Тонкая пленка - алюминий
Cтраница 1
 |
Микрофотографии ямок травления на кремниевой пластике после гсрмооора-богки при 550 С в течение 10 мин. ( 3 - ( 3. концентрации Вг 5 - 101 ат / см2. Ориентация поверхности пластины ( 111 ( 1000Х. [1] |
Тонкие пленки алюминия наносятся в вакууме на кремниевые пластины с интегральными схемами. Требуемая конфигурация межсоединений создается методами фотолитографии. Для обеспечения омического контакта М - П с низким сопротивлением кремниевые пластины подвергаются термообработке - обычно в течение 10 мин при 550 С. Во время термообработки алюминий частично восстанавливает естественную пленку SiO2 и образует непосредственный контакт с поверхностью полупроводника. Диффузия кремния в алюминий может продолжаться до насыщения алюминия кремнием ( около 1 5 ат. [2]
Металлизация заключается в напылении в вакууме тонкой пленки алюминия на определенные области поверхности пластины для получения необходимых соединений между различными элементами микросхемы, а также для получения обкладок конденсаторов. Для этого с помощью фотолитографии вначале производят протравливание окон в двуокиси кремния в местах, где необходимо получить контакты к элементам ИМС. Затем на всю поверхность пластины напыляется пленка алюминия толщиной порядка 1 мкм и последующей фотолитографической операцией получают желаемый рисунок соединений. [3]
Недавнее усовершенствование экранов состоит в покрытии флуоресцирующего состава тонкой пленкой алюминия. Через нее легко проходят электроны и в то же время она отражает свет. Благодаря этой пленке освещенность пятна возрастает, вследствие отражения к наблюдателю света, излучаемого флуоресцирующим экраном в глубину трубки. Кроме того, уменьшение отраженного внутренними стенками трубки света увеличивает контрастность. Наконец, алюминий предохраняет флуоресцирующий слой от ионной бомбардировки. [4]
К таким же выводам приводит и электронографическое исследование [10] тонких пленок алюминия, полученных путем конденсации пара алюминия на тонкой пленке целлулоида или на слюдяной пластинке в условиях хорошего вакуума. В случае осаждения металла на целлулоиде электронографическая съемка по методу прохождения проводилась непосредственно после достаточно длительного ( от одного дня до месяца) соприкосновения пленки с воздухом. Тонкие слои алюминия, полученные на слюде и обследованные по методу отражения, давали электронограммы исключительно от металла. Чтобы провести исследование этих слоев по методу прохождения, слюдяные пластинки вместе с пленками погружались в воду. [5]
Из расчета видно, что в результате окисления на катоде тонкая пленка алюминия частично превращается в пленку окиси, обладающей кубической структурой с постоянной решетки а 3 95 А. Таким образом, полученная структура совпадает со структурой анодной пленки, полученной Бюргерсом, Классеном и Цернике при электролитическом окислении алюминия в растворе борной кислоты и изученной ими и Фервеем рентгенографически. [6]
Недостаточную точность имеют и измерения Хасса [21], определявшего скорость окисления тонких пленок алюминия, конденсированного из пара в вакууме. [7]
Промежуточная мишень состоит из тонкой стеклянной пленки, покрытой с одной стороны люминофором и тонкой пленкой алюминия, а с другой - полупрозрачным фотокатодом. Усиленное изображение с люминофора дает начало новому электронному изображению. [8]
Методом испарения могут наноситься на пластмассы почти все наиболее распространенные металлы; этим методом можно получать тонкие пленки алюминия на поверхности изделий. [9]
 |
Кривая радиального распределения. [10] |
На рис. 75 приведена микрофотограмма и кривая почернения за вычетом фона, полученные по электронограмме от тонкой пленки алюминия, окислявшейся в кислороде при тлеющем электрическом разряде. [11]
Рисунок первого сигнального слоя получают методом фотолитографии, причем слой моноокиси кремния в дальнейшем будет использоваться в качестве первого слоя составного диэлектрика, а тонкая пленка алюминия ( на рис. 144 не показана) является маской для травления моноокиси кремния. [12]
Особый интерес представляет следующий способ [23] возбуждения рентгеноэлектронных спектров, который в принципе позволяет сканировать образцы с разрешением около 20 мкм. На тонкую пленку алюминия ( толщиной около 6 мкм) наносится тонкнй слой образца ( около 0 4г - 1 мкм) - Эта пленка облучается с об жтнои стороны сфркусийованвдйм ручном эаектро: во которые возбуждаю лмяяЭ АЖа, Поскольку интенсивность рентгеновского овйзяфйю. [13]
Часть цветной мозаики изображена на рис. 17.24. Расположение отверстий маски показано в виде белых кружков. Мозаика покрыта тонкой пленкой алюминия, электрически соединенной с маской. Это обеспечивает отсутствие электрического поля в районе маоки и экрана и прямолинейность электронных лучей. [14]
Алюминирование экрана позволяет увеличить яркость свечения люминофора у ЭЛТ с большими ускоряющими напряжениями. На экран ЭЛТ поверх люминофора наносится тонкая пленка алюминия, прозрачная для электронного луча, но непрозрачная для светового излучения люминофора. Выигрыш в яркости свечения при этом получается за счет того, что световой поток от люминофора, направленный внутрь ЭЛТ, отражается алюминиевой пленкой в сторону наблюдателя. [15]
Страницы: 1 2 3