Алмазоподобная пленка
Cтраница 1
Алмазоподобные пленки наносятся, как правило, на кремниевую подложку методом газофазного осаждения ( см. гл. Ток дуги, поддерживаемый на уровне 60 А, позволяет получать скорость осаждения ал-мазоподобной пленки до 1 2 мкм / час. Осаждение производится на подложку n - типа монокристаллического Si ( 111) ( p 0 01 ом / см) при напряжении смещения - 200 В. [1]
 |
Схема источника положительных ионов углерода на основе дуоплазмотроча для напыления тонких алмазсподобных пленок. [2] |
В работе [77] предпринята попытка обобщения результатов получения алмазоподобных пленок методом CVD и оптимизации концентрации химических компонентов для получения пленок требуемого качества. [3]
 |
Зависимость пороговой напряженности электрического поля от напряжения смещения подложки для пленки, выращенной в плазме. Состав газовой смеси. 10 % СН, 1 % N2, 89 % Н2. [4] |
Было установлено, что отрицательное смещение меняет ориентацию алмазоподобной пленки. Однако механизм, по которому напряжение смещения подложки в течение роста пленки влияет на автоэмиссию, еще не известен. Тем не менее, пленки с минимальной величиной порогового электрического поля имеют примерно такую же ровную поверхность, как и пленки с большей величиной порогового поля. Это предполагает, что наблюдаемые низкие значения порогового электрического поля не связаны с увеличением локального электрического поля. [5]
Этот процесс заключается в увеличении автоэмиссионного тока после электрического пробоя в алмазоподобной пленке. [7]
В Брестском государственном техническом университете ( БрГТУ) были проведены исследования по осаждению алмазоподобных пленок на пластинки из твердых сплавов ( типа Т15К6) для режущего инструмента. Осаждение пленок проводилось при помощи плазменно-вакуумной установки, которая была разработана в БрГТУ совместно со Сморгонским заводом оптического станкостроения. [8]
Так как электронное сродство более сильно зависит от типа связи, чем от кристалличности, х / з3 - связь в алмазоподобных пленках проявляет низкую эффективную работу выхода, сравнимую с низким или отрицательным электронным сродством алмаза. Кластеры с х р2 - связью имеют более высокую работу выхода электронов, аналогичную графиту, поэтому хр3 - фракция в неактивированных образцах дает вклад в низковольтную часть автоэмиссии. При более высоких полях автоэмиссия из хр2 - кластеров доминирует в силу их более высокой электропроводности и, таким образом, возможности обеспечивать больший ток. [9]
По выпускаемой номенклатуре промышленные синтетические алмазы можно разделить на следующие группы: режущие алмазы типа SDA ( классификация Де Бирс) для производства камнеобрабатывающего инструмента; шлифпорошки типа металбонд ( АС32 - АС80); шлиф-порошки типа резинбонд ( АС2 - АС20); микро - и субмикропорошки; поликристаллы и композиты, в том числе двухслойные алмаз - твердый сплав; крупные монокристаллы алмазов ( до 10 карат); моно - и поликристаллические алмазные и алмазоподобные пленки. [10]
 |
Изображения поверхности а - С пленок, полученных в атомно-силовом микроскопе с энергиями ионов углерода. и - 20 эВ. 6 - 60 эВ. в - 120 эВ. [11] |
Известно, что чем больше содержание хр3 - фракции в а - С пленке, тем больше ширина запрещенной зоны. Поэтому алмазоподобные пленки имеют малое ( и даже отрицательное) электронное сродство. [12]
Параметры роста были такими же, как при производстве алмазоподобных пленок, за исключением того, что температура подложки была несколько увеличена. [13]
Вопросы технологии получения пленочных углеродных структур освещены в гл. Однако во многих работах было показано, что незначительные изменения в режимах осаждения приводят к существенному изменению структуры получаемых пленок, что влияет на их эмиссионные свойства. Поэтому при описании эмиссионных свойств пленочных углеродных катодов в данной главе приводятся некоторые особенности технологии их изготовления. В описании автоэмиссионных свойств нет строгого разделения по отдельным параграфам для алмазоподобных пленок, фуллеренов и нанотрубок, так как анализ во многих случаях показывает, что получаемая пленка содержит большой набор структурных составляющих. [14]
 |
Схематическая структура дисплея с матричной адресацией. [15] |
Страницы: 1 2