Магнитная пленка

Cтраница 3

Принципиальная схема.| Принципиальная схема. [31]

Интерес к магнитным пленкам определяется тем, что на их основе могут быть разработаны запоминающие устройства ( ЗУ) для ЭВМ, обладающие рядом преимуществ перед ЗУ на ферритовых сердечниках. На рис. 11.24 показана одна из возможных схем элемента памяти на магнитных пленках. Элемент конструируется так, чтобы поле числовой шины было параллельно оси легкого намагничивания пленки, а поле разрядной шины - параллельно оси трудного намагничивания. При записи информации импульс тока пропускается через разрядную шину, намагничивая пленку вдоль оси легкого намагничивания. При считывании импульс тока подается в числовую шину. [32]

В последнее время магнитные пленки начинают применяться не только в запоминающих устройствах, но и в логических элементах. Уже созданы логические элементы на магнитных пленках, работающие на частотах в несколько десятков мегагерц. [33]

Подложка при изготовлении магнитных пленок должна выдерживать высокие температуры отжига - 1000 С. [34]

Экспериментальные МН-пет-ли гистерезиса для NiFe-пленки. Одно деление горизонтальной шкалы соответствует 1 Э. [35]

Для исследования свойств магнитных пленок ( как когерентных, так и некорегентных) наиболее удобным инструментом является прибор для записи петель гистерезиса ( гистерезисограф), разд. На рис. 4, а представлена полученная экспериментально петля гистерезиса, измеренная в переменном поле, приложенном вдоль ЛО. [36]

Характер процесса перемагничивания одноосной ферромагнитной пленки двумя полями, направленными параллельно ( II и перпендикулярно ( - L оси легкого намагничивания. [37]

Теоретически скорость переключения идеальных одноосных магнитных пленок в 100 - 1000 раз превосходит скорость перемагничивания ленточных и ферритовых сердечников, происходящего в основном за счет смещения границ дрменов. На практике такие преимущества в скорости переключения нереализуемы, так как для этого требуются весьма крутые фронты перемагничивающих токов, и перемагничивание пленки из-за ее неоднородности происходит частично также путем смещения границ доменов. [38]

В практике используют двухслойную магнитную пленку и однослойную. В простейшем случае двухслойная пленка представляет собой ацетнлцеллюлозную ленту шириной 6 5 мм и толщиной 35 мкм, на которую нанесен слой лака, содержащий магнетик. [39]

В практике используют двухслойную магнитную пленку и однослойную. El простейшем случае двухслойная пленка представляет собой ацетилцеллюлозную ленту шириной 6.5 мм и толщиной 35 мкм, на которую нанесен слой лака, содержащий магнетик. [40]

При прохождении через магнитную пленку плоскополяризованного света его плоскость поляризации поворачивается на угол ( примерно 1 / 3), пропорциональный компоненте М, параллельной направлению распространения света. Если за пленкой установлена поляризационная призма, не пропускающая свет, прошедший через данный домен, то свег, прошедший через соседний домен с намагниченностью, противоположной по знаку, не будет погашен полностью. Таким образом магнитооптический метод ( применение эффекта Фара-дея или Керра) дает возможность наблюдать домены, в отличие от метода порошковых фигур, который выявляет доменные стенки. При использовании эффекта Керра поляризованный свет отражается от поверхности пленки и рассматривается через призму-анализатор. [41]

Схема расположе - В ЭТОМ СЛУЧае fb легкогО. [42]

Одноосная анизотропия в магнитной пленке достигается путем наложения постоянного магнитного поля в плоскости подложки в процессе напыления магнитной пленки, ее отжига и всех последующих операций обработки магнитной матрицы, связанных с нагревом подложки. [43]

При записи на магнитных пленках весьма значительны шумы самой среды. [44]

Этот метод позволяет получать магнитные пленки с заданными магнитными характеристиками при хорошей воспроизводимости результатов. Для изготовления магнитных пленок необходимо иметь подложку из диэлектрика. [45]

Страницы: 1 2 3 4