Развитая плоскость

Cтраница 2

На рис. 4.1, а основная база - поверхность хОу, на рис. 4.1, б - поверхность цилиндра, а на рис. 4.1, в - развитая плоскость / фланца крышки. [16]

Количество возникающих при кристаллизации ядер непосредственно сказывается на форме и величине кристаллов. Появление только небольшого числа зародышей - ядер - - способствует образованию крупных кристаллов. Медленный рост крупных кристаллов позволяет получать более полногранные формы кристаллов с хорошо развитыми плоскостями. [17]

Кривые растворимости гипосульфита. [18]

Количество возникающих при кристаллизации ядер непосредственно сказывается и на самой форме и величине кристаллов. Появление только небольшого числа зародышей - ядер - дает возможность вырастать крупным кристаллам, так как эти кристаллы имеют возможность исчерпывать раствор в сравнительно большем объеме и даже поглощать случайно попавшие в этот район мельчайшие кристаллы. Медленный рост таких крупных кристаллов позволяет получать более полногранные формы с хорошо развитыми плоскостями. [19]

Количество возникающих при кристаллизации ядер непосредственно сказывается и на самой форме и величине кристаллов. Появление только небольшого числа зародышей - ядер - - способствует образованию крупных кристаллов, так как эти кристаллы имеют возможность исчерпывать раствор в сравнительно большем объеме и даже поглощать случайно попавшие в этот объем мельчайшие кристаллы. Медленный рост таких крупных кристаллов позволяет получать более полногранные формы кристаллов с хорошо развитыми плоскостями. [20]

Об этом свидетельствует также и некоторая диффузность полос спектров поглощения мелкокристаллического образца, которая, как известно [46], вызывается внутренними напряжениями в кристалле. Для этих сингоний кристаллов характерно отсутствие ярко выраженной плоскости спайности, и при их кристаллизации могут разрастаться различные плоскости решетки. Лишь длительное выдерживание кристалла вблизи точки плавления позволяет путем перекристаллизации вырастить образец с развитой плоскостью спайности. [21]

Для большинства металлов плоскостями скольжения являются плоскости с наиболее плотной упаковкой атомов, а направление скольжения всегда совпадает с самым плотноупакованным направлением в плоскости скольжения. В табл. 1 приведены плоскости и направления скольжения, установленные для некоторых наиболее распространенных и практически используемых металлов. В гексагональной плотноупа-кованной структуре ( рис. 1.1) базисная плоскость ( 0001) является наиболее плотной по упаковке и самой развитой плоскостью скольжения для таких гексагональных металлов, как цинк, кадмий, магний. [22]

Схемы вибраторов. [23]

Поверхностные вибраторы ( площадочные) состоят из электродвигателя с дебалансами на валу и металлической гладкой площадки с рукоятками для перемещения. Разновидностью поверхностных вибраторов является виброрейка, представляющая собой деревянный или металлический брус длиной 3 - 4 м, на котором укреплены один или два вибрационных электродвигателя. Применяются площадочные вибраторы и виброрейки при бетонировании плит перекрытий, полов, дорожных покрытий и других конструкций относительно небольшой толщины с развитыми плоскостями. Устанавливают поверхностные вибраторы непосредственно на бетонную смесь и по мере уплотнения их передвигают. [24]

Спектр поглощения аморфного толуола. [25]

При охлаждении кристаллов высокотемпературной модификации ( ВТМ), полученных в результате фазового перехода, обратного превращения в низкотемпературную модификацию ( НТМ) не происходит. Это дает возможность получать спектры поглощения высокотемпературной модификации кристаллов толуола при 77 и 20 К. Кристаллы ВТМ можно вырастить, резко охлаждая почти совсем расплавившиеся образцы ВТМ. При этом оставшиеся участки кристаллов начинают медленно разрастаться, новые центры кристаллизации не успевают возникнуть и образуются крупные совершенные монокристаллы ВТМ. Спектральные исследования показывают, что в этих образцах развитая плоскость отвечает иному срезу решетки, нежели в остальных. [26]

Спектр поглощения аморфного. и-ксилола при 93 К. [27]

Для совмещения необходимо спектр паров сместить в шкале частот на 213 сж - в длинноволновую сторону. Снимки I и III - это две компоненты ( соответственно двум поляризациям падающего на кристалл света) спектра кристалла, разность хода в котором равна приблизительно 350 нм при толщине 2 мкм. Снимок II - одна из компонент спектра другого кристалла, разность хода в котором составляет около 200 нм при той же толщине. Вторая компонента спектра этого кристалла аналогична компоненте III первого кристалла и поэтому не приведена на рисунке. Сопоставление компонент спектров этих кристаллов показывает, что развитые плоскости их принадлежат разным срезам одной и той же кристаллической решетки. Спектр III соответствует поглощению кристалла при ориентации электрического вектора световой волны приблизительно вдоль общего ребра этих двух срезов решетки. Отсутствие данных об ориентации молекул в решетке кристаллического ж-ксилола затрудняет более полную идентификацию развитых плоскостей исследуемых кристаллов. [28]

Спектр кристалла фенил-циклопропана. [29]

При охлаждении фенилциклопропана образуется конгломерат кристаллов неправильной формы. Даже при очень резком охлаждении соединение не стеклуется, а кристаллизуется. В слоях фиксированной толщины растут преимущественно кристаллы двух типов, отличающиеся двупреломлением. Спектры этих кристаллов, полученные в поляризованном свете, отличаются одной из компонент. Вероятно, развитые плоскости этих кристаллов соответствуют двум срезам кристаллической решетки, имеющим одно общее ребро. [30]

Страницы: 1 2 3