Плоскость - кристалл
Cтраница 4
Атомы водорода, накапливаясь в микрокапиллярах между плоскостями кристаллов и образуя молекулы, создают очень большие усилия, которые как бы расклинивают кристаллические агрегаты. Это вызывает внутренние напряжения в металле и потерю упругих свойств. Скопление водорода в пустотах под поверхностным слоем металла ( стали определенного сорта) может вызвать также отделение верхнего слоя или образование так называемых травильных пузырей. Иногда эти пузыри достигают размеров 2 - 3 см в диаметре. [46]
Везде предполагалось, что сравниваемые электрохимические системы представляют собой одинаковые плоскости кристалла. [47]
Везде предполагалось, что сравниваемые электрохимические системы представляют собой одинаковые плоскости кристалла. [48]
Полосы имеют периодичность, с которой два семейства плоскостей кристалла совпадают друг с другом, а расстояния между полосами могут быть достаточно большими, чтобы быть разрешимыми, хотя индивидуальные межплоскостные расстояния и ниже предела разрешения. Точное положение полос зависит от толщины двух кристаллов и от параметров s двух отражающих плоскостей. Изменение толщины одного из кристаллов вызывает смещение полос. [49]
Курдюмова - Закса, неизменной остается ориентировка трех плоскостей кристаллов: ( 111) Л, плоскость, близкая к ( 111) А и - ( 522) А. [50]
На рис. 259 изображена обычная схема отражения луча плоскостью кристалла: ММ - первичный пучок; Р - Р - отражающая плоскость, ON - отраженный луч, Q - пленка. Для удобства сопоставления со стереографической проекцией первичный пучок представлен идущим сверху вниз, а пленка - расположенной горизонтально. [51]
 |
Полюсная фигура ( ПО холоднокатаного железа. [52] |
В отличие от текстуры прокатки текстуры волочения не фиксируют плоскости кристалла. [53]
Вместо системы пятен, соответствующих отражениям от одного ряда плоскостей кристалла, на картине оказываются несколько пересекающихся систем пятен, соответствующих нескольким кристаллам. Число таких систем возрастает по мере того, как прогрессируют деформации. Все эти системы имеют, однако, одну общую точку на картине - значит, и одну общую плоскость в кристалле. [54]
Линии 1, 2 и 3 являются пересечениями трех плоскостей кристалла с фотопленкой. [55]
Вместо системы пятен, соответствующих отражениям от одного ряда плоскостей кристалла, на картине оказываются несколько пересекающихся систем пятен, соответствующих нескольким кристаллам. Число таких систем возрастает по мере того, как прогрессируют деформации. Все эти системы имеют, однако, одну общую точку на картине - значит, и одну общую плоскость в кристалле. [56]
Если рассматривать плотность распределения атомов по разным направлениям и плоскостям кристалла, то видно, что она может быть существенно различной. Например, на боковой грани ГЦК решетки ( см. рис. 1.2) расположены 4 атома, а на диагональной плоскости - 6 атомов. Плоскости кристаллов с более плотной упаковкой имеют меньший уровень поверхностной энергии, по ним легче осуществляется деформация в кристалле. Такая неодинаковость свойств кристалла в разных кристаллографических направлениях называется анизотропией. Анизотропными могут быть физические, механические, технологические и другие свойства. Чем меньше симметрия кристалла, тем сильнее проявляется эффект анизотропии. [57]
Исследование магнитных свойств MoS2 подтверждает присутствие свободных электронов в плоскостях кристалла. [58]
Страницы: 1 2 3 4