Тонкая эпитаксиальная пленка

Cтраница 1

Тонкие эпитаксиальные пленки чрезвычайно удобны для оптических измерений. Однородность их по толщине, как правило, далеко превосходит достижимую традиционными методами шлифовки и травления. Однородность по концентрации носителей практически та же, что и у монокристаллов. Кроме того, снимаются проблемы обработки поверхности шлифовкой и травлением. [1]

Сечение кристалла ОУ, изготовленного на эпитаксиальной структуре. [2]

Использование тонких эпитаксиальных пленок толщиной менее 10 мкм является разновидностью технологии с изоляцией р-п переходом, которая позволяет создавать транзисторы меньших размеров с частотой / т 1 ГГц, а также увеличивать степень интеграции. Из рис. 1.2 видно, что при этой технологии достигается уменьшение сопротивления тела коллектора и пассивной базы, что способствует улучшению частотных свойств транзистора. [3]

Применение тонких эпитаксиальных пленок ( толщиной менее радиуса контакта металл - полупроводник) на низкоомной подложке позволяет снизить активное сопротивление диода при данной концентрации примеси за счет уменьшения эффективной толщины базы. [4]

Рассмотрен диффузионный р-п переход в тонкой эпитаксиальной пленке. Для случая экспоненциального распределения доноров и акцепторов получены соотношения, позволяющие вычислить ширину области объемного заряда, а следовательно, и зарядную емкость р-п перехода. [5]

Бродский и Земел [76] изучали явления переноса на поверхности тонких эпитаксиальных пленок PbSe. [6]

Хотя эпитаксиальные транзисторы были изготовлены в 1960 г. [2, 3], идеи создания тонких эпитаксиальных пленок полупроводников были высказаны, по-видимому, в 1951 - 1954 гг. Крупный вклад в эту область физики тонких пленок внесли советские-ученые. [7]

Полярографические методы определения примесей в арсениде галлия. [8]

Метод позволяет определять Mg, Mn, Cr, Ni, As, Sn, Fe, Co, Cu, Ag, Zn, In, Pb и Bi в тонких эпитаксиальных пленках арсе-нида галлия с чувствительностью 10 - 4 - 10 - 6 % при использовании навески 5 мг. [9]

Спектральные характеристики энергии излучения люминофоров на основе сульфида цинка с различными активаторами.| Спектральные характеристики энергии излучения люминофоров на основе сульфидов цинка и кадмия с содержанием сульфида цинка в массовых процентах. [10]

На ориентированных подложках по - лучают тонкие эпитаксиальные пленки. [11]

Холла, описанных в предыдущем пункте, выдвигается требование, чтобы образец имел форму прямоугольного бруска, что является некоторым ограничением. Как обсуждалось в § 1.2, образцы часто выращивают в виде тонких эпитаксиальных пленок на непроводящей подложке. Этот метод особенно удобен для образца произвольной формы или в форме диска. [12]

Улучшению характеристик этих элементов способствует изотипный переход, образующийся ( без применения дополнительных технологических операций) между эпитаксиальной пленкой и подложкой. Робинсон и др. [19] сообщали о получении КПД более 10 % у солнечных элементов на основе тонких эпитаксиальных пленок Si, осаждаемых химическим методом из паровой фазы на подложки из очищенного металлургического кремния с поликристаллической структурой. [13]

Среди исследований по фундаментальному поглощению наиболее обширной является работа Скенлона [643], результаты которой по PbSe и РЬТе при 300 К показаны на фиг. Кривая для PbS, представленная там же, получена Скуларом и Диксоном [650] из измерений спектров пропускания в тонких эпитаксиальных пленках PbS, выращенных на подложках из каменной соли. [14]

Диод с балочными выводами на полугароводижовои ( а и полиимид. [15]

Страницы: 1 2