Плоскость - скол
Cтраница 3
При электронной бомбардировке оказывались нестабильными пленки, полученные при конденсации пара солей на плоскостях скола MgO, Nad, КВг и слюды. При облучении солей ультрафиолетовыми лучами количество произвольно ориентированных зародышей росло. [31]
Наклонная укладка сегментов в обод шестерни повышает сопротивляемость зуба скалыванию или расслоению, поскольку плоскость скола или расслоения при наклонной укладке становится длиннее, а скол или расслоение оказываются менее возможными. [32]
В результате расшифровки точечных электронограмм установлено, что кристаллики окиси цинка всегда располагаются на плоскости скола слюды гранью ( 0001) с совпадением направлений ( 1010) окиси Zn и ( 1120) слюды. Величина кристаллографического несоответствия при этом составляет - 8 5 % в случае мусковита и-6 % - фторфлогопита. [33]
 |
Три типа трещин. [34] |
При разрушении по типу I к образцу прикладывается растягивающее напряжение, направленное по нормали к плоскости скола. Разрушение по типу I - единственный способ, ведущий к физическому разрушению, поскольку если внешнее напряжение физически не разделяет две поверхности в плоскости скола, то может происходить сращивание этих плоскостей даже при приложенном напряжении. При разрушении по типу II к образцу приложено сдвиговое напряжение параллельно плоскости скола и перпендикулярно линии вершины трещины. [35]
В первом случае монокристальные пленки относительно плохого качества, содержащие двойники роста, образуются на плоскости скола ( 111) при tK 920 С; во втором растут только поликристаллические конденсаты. По изложенным раньше причинам эпитаксиальная температура ( 920 С при эпитаксии Ge / BaF2), видимо, несколько завышена, хотя ее величина должна быть больше, чем при росте германия на флюорите, которая по тем же данным равна 590 С. [36]
Общий вид транскри-сталлитного разрушения подобен сколу; индексы плоскости скола такие же, как и для плоскости скола в водных растворах. [37]
В этом разделе поведение сплавов Ti - А1 при КР будет рассыот-рено в трех аспектах: плоскость скола, роль плоскостного скольжения и влияние выделения аз-фазы. [38]
В 1933 г. Окар [18] наблюдал ориентированное нарастание арсенолита и сенармонтита при сублимации на воздухе на плоскость скола мусковита. На этих примерах было подтверждено существование эпитаксии кристаллов с молекулярной и ионной структурой. Большое количество новых случаев закономерных срастаний получено затем Нейхаузом [19 - 23] и Монье [17, 24 - 28] с сотрудниками. Нейхауз на основании полученных им экспериментальных данных пришел к выводу, что температуры конденсации, соответствующие началу ориентированной кристаллизации, связаны с твердостью подложки. Автор полагал, что сильная химическая связь частиц вещества подложки приводит к инертности поверхностного слоя. Твердость подложки была выбрана как характеристика сил связи. [39]
Упрочнение можно обнаружить, измерив поперечное сечение углубления, произведенного алмазной пирамидой ( пирамидой Виккерса) на плоскости скола. [40]
 |
Изменение теплопроводности соединений InSe ( кривая / и InS ( кривая 2 в зависимости от температуры. [41] |
Согласно [15] соединение InjSe является анизотропным полупроводником с шириной запрещенных зон ( при определении оптическим методом в различных направлениях плоскости скола) 0 68 - 0 69 и 0 62 эв. По данным [55] электропроводность соединения InSe при 300 и 800 К составляет 6 63 - Ю 4 и 8 97 - 10 - 2 ом-1 - см-1 соответственно. [42]
При этом считается, что параметр k в уравнении Розина - Рэмлера представляет собой среднее линейное расстояние между, этими плоскостями скола, измеряемое вдоль координатных осей. [43]
При изучении окисления титана 106, 107 ] объектом исследования являлись монокристальные пленки Ti, полученные путем конденсации пара в вакууме на плоскости скола NaCl. Выше 400 С вместо TiO появляется ТЮ2 одновременно в двух модификациях - анатаза и рутила. Первый стабилен при температурах до 550 С, второй - от 550 до 800 С. В пленках ТЮ2 наблюдаются аксиальные текстуры, осями которых являются направления плотнейшей упаковки частиц. Если пленка состоит из нескольких слоев Ti, TiO и TiO2, то переход от одной структуры к другой происходит таким образом, что направление плотнейшей упаковки наследуется кристаллами нового слоя, так что взаимно параллельны направления [001] ТЮ: 2, [ ПО ] TiO и 010 ] Ti. Этот факт свидетельствует скорее о наличии эпитаксии, чем о существовании текстур роста. Выявление соответствующих ориентировок TiO2 с TiO и Ti требует дополнительных исследований. [44]
В некоторых системах металл - окружающая среда образование внутренних шеек не может быть принято в качестве модели роста трещин, ориентированных по действующим плоскостям скола или скольжения. Во всех случаях подсчитать скорость растворения трудно, так как по крайней мере часть поверхности у вершины трещины покрыта пленкой. Роль напряжений пока еще не выяснена полностью; кроме того, картина усложняется тем, что часть трещины растет в условиях плоской деформации, а часть - в условиях плоского напряженного состояния, способствующего росту сопротивления коррозии под напряжением. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5