Металлическая пленка

Cтраница 3

Гетеропереход, образованный из однотипных полупроводников.| Гетеропереход в случае образования вырожденного слоя. [31]

Металлические пленки служат обкладками конденсаторов; резисторы и токопроводящие дорожки также выполняют в виде тонких металлических пленок. [32]

Металлические пленки применяют для изготовления тонкопленочных резисторов и обкладок тонкопленочных конденсаторов, а также для создания токопроводящих дорожек и контактных площадок в интегральных микросхемах. [33]

Металлические пленки с определенной ориентацией получаются всегда в тех случаях, когда металл наносится в вакууме на гладкую поверхность идеального кристалла. Так, например, Уеда [94] и Кейнума [95] получили пленки никеля, меди и платины с ориентацией ( 111) при нанесении этих металлов на плоскость спайности молибденита ( 0001) в интервале температур от 20 до 500 С. [34]

Металлические пленки, как правило, изменяют пропускание под действием атмосферного воздуха. В дальнейшем пропускание пленки меняется очень медленно. [35]

Металлические пленки наносили на полированные поверхности сапфира, кварца и графита испарением металла с помощью электронно-лучевого нагрева в вакууме 1 10 - 5 мм рт. ст. Источником испарения служила капля расплава, возникающая на конце вертикально расположенного стержня напыляемого металла диаметра 2 - 3 мм, на который фркусировался электронный луч, скорость напыления была 1 - 10 А / сек, Температура подложки во время напыления составляла 100 - 200 С. [36]

Конструкция видикона. [37]

Металлическая пленка МП выполняет роль сигнальной пластины, подключаемой к резистору нагрузки R, с которого снимается выходное напряжение. Полупроводниковый слой ПС является элементом, чувствительным к падающему инфракрасному излучению. Пленка МП и противоположная сторона полупроводникового слоя ПС служат обкладками элементарных конденсаторов мишени. При падении на мишень излучения и за счет ее появления в материале свободных носителей зарядов эти элементарные конденсаторы разряжаются и тем сильнее, чем больше интенсивность облучения. [38]

Карбонильные металлические пленки и покрытия применяются для защиты пластмасс, керамики, стали и других материалов от воздействия всевозможных жидких и газовых сред, а также высокой температуры. [39]

Металлические пленки олова при воздействии электронною луча получены также из тетраметил -, тетраэтил - и тетрапролилолова. Авторы делают вывод, что при температурах подложки ниже 50 С, потоке электронов меньше 1C15 эл / слг-сск п количествах молекул, адсорбированных на поверхности подложки, превышающих 5 - Ю10 молск / см -, вместо пленок олова образуются полимерные пленки. [40]

Металлические пленки СВЧ интегральных схем ( Лр, Си, Аи А1) имеют толщину от нескольких ми Крометрои до 15 мкм. Укажем, однако, что СВЧ интегральные схемы с толщиной пленки примерно 5 мкм ли более требуют особого внимания. [41]

Металлические пленки СВЧ интегральных схем ( Ag, Си, Аи и А1) имеют толщину от нескольких микрометров до 15 мкм. Укажем, однако, что СВЧ интегральные схемы с толщиной пленки примерно 5 мкм или более требуют особого внимания. [42]

Металлическую пленку на паяемую поверхность пластмассы наносят обычно тремя способами: гальваническим осаждением металлов, металлизацией в вакууме или напылением. [43]

Зависимость параметров тонкопленочных конденсаторов от скорости напыления. [44]

Если металлические пленки легко образуют мелкокристаллическую структуру, то диэлектрические пленки в основном состоят из аморфной фазы. Большинство диэлектрических соединений при термическом вакуумном напылении или диссоциирует или имеет слишком высокую температуру испарения. У моноокиси кремния SiO температура испарения сравнительно невелика 1250 - 1400 С. Однако при нагревании возможно попадание на подложку мелких частиц, что приводит к дефектам на подложке. Поэтому SiO испаряется из испарителей диффузионного типа. Большое влияние на параметры пленки SiO оказывают скорость напыления и давление остаточных газов. [45]

Страницы: 1 2 3 4