Более тонкая пленка

Cтраница 3

Распределение по энергиям эмиттирован-ных электронов из слоев КС1 разных толщин. [31]

Аномальная эмиссия для пленок КС1 наблюдается, начиная с некоторой толщины; для более тонких пленок имеет место нормальная вторичная эмиссия. В очень тонких пленках диэлектрика разности потенциалов между металлической подкладкой и поверхностью невелики, и вырванные электрическим полем из подкладки электроны вызывают нейтрализацию ионов. Доказательством правильности таких представлений является экспериментально установленный факт нейтрализации поверхностных ионов и прекращения аномальной эмиссии в результате облучения поверхности рассматриваемого типа медленными электронами от внешнего источника. Нейтрализация поверхностного заряда может также происходить за счет электронов проводимости. [32]

В этих опытах распространение детонации наблюдали для всех испытываемых образцов масел и при значительно более тонких пленках. [33]

В результате травления на сернистых включениях образуется пленка контрастного серебристого цвета; остальные участки структуры покрываются более тонкой пленкой, имеющей окраску от синей до фиолетовой. Рекомендуется для углеродистых и низколегированных сталей. [34]

Так, например, если на пленке заданной толщины скорость реакции лимитируется донорной стадией, то на более тонкой пленке ( при прочих одинаковых условиях) лимитирующей может оказаться акцепторная стадия реакции. Это может проявиться в изменении порядка реакции. [35]

Эти авторы предположили, что применение в качестве носителя шариков из поперечно сшитого полистирола позволит нанести на носитель более тонкие пленки полимера. Необходимо при этом, чтобы степень сшивания полистирола была достаточно высокой и полимер не мог проходить сквозь матрицу. [36]

Кроме уже рассмотренных методов управления кристаллической структурой магнитные свойства ПМП могут быть изменены путем конденсации на основную магнитную пленку дополнительной более тонкой пленки из магнитного или немагнитного материала. [37]

Из приведенного примера видно, что целесообразно для получения высокоразрешающих отпечатков использовать металлы с большим атомным весом, применяя по возможности более тонкие пленки. [38]

Зависимость тангенса угла диэлектрических потерь полиэтилена от температуры ( при частоте 2 - Ю9 гц.| Зависимость тангенса угла диэлектрических потерь полиэтилена от степени его окисления. [39]

При заданном расстоянии до линии кристаллизации ( положение этой линии устанавливается при помощи обдувочного кольца) увеличение скорости вытяжки для получения более тонких пленок приводит к уменьшению времени охлаждения. Более резкое охлаждение расплава также повышает в этом случае прозрачность пленки в связи с уменьшением глубины кристаллизации полимера. [40]

Сделанный вывод о влиянии неровностей подтверждается тем, что при переходе к молекулярно-гладким подложкам ( слюда, оплавленный кварц) или же к более тонким пленкам ( когда h А) закон П - Ш3, как правило, хорошо выполняется. Как видно из рис. 8, закон 1 / / 13 хорошо выполняется во всем интервале толщин, вплоть до очень малых. [41]

Изменение площади фактического контакта в зависимости от нагрузки для точеных поверхностей из хлористого серебра.| Изменение коэффициента. [42]

Таким образом, фактическая площадь касания поверхности, обработанные шкуркой, во много раз меньше площади касания полированной поверхности и на гребешках наиболее шероховатой поверхности будет иметь место более тонкая пленка смазки. При этом повышается сопротивление трению вследствие появления участков металлического контакта. [43]

При одинаковых условиях коксования в данном угле образуется одно и то же общее количество жидкости независимо от того, состоит ли проба из крупных или мелких частиц, но когда жидкость выплавляется на поверхность, меньшие частички вследствие их большей суммарной поверхности будут покрыты более тонкой пленкой жидкости. Поэтому угли, которые при грубом помоле обладают большой текучестью, понизят ее или станут вовсе нетекучими в случае достаточно тонкого измельчения. [44]

В более позднем исследовании с применением первого из этих двух методов ( с сушкой образца) для анализа пленок полимера толщиной 0 2 мм выяснилось, что вода эффективно удаляется путем сушки образца в течение 4 ч при температуре 80 С и давлении 0 1 мм рт. ст. Значения удельных радиоактивностей значительно более тонких пленок ( 0 012 - 0 050 мм) оказывались меньше тех, которые предсказывали с учетом известных содержаний функциональных групп. По крайней мере частично это объясняется дополнительным обменом тритием между образцом и атмосферной влагой. [45]

Страницы: 1 2 3 4