых Ig / - V1 3 позволяет определить их толщину. Найденные значения ( 25 - 90 А) согласуются с величинами, которые измерены на тонких пленках алюминия, на короткое время подвергнутых воздействию окружающей атмосферы. При более высоких напряжениях начинает преобладать механизм ограничения тока пространственным зарядом. [31]
 |
Схема устройства мощного. [32] |
После процесса диффузии примеси производится впла вление коллекторного электрода. Для этого кристалл с молибденовым шаблоном и соответствующим припоем помещается в угольный нагреватель. Перед оплавлением коллектора слой с электронной проводимостью может быть удален, что не сказывается на окончательных результатах. В вакуумной системе нагреватель доводится до температуры, большей температуры плавления системы алюминий - германий, и на слой германия с электронной проводимостью путем испарения наносится тонкая пленка алюминия - Вплавление этой пленки и коллекторного сплава ведется в течение нескольких минут и затем заготовка медленно охлаждается. Для получения хорошего контакта на поверхность алюминия путем испарения может быть нанесен слой серебра или другого металла, который легко смачивается припоем. [33]
Установка откачивалась обычными форвакуумным н диффузионным ( ЦВЛ-100) насосами, причем для вымораживания паров масла после каждого насоса стоит ловушка, заливаемая жидким азотом. Для быстрой откачки газов и паров из самой ячейки и зазоров между цилиндрами в нагревателе и достижения статического высокого вакуума в самом рабочем пространстве вся установка промывается несколько раз аргоном спектральной чистоты. В результате такого промывания значительно быстрее удаляются химически активные газы ( Оз, N2, СОа) и пары ( ШО, пары смазки), а ячейка и зазоры заполняются инертным газом. Кроме того, во всей установке остаточным газом будет аргон. Одним из авторов ( Д. В. Игнатовым) еще ранее было показано, что тонкие пленки алюминия ( толщиной 300 - 400 А) при нагревании их в вакууме 10 - 6 мм рт. ст. до 700 окисляются полностью. Образование окисных ( и других) пленок на поверхности нагреваемых образцов металлов может существенно исказить значение скоростей испарения. [34]
Сверхпроводимость сохраняется до весьма малых толщин ЛМИи. В пленках свинца сверхпроводимость отсутствует лишь прн А 0 7 нм, а в пленках Те н Sn АМин 1 1 н 4 нм. Критическая температура Тс в некоторых пленках повышается с уменьшением толщины h ( рнс. В сверхпроводящих пленках Sn н Т1 зависимость Tc ( h) имеет максимум, а в пленках РЬ она уменьшается с уменьшением А. Различия в поведении Те с толщиной связаны с субструктурой, макро - н микронапряжениями и их зависимостью от толщины А. Например, для тонких пленок алюминия, нанесенных на стекло и находящихся в растянутом состоянии, характерно повышение Тс, а в пленках А1, нанесенных на тефлон и подверженных действию сжимающих макронапряженнн, Тс понижается. Пленочный эффект увеличения Тс называется усилением сверхпроводимости. [36]
Вместо гептана также могут использоваться другие жидкие или твердью соединения ( например, н-доде-кан, парафин, ароматические соединения: 1 2 3 4-тетраметилбензол, нафталин. Процесс получения пленок [20] заключался в следующем: тринлкилнлюмипий растворяли в растворителе, затем раствор нагревали до температуры немного ниже температуры разложения алюминийорганического соединения и в него помещали покрываемый предмет, нагретый выше температуры разложения триалкилалюминия. При опускании изделия с температурой 335 С в 50 % - ный раствор триэтилалюмипия в парафине, нагретый до 250 С, поверхность изделия покрывается слоем алюминия толщиной 25 мкм. Авторы [ 20J считают, что этим способом можно покрывать медь, железо, алюминий, сталь, стекло, фарфор, термостойкие пластмассы тонкой пленкой алюминия, которая может служить для предотвращения коррозии металлов, для создания проводящего покрытия на стекле и керамике, как подслой при хромировании, а также как декоративное покрытие. [37]
К настоящему време-ни разработано большое количество различных типов электронно-лучевых накопителей информации, отличающихся как по принципу записи, так и по конструктивному исполнению. Рассмотрим особенности построения наиболее типичных накопителей информации, в которых используются электростатическая и термопластическая записи. Носителем информации в устройстве является окисленная полупроводниковая пластина кремния. Полупроводниковая пластина с проводимостью р-типа покрыта тонким эпитаксиальным слоем кремния с проводимостью n - типа. Лицевая сторона n - слоя окислена так, что толщина слоя окиси кремния составляет около 0 4 мкм. Слой окиси покрыт тонкой пленкой алюминия, составляющей верхний слой МОП-структуры. [38]
Электрическое сопротивление всех этих люминофоров настолько велико ( примерно 101 ом - см), что их можно считать изоляторами. Между тем электронный луч, являясь потоком электронов, образует электрический ток, направленный от экрана к катоду. Цепь этого тока замыкается за счет вторичной эмиссии с экрана, возникающей вследствие электронной бомбардировки. Электроны этой вторичной эмиссии движутся ко второму аноду трубки и таким путем цепь тока электронного луча замыкается. Этот слой электрически соединяется со вторым анодом. Если вторичная эмиссия недостаточна, чтобы отвести электроны с экрана, то на последнем накапливается отрицательный заряд, отталкивающий электронный луч и пятно на экране гаснет. Для улучшения отвода электронов с экрана в трубках с высокими ускоряющими напряжениями ( более 8 - 10 кв) на внутреннюю поверхность экрана сверх люминофора наносится тонкая пленка алюминия ( 0 5 - 3 мк), достаточно прозрачная для электронного луча. Эта пленка соединяется со вторым анодом, благодаря чему экран всегда имеет потенциал второго анода. [39]
Страницы: 1 2 3