Cтраница 4
Столбики формируются на границе раздела пленки с подложкой, и их направление роста совпадает с направлением движения частиц пара к подложке. Между единичными столбиками образуются области с пониженной плотностью вещества, в состав которого, по-видимому, входят цепочки полисилана ( SiH2) n и моногидрид кремния, насыщающий свободные связи. В высококачественных пленках a - Si: Н, применяемых для изготовления приборов, размеры областей с пониженной плотностью вещества малы, а водород присутствует в основном в виде моногидрида кремния. Такие пленки слабо окисляются после осаждения, количество их структурных элементов размером - 100 нм незначительно, и в то же время в пленках можно обнаружить столбики диаметром - 10 нм. Влияние микроструктуры на физические свойства пленок оказывается очень существенным. Особенности же микроструктуры определяются параметрами процесса осаждения. Значения плотности вещества в пленках a - Si: Н, представленные в табл. 6.2, показывают, насколько значительны вариации свойств гидрогенизированного аморфного кремния при изменении условий осаждения. [46]
Ферриты-гранаты являются основными магнитооптическими материалами в инфракрасной области. Для видимого света они мало пригодны. Имеются данные об использовании высококачественных пленок ферритов-гранатов в видимом свете вплоть до А0 35 мкм. [47]
Хорошие результаты были получены с интрасольваном и бензиловым эфиром тиодигликолевой кислоты. Последний практически не смешивается с бензином или алифатическими спиртами. Так как при его применении образуются довольно высококачественные пленки из целлита Т, то, очевидно, он пригоден для получения специальных покрытий, устойчивых к растворителям. [48]
В работах [43, 151, 152, 157] в качестве источников были использованы галлий, переносимый хлористым водородом, а также арсин ( AsH3) или фосфин ( РН3) в газообразном виде. Весьма чистые исходные вещества позволяют получать совершенные высококачественные пленки соединений и их твердых растворов. [49]
Рассмотрена методика выращивания пленок GaAs из раствора, находящегося в тонком зазоре между подложками. Исследована зависимость шероховатости пленки от скорости-охлаждения, толщины слоя раствора и ориентации подложки. Показано, что рассмотренная методика позволяет получать высококачественные пленки GaAs контролируемой толщины и гладкости поверхности на шайбах большой площади ( - - 2 5 см2) - Пленки использовались для изготовления диодов Ганна. [50]
Свойства лаковой пленки, а также правильный выбор режима сушки лака определяются составом лака. По режиму сушки практически различают: лаки горячей ( печной) сушки, которые при низкой температуре сохли бы весьма медленно и не давали бы высококачественной пленки, и потому требуют для сушки высокой температуры ( выдержка в сушильной печи, облучение инфракрасными лучами, прогрев током обмотки пропитанной машины, и лаки холодной ( воздушной) сушки, которые достаточно быстро и хорошо сохнут на воздухе при нормальной комнатной температуре. Горячая сушка необходима для тех лаков, основа которых для получения высококачественной пленки должна претерпеть необратимые химические изменения, требующие нагрева ( запекание пленки), иными славами, для лаков, основа которых содержит термореактивные вещества, а также независимо от характера основы для всех лаков с высококипящими растворителями, слишком медленно испаряющимися при нормальной температуре. [51]
Свойства лаковой пленки, а также правильный выбор режима сушки лака определяются составом лака. По режиму сушки практически различают: лаки горячей ( печной) сушки, которые при низкой температуре сохли бы весьма медленно и не давали бы высококачественную пленку, и потому требуют для сушки высокой температуры ( выдержка в сушильной печи, облучение инфракрасными лучами, прогрев током обмотки пропитанной машины), и лаки холодной ( воздушной) сушки, которые достаточно быстро и хорошо сохнут на воздухе при нормальной комнатной температуре. Горячая сушка необходима для тех лаков, основа которых для получения высококачественной пленки должна претерпеть необратимые химические изменения, требующие нагрева ( запекание пленки), иными словами, для всех лаков, основа которых содержит тврмореактивньте вещества, а также независимо от характера основы для всех лаков с высококипящими растворителями, слишком медленно испаряющимися при нормальной температуре. Лаками холодной сушки являются лаки с легко летучими растворителями, основа которых термопластична и не требует запекания при сушке. [52]
В настоящее время известны чисто органические полимеры, обладающие весьма высокой нагревостойкостью. Из полиимидов получают лаки, позволяющие изготовлять эмальпровода с нагревостойкостью выше, чем класс Н, а также высококачественные пленки. Полиимиды представляют большой интерес для электромашиностроения и аппа-ратостроения; они позволяют получить прогрессивную, высоконагревостойкую изоляцию высокой надежности. Модифицированные полиимиды, например полиэфиримиды и полиамидимиды, имеют несколько меньшую нагревостойкость, но за то более высокие механические свойства. [53]
В материалах с низкой подвижностью носителей интенсивность этого процесса возрастает вследствие значительного взаимного притяжения фотоге-нерированных электронов и дырок под действием кулоновских сил. Потери носителей заряда, вызываемые излучательной рекомбинацией, уменьшаются также и при увеличении энергии фотонов, поскольку фотогенерированным носителям, обладающим более высокой начальной кинетической энергией, легче преодолеть кулоновское притяжение. Как показывают экспериментальные исследования, интенсивность излучательной рекомбинации в a - Si: Н зависит от концентрации дефектов, поэтому в высококачественных пленках ее влияние может оказаться незначительным. [54]
На втором этапе отжига температуру повышают до ее наибольшего значения, которое может достигать 1000 С. Стекло, входящее в состав пасты, расплавляется, и образующаяся стеклообразная масса соединяет частицы вещества пленки, а также обеспечивает ее соединение с поверхностью подложки. Возможность получения пленки с необходимыми свойствами зависит от характера химических реакций, протекающих в высокотемпературной зоне печи. Для получения высококачественных пленок требуется точный контроль температурного режима. [55]
Пленки двуокиси кремния, полученные термическим окислением кремния или осажденные методом ВЧ распыления чаще всего травятся буферными растворами фтористоводородной кислоты. Обычно травление осуществляется смесью 40 % - ного ( по весу) раствора МЩР с концентрированной ( 48 %) HF. Соотношения, как правило, изменяются в пределах от 9 до 12 объемн. Скорости травления термически выращенного окисла и - высококачественных пленок, полученных методом ВЧ распыления, одинаковы и увеличиваются по мере увеличения содержания свободной кислоты. [56]