Магнитная пленка

Cтраница 2

Применение магнитных пленок целесообразно в малогабаритных; быстродействующих запоминающих устройствах. [16]

Изготовление магнитных пленок на их основе состоит из следующих этапов: нанесения на временное основание материала подложки и полимеризации его, осаждения пленки, нанесения и полимеризации защитного слоя покрытия, удаления временного основания. [17]

Перемагничивание магнитных пленок может протекать тремя способами: перемещением границ доменов, когерентными и некогерентным вращением. Длительность этих процессов, определяющая быстродействие устройств, использующих пленки, различна. [18]

Исследование однослойных и многослойных магнитных пленок с целый использования их в логических устройствах. [19]

Области остановки границ в разных циклах перемагничивания. соответствующие равномерному распределению иеоднородностей структуры ( л. соответствующие локализованным неоднородностям ( б. [20]

Рассмотрим одноосную магнитную пленку, помещенную в однородное, синусоидально изменяющееся магнитное поле, параллельное легкой оси. Будем считать, что в каждом полуцикле возникает в фиксированные моменты времени только один скачок Баркгаузена, причем эти моменты времени совпадают с моментами смены знака поля. [21]

Можно изготовить специальные магнитные пленки, в которых состояние наименьшей энергии достигается в том случае, когда М параллельна ( но не антипараллельна) определенному легкому направлению ( но не оси) в плоскости пленки. Такая однонаправленная анизотропия, очевидно, противоположна одноосной анизотропии, в которой не выделяется ни одно из двух направлений ЛО. Однонаправленная анизотропия, обнаруженная также и в массивных образцах, зависит от обменного взаимодействия между ферромагнетиками и антиферромагнетиками, находящимися в непосредственном контакте; поэтому эта анизотропия иногда называется обменной. Допускается, что антиферромагнитная компонента имеет температуру Нееля, меньшую, чем температура Кюри ферромагнетика, и большую одноосную анизотропию. Благодаря ферромагнитно-антиферромагнитному обмену, направление ЛО антиферромагнетика фиксируется при охлаждении его ниже температуры Нееля. С этого момента, вследствие обменного взаимодействия, устанавливается однонаправленная анизотропия; она не может быть изменена при температуре ниже температуры Нееля, так как внешнее поле непосредственно на антиферромагнетик действовать не может. [22]

Петли гистерезиса. [23]

Коэффициент квадратности магнитных пленок при воздействии поля, совпадающего по направлению с осью легкого намагничивания, достигает высоких значений, что позволяет эффективно использовать эти элементы в запоминающих устройствах, работающих в режиме совпадения токовых импульсов. [24]

На основе магнитных пленок с термомагнитной записью или с цилиндрическими доменами возможно также создание динамических транспарантов, управляемых оптическими сигналами. [25]

Способы локализации магнитного поля числовой обмотки с помощью магнитного ки - пера ( о. проводящего экрана ( б и встречных витков ( в. распределение полей числовой и встречной обмоток ( г. [26]

Реальные характеристики магнитных пленок отличаются от идеальных, полученных с помощью астроиды, в частности, из-за влияния процесса перемагничивания путем смещения границ. Поэтому верхняя граница для тока записи (14.18) снижается. [27]

Структура осаждаемых магнитных пленок зависит от скорости испарения и температуры образования пленки. [28]

Физическими параметрами магнитных пленок являются: намагниченность, постоянная магнитной анизотропии, коэрцитивная сила и прямоугольность петли гистерезиса в направлении оси легкого намагничивания. [29]

В-третьих, магнитную пленку не нужно проявлять или как-либо дополнительно обрабатывать: если запись стереть, то пленку можно использовать еще раз. [30]

Страницы: 1 2 3 4