Плоскость - кристаллическая решетка
Cтраница 2
Введем прямоугольную систему координат с осями, параллельными плоскостям кристаллической решетки, так что каждую плоскость можно охарактеризовать указанием отрезков, отсекаемых на осях координат соответствующими гранями. Но при этом используют не сами длины отрезков на осях, а обратные величины, которые выражают в наименьших целых числах. [16]
Двойники, у к-рых плоскость двойникования совпадает с плоскостью кристаллической решетки и характеризуется индексами, представляющими собой целые и малые числа, а ось осн. [17]
Пусть на элемент действует сила, приводящая к сдвигу плоскости кристаллической решетки. Величина сдвига определяется по зависимости х da / G, где о - напряжение сдвига, G - модуль сдвига. [18]
Поскольку отражение рентгеновских лучей обладает избирательностью по отношению к плоскостям кристаллической решетки, возникает вопрос об упругой анизотропии кристаллов. Исследуемый объект в среднем изотропен, отдельные же его кристаллы анизотропны, и при подсчете напряжений это обстоятельство должно учитываться, так как отраженные лучи попадают на пленку не от любых плоскостей, а только от тех, которые имеют определенную кристаллографическую ориентировку. Поэтому при подсчете напряжений следует, вообще говоря, пользоваться не средними значениями упругих констант Е и ц, а теми, которые свойственны соответствующим плоскостям кристаллов. Метод рентгеновского определения наряжений нуждается еще в значительном совершенствовании. [19]
Далее, поверхности скольжения должны быть плоскими, соответствуя плоскостям правильной кристаллической решетки. Вместо плоскостей мы обнаруживаем, однако, поверхности скольжения, изогнутые параллельно внешней изогнутой форме кристалла. Это показывает, что каменная соль претерпела какое-то внутреннее изменение. С другой стороны, как уже было сказано, мы не можем согласиться с наиболее простой картиной, вытекающей из опытов со сдвигом, а именно представить себе, что изогнутая решетка может существовать, не будучи удерживаема в этом виде внешними силами. [20]
На основе этой формулы можно экспериментально определить расстояния между плоскостями кристаллической решетки. [21]
 |
График химической стойкости АТМ-1 в серной кислоте в зависимости от температуры ( ориентировочно. [22] |
В тех случаях, когда химические радикалы проникают между плоскостями кристаллической решетки и присоединяются к углеродным атомам между монослоями, за счет нарушения двойных связей углерода в монослое происходит разрушение кристаллической решетки графита и графит, как таковой, перестает существовать. К числу химических радикалов, способных присоединяться к углер оду между монослоями графитовой кристаллической решетки, относятся галогены и кислород, причем способность к проникновению между кристаллами у этих радикалов не всегда одинакова. [23]
Линейные дефекты, или дислокации, возникают в местах обрыва плоскостей кристаллической решетки и закручивания этих плоскостей, а также при последовательном соединении точечных дефектов в виде цепочек. [24]
Рентгеновские лучи, длина которых одного порядка с расстоянием между плоскостями кристаллической решетки, имеют незначительную проникающую способность и позволяют осуществлять измерение напряжений только в поверхностных слоях материала, где третье главное напряжение равно нулю. [25]
Молекулярно-кинетический метод определения равновесной формы кристалла основан на том, что элементы плоскостей кристаллической решетки на поверхности равновесной формы имеют одинаковую среднюю работу отделения. Это положение аналогично термодинамической формулировке о том, что грани равновесной формы обладают одинаковым химическим потенциалом. При этом элементы должны быть связаны по меньшей мере так же прочно, как в полукристаллическом положении. [26]
Одной из важнейших особенностей металлов является неоднородность механических свойств в различных направлениях плоскостей кристаллической решетки, называемая анизотропностью. Она объясняется неодинаковой насыщенностью атомами в различных плоскостях решетки и неодинаковыми междуатомными расстояниями. [27]
Впоследствии теоретически было доказано, что правильные фотографические изображения лучей, отраженных от плоскостей кристаллических решеток, можно получить, используя вместо отдельного кристалла микрокристаллический порошок. [28]
 |
Зависимость коэффициента диффузии бора в железо армко ( кривая / и Ст. 3 ( кривая 2 от температуры. [29] |
В карбидах и нитридах, являющихся фазами внедрения, процесс сдвигового деформирования затруднен заклиниванием плоскостей кристаллической решетки внедренными атомами углерода или азота22, а в бор идах, представляющих собой по существу фазы внедрения атомов металлов в решетку бора-наличием прочных структурных элементов из атомов бора. В случае же силицидов, являющихся фазами замещения, сдвиговое деформирование осуществляется гораздо легче, а потому плавление ( сдвиг одних эшелонов решетки относительно других) наступает при относительно низких температурах. Наличие же структурных элементов решеток силицидов, состоящих из атомов кремния, гораздо слабее сказывается на упрочнении решетки, чем наличие элементов решетки, составленных из атомов бора, в боридах. Это объясняется более низким ионизационным потенциалом кремния и участием большой доли его внешних электронов в связях металл-кремний. [30]
Страницы: 1 2 3 4