Cтраница 2
Диоды этого типа быстро совершенствуются, благодаря чему в настоящее время их можно применять во всем ММ диапазоне. В качестве механической основы диода обычно используют полупроводниковую подложку из слаболегированного полуизолирующего арсенида галлия, на котором выращивается эпитаксиальный слой n - GaAs. На поверхности последнего образуется тонкая эпитаксиальная пленка n - GaAs. Контакт Шотки создается нанесением слоев платины и золота на поверхность - n - GaAs через малое окно в защитном слое. К контакту присоединяют один из балочных выводов, оформленных в виде постепенно сужающейся полоски. Другой вывод присоединяют к омическому контакту с n - GaAs, имеющему форму подковы и охватывающему контакт Шотки. Геометрия диода и свойства эпитаксиальных слоев оптимизируются с целью достижения минимальных Rs и с0, а также паразитной емкости между выводами. В качестве конструктивной основы диодов с балочными выводами все более широкое применение получает также полиимидная пленка, обладающая очень высокой механической и электрической прочностью. [16]
РАН ( г. Санкт-Петербург) состоялось 4 - е Всероссийское Совещание Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы, на котором с успехом были представлены работы по выращиванию высококачественных пленок GaN, выполненные физиками из Уфы. Вследствие значительных технологических трудностей в получении объемных кристаллов GaN, его, как правило, выращивают в виде тонких эпитаксиальных пленок, но и в этом случае возникают проблемы, связанные с выбором подходящей подложки ( ионный радиус - 0 7 А, и параметр решетки GaN значительно меньше, чем у других полупроводниковых соединений III-V), так что прогресс в этом направлении определяется успехами в осуществлении контролируемого гетероэпи-таксиального роста. Научные подходы, развитые учеными из Уфы, основаны на применении методов сканирующей зондовой микроскопии, что позволило наилучшим образом подобрать оптимальную подложку ( SiC) и непосредственно наблюдать на атомном уровне самые начальные стадии зарождения эпитаксиальной пленки GaN и понять, как можно вырастить кристалл с минимальной концентрацией дефектов. [17]