Более тонкая пленка

Cтраница 1

Более тонкие пленки слишком непрочны. [1]

Эти более тонкие пленки не изменяют внешнего вида поверхности металла и не обнаруживаются глазом. На рис. 138 изображены кривые роста окисной пленки на меди при различных температурах. Они показывают, что толщина пленки сильно возрастает с повышением температуры. [2]

Для более тонких пленок деформация пластин целиком определяется напряжениями в решетке самого кремния. [3]

Для более тонких пленок требуется более чем один фильтр и применяется система таблиц для интерполяции, основанной на предположении, что дисперсия табулированной системы cooi HeiciuyeT характеру дисперсии, ожидаемому для смешанной системы стекло - окисел. [4]

Для более тонких пленок ( d100 А) экспериментальные значения плохо соответствуют теоретическим, так как пленки в этом случае имеют мозаичную структуру. [5]

На более тонких пленках коричневый цвет и металлический блеск становятся менее четкими. [6]

Если требуются более тонкие пленки ( тоньше 5 мк), то отделить пленку от стекла указанным выше методом практически невозможно. Тогда поступают следующим образом. [7]

Спектры оптического поглощения для пленок поли кристаллического кремния, осажденных при различных температурах подложки Т, С. [8]

На электронограммах от более тонких пленок поликристаллического кремния [26] отмечаются дифракционные пятна и гало, что указывает на совместное присутствие кристаллических и аморфных областей. С увеличением толщины пленки гало слабеют и на более толстых пленках исчезают. Кроме того, в более толстых пленках преобладает ориентация ( 100) вместо ( 111) в тонких пленках. Это обусловлено тем, что в процессе осаждения имеет место poet кристаллитов по механизму, подобному твердофазной эпитаксии, и кристаллические участки внедряются в аморфную область. Скорость роста в направлении 100 примерно в 3 и в 25 раз выше скорости роста в направлениях 110 или 111 соответственно. [9]

Спектры оптического поглощения для пленок поли кристаллического кремния, осажденных при различных температурах подложки Т С - 4. [10]

На электронограммах от более тонких пленок поликристаллического кремния [26] отмечаются дифракционные пятна и гало, что указывает на совместное присутствие кристаллических и аморфных областей. С увеличением толщины пленки гало слабеют и на более толстых пленках исчезают. Кроме того, в более толстых пленках преобладает ориентация 100 вместо 111 в тонких пленках. Это обусловлено тем, что в процессе осаждения имеет место рост кристаллитов по механизму, подобному твердофазной эпитаксии, и кристаллические участки внедряются в аморфную область. Скорость роста в направлении 100 примерно в 3 и в 25 раз выше скорости роста в направлениях 110 или 111 соответственно. [11]

Действительно, в более тонких пленках ( см рис. 12) и в случае больших парциальных давлений кислорода ( см. рис. 13, - а) скорости и степень автокатализа выше. Совпадающие участки кривых 0о2 - - т ( см. рис. 12) для пленок, различающихся по толщине, соответствуют состоянию реакционной среды, когда скорость потребления кислорода даже в самых глубоких слоях более толстой пленки еще не достигла о2Пред и. В этом режиме стационарная концентрация кислорода во всех слоях пленки практически равна его растворимости в субстрате. Точки расщепления совпадающих участков кривых соответствуют переходу реакции в нижних слоях пленки толщиной 35 мкм в диффузионный режим. Положение точек расщепления и максимумов на кривых vо2 - т зависит от строения ОЭА и условий пленкообразования. [12]

На металлах возникают нередко и более тонкие пленки. Например, если нагреть стальную пластинку до температуры порядка 250 - 300, то поверхность металла покажется нам окрашенной всеми цветами радуги. [13]

Зависимость разрушающего напряжения ( Ор от толщины пленок меди ( а. серебра ( б и никеля ( в при. [14]

Второй этап исследований [70] был посвящен более тонким пленкам, поскольку. [15]

Страницы: 1 2 3 4