Плоскость - кристаллическая решетка
Cтраница 1
Плоскость кристаллической решетки, по которой происходит скольжение одной части кристалла относительно другой, называют плоскость скольжения. [1]
В разных плоскостях кристаллической решетки атомы расположены с различной плотностью, и поэтому свойства кристаллов в разных направлениях различны. Такое различие называется, анизотропией ( анизотропностью) кристаллов. [2]
Каждое семейство плоскостей кристаллической решетки имеет споим оюбр ачч им ТОЧКУ в обратной рснкткс. [3]
Для обозначения плоскостей кристаллической решетки пользуются индексами Миллера h, k, I. Величина / z, k, l обратна длине отрезков, отсекаемых данной плоскостью на осях координат. Длину отрезков принимают равной длине ребра элементарной ячейки. [4]
Плоскостями скольжения являются плоскости кристаллической решетки с наибольшей атомной плотностью, поскольку вдоль этих плоскостей сопротивление скольжению наименьшее. В зависимости от формы кристаллической решетки металла ( сплава) таких плоскостей может быть одна или несколько. [5]
Брэггп и др. Концепция плоскостей кристаллической решетки предусматривает существование нескольких семейств плоскостей, различным образом ориентнровл. При выводе закона Брэгга принималось, что рентгеновские лучи дифрагируют или отражаются от этих плоскостей решетки. Такой подход обеспечивает описание дифракции рентгеновских лучей в pea ином пространстве. Согласно закону Брэгга, направления распространения первичного и отраженного тучей связаны друг с другом величиной ыежпчос костного расстояния и длиной волны рентгеновского изтучения. [6]
Было изучено изменение расстояний между плоскостями кристаллической решетки и интенсивности отражения рентгеновских лучей от этих плоскостей. Оказалось, что увеличение давления на полимер до 2 2 - 104 кгс / см2 при всех температурах опыта приводит после снятия давления к уменьшению межплоскостных расстояний менее чем на 0 02 А ч ля водородных связей и не более чем на 0 03 А для ван-дер-ваальсовых связей. В процессе последующего вылеживания образцов в течение 30 сутрк межплоскостные расстояния уменьшаются. По мнению авторов, это обусловлено релаксацией внутренних напряжений, возникших под действием давления. [7]
Как определяют индексы Миллера hkl для плоскости кристаллической решетки. [8]
 |
К возникновению равновесной формы неполярного кристалла при последовательном отделении элементов. [9] |
Варьируя величину площади, можно найти плоскости кристаллической решетки, у которых средняя работа отделения в расчете на отдельную частицу одинакова. На рис. 13.17, а элементы неполярного кубического кристалла удаляли до тех пор, пока остающиеся на поверхности частицы не оказались связанными так же прочно, как в полукристаллическом положении. Таким образом, возникают грани 100, ПО, 111 и 211 ( рис. 13.17 6), которые должны содержать равновесный многогранник. Для каждой из названных граней вероятность отделения и осаждения частиц одинаково велика. [10]
Плоскостями скольжения в металлах обычно являются плоскости кристаллической решетки, наиболее густо усеянные атомами. Таких плоскостей в решетке в зависимости от ее формы может быть одна или несколько. [11]
 |
Рассеивание рентгеновских лучей от плоскости кристаллической решетки. [12] |
Пусть узкий пучок рентгеновского излучения падает на плоскость кристаллической решетки под углом в ( рис. 105) и два луча 1 и 2 рассеиваются двумя частицами кристалла А и В. Разность хода двух лучей равна СВ BD. [13]
Метод прицельного электронографирования основан на отражении электронов от разных плоскостей кристаллической решетки исследуемого образца, что позволяет идентифицировать его состав. Электронные микроскопы типа УЭМБ-ЮО и ЭМ-7 снабжены приспособлением, позволяющим производить прицельное электронографирование с участков поверхности объекта площадью около I мк. [14]
 |
Элементарная ячейка NaCl. [15] |
Страницы: 1 2 3 4