Cтраница 1
Первая задержка на кривой / соответствует образованию оксидной пленки PdO. При потенциале 1 3 В начинается окисление щавелевой кислоты. Как видно из рис. 5 - 13, на ней отсутствует первая задержка. Таким образом, окисление щавелевой кислоты протекает на окисленной поверхности палладиевого электрода. [1]
Первая задержка н ( tK) начала процесса запоминания какой-либо величины ( или групп величин), вто - 3 - 8 Структур - Рая-задержка к ( к) конца про-ная схема фиксирую - Иесса запоминания, щих устройств. [2]
Первая задержка соответствует ионизации поверхностных атомов водорода, а вторая - образованию поверхностного окисла или адсорбционного слоя кислорода. Между двумя задержками имеется область с низким значением емкости ( в которой потенциал быстро изменяется во времени), которая отвечает изменению заряда и строения ионного двойного слоя. [3]
Из расчета видно, что протяженность первой задержки должна быть намного меньше протяженности второй, и ее не так легко наблюдать. [5]
![]() |
Одновибратор и узел обегания. [6] |
Замыкание выхода Pk последней задержки на такт на вход первой задержки на такт позволяет строить кольцевую схему ( рис. 57, б), работающую в соответствии с графиком. [7]
На рис. 12 приведена типичная р - т-кривая, полученная при введении окисленного палладиевого электрода-катализатора ( при разомкнутой внешней цепи) в контакт с раствором муравьиной кислоты. Первая задержка соответствует восстановлению окис-ного слоя органическим веществом. После восстановления окис-ного слоя и достижения потенциала срг 0 7 в потенциал электрода резко сдвигается в отрицательную сторону, одновременно на электроде наблюдается бурное газовыделение, которое несколько замедляется по достижении второй задержки, соответствующей а - р-переходу в системе палладий-водород. [8]
Вторая задержка, примерно, в 10 раз длиннее и находится при потенциале 0 62 в. Авторы полагают, что во время первой задержки образуется мономолекулярный беспористый пассивирующий слой, который создает полную пассивацию. Окисление металла во время второй задержки идет уже по другому механизму и приводит к дальнейшему уменьшению скорости коррозии ia и к утолщению окисного слоя. [10]
![]() |
Зависимость Г от потенциала электрода. [11] |
Следовательно, высокое значение 8 не может быть вызвано ошибкой эксперимента. Если рассчитывать суммарную степень заполнения на основании величины ГДРф, полученной из первой задержки нахронопотенциограмме, 0 получается очень близкой к единице. Единственным объяснением этого факта может быть предположение, что РФ и ДРФв области совместного их существования покрывают поверхность ртути слоем, толщина которого превосходит одну молекулу. [12]
Следовательно, высокое значение 0 не может быть вызвано ошибкой эксперимента. Если рассчитать суммарную степень заполнения на основании величины ГдРФ, полученной из первой задержки на хроно-потенциограмме, то при потенциалах предельного тока предволны 0 получается очень близкой к единице. Единственным объяснением этого факта может быть предположение, что РФ и ДРФ в области совместного их существования покрывают поверхность ртути слоем, толщина которого превосходит одну молекулу. [14]
Первая задержка на кривой / соответствует образованию оксидной пленки PdO. При потенциале 1 3 В начинается окисление щавелевой кислоты. Как видно из рис. 5 - 13, на ней отсутствует первая задержка. Таким образом, окисление щавелевой кислоты протекает на окисленной поверхности палладиевого электрода. [15]