Ферритовая пленка

Cтраница 3

Одним из способов получения ферритовых пленок является метод химических газотранспортных реакций. Подложка при этом располагается на расстоянии 0 3 - 0 4 мм над поверхностью источника, которым является тонкая пластина из феррита 2ВТ, изготовленная по обычной технологии. В течение нескольких минут реакции при 1300 С на поверхности подложки образуется ферритовая пленка. При снижении температуры до 1100 С рост пленки происходит в направлении [111], которое является осью легчайшего намагничивания. Быстродействие пленок почти не меняется при увеличении толщины пленки до 200 мкм. [31]

Последнее десятилетие в развитии ферритовой техники ознаменовано разработкой и созданием технологии монокристаллических ферритов - как объемных кристаллов, так и эпитак-сиальных пленок. Интерес к последним определяется прогрессом в развитии средств автоматики и вычислительной техники, одним из основных направлений которого является разработка устройств памяти и логики, использующих движение доменов в магнитоодноосных материалах. Другим не менее важным направлением является применение эпитаксиальных ферритовых пленок в сверхвысокочастотной технике в качестве рабочих элементов в фильтрах, в модуляторах, линиях задержки, в маг-нитострикционных преобразователях и др. Кроме того, использование ферритовых пленок в качестве подложек интегральных СВЧ-схем позволяет создавать на них одновременно активные и пассивные, взаимные и невзаимные устройства. Необходимо заметить, что прогресс в области микроминиатюризации интегральных СВЧ-схем, схем ЭВМ в значительной мере зависит от разработки, исследования и внедрения в производство рациональных методов получения эпитаксиальных пленок ферритовых материалов, оптимизации их свойств и создания эффективной и надежной системы контроля этих свойств. [32]

Поперечное сечение ЦМД-памяти ства с Цилиндрическими маг.| Движение магнитных пузырьков по тракту шевро. [33]

Наиболее широко в качестве подложки используется однокристаллический гранат гадолиния-галлия. Материал магнитной пленки выбирается в основном из соображений минимального размера доменов, которые можно образовывать в пленке, напряженности поля доменов и их подвижности. Сейчас наиболее широко используется синтетический гранат. Гексагональные ферритовые пленки обеспечивают получение гораздо меньших доменов, но эти домены менее подвижны. Очень маленькие домены получены в некоторых аморфных металлических пленках, но они нестабильны и чувствительны к температуре. [34]

Перечисленные операции обязательны, вернее, только их последовательным проведением можно получить готовые изделия из порошков. Реальные технологические схемы значительно сложнее приведенной выше, но перечисленные операции обязательно входят во все керамические технологии и составляют их сущность. Заметим, что производство ферритов как в нашей стране, так и за рубежом, в настоящее время является практически полностью керамическим. Производство объемных кристаллов ферритов и ферритовых пленок пока только начинает принимать промышленные масштабы. [35]

Из приведенных выше данных следует, что на основе использования ЦМД могут быть построены ЗУ, которые по ряду параметров выгодно отличаются от ЗУ, рассмотренных в предыдущем разделе. Такие плотности записи уже достигнуты в настоящее время. При столь высокой плотности записи для создания схем управления и считывания, характерные размеры которых составляют величину порядка размеров доменов, необходимо использовать методы электроннолучевой литографии, поскольку фотолитография в этом случае уже не может обеспечить нужных размеров элементов схем. Устройства с плотностью записи около 107 бит / см2 будут созданы, по-видимому, в ближайшие годы. ЗУ на ЦМД собираются из набора ферритовых пластин или ферритовых пленок на подложках площадью 1 - 10 см2 и занимают относительно малый физический объем. [36]

Страницы: 1 2 3