Cтраница 1
Базисные плоскости в кристалле графита уложены параллельно друг другу. Однако порядок их чередов ания может быть различным, что обусловливает наличие двух кристаллических модификаций графита - гексагональной и ромбоэдрической. Для первой из них характерно смещение слоев друг относительно друга на величину 0 1418 нм. При этом каждый третий слой по расположению атомов повторяет первый. Соседние слои смещены так, что под центром и над центром каждого гекса-гона находится атом углерода в прилегающем слое. [1]
Базисные плоскости имеют между собою слабую связь, которая не в состоянии сопротивляться проникновению посторонних мо. [2]
Базисные плоскости расположены параллельно друг другу на расстоянии 3 345 А. Все четные и нечетные плоскости симметричны. [3]
Базисные плоскости в кристалле графита уложены параллельно друг другу, однако порядок их чередования может быть различным, что обусловливает наличие двух кристаллических модификаций графита - гексагональной и ромбоэдрической. Для первой из них характерно такое смещение слоев относительно друг друга, при котором каждый третий слой повторяет первый. [4]
Базисная плоскость OpDlj - в титане является плоскостью скольжения с направлением скольжения 1120 только в грубозернистом иодидном титане и монокристаллах технической чистоты при определенной ориентации плоскости по отношению к направлению действующей нагрузки. [6]
Базисные плоскости асфальтенов, образованные конденсированными ароматическими ядрами, расположены беспорядочно на расстоянии 3.5 - 3.7 А друг от друга. Базисные плоскости связаны между собой силами Ван-дер - Ваальса. [7]
Кристаллическая решетка алмазе.| Диаграмма состояния углерода. [8] |
Базисная плоскость графитового кристаллита включает несколько углеродных колец. Высота кристаллита, т.е. размер по оси с, составляет 0 678 нм. Таким образом, можно считать графит полимером углерода, имеющего упорядоченность в двух направлениях по плоскости. Эти плоскости образуют достаточно плотную пачку, слои которой соединены между собой не химическими, а более слабыми силами межмолекулярного взаимодействия. Прочность же графитовых слоев в поперечном направлении весьма высока. [9]
Базисная плоскость решетки графита представляет в сущности большую молекулу, состоящую из очень большого числа конденсированных ароматических ядер. В этой плоскости я-электроны делокализованы. Поэтому адсорбция молекул с сопряженными связями на базисной грани графита представляет удобный случай для изучения межмолекулярного взаимодействия таких молекул. Это представляет интерес как для изучения влияния подвижных я-элек-тронов графита на межмолекулярное взаимодействие при адсорбции, так и для выяснения закономерностей межмолекулярного взаимодействия углеводородов с сопряженными связями. [10]
Каждая базисная плоскость расположена симметрично одна под другой, через одну. [11]
Аксиальная текстура. Сфе - [ IMAGE ] Кольцевая текстура на. [12] |
Пусть гексагональная базисная плоскость Б параллельна оси проволоки D-D. При вращении плоскости Б вокруг гексагональной оси F проекция этой плоскости на окружности проекций ( точка PJ) не смещается, а при вращении вокруг оси проволоки D-D описывает круг. [13]
В базисной плоскости соседние атомы углерода удерживаются химическими связями, а сами плоскости образуют кристаллиты, связанные силами Вап-дер - Ваальса. Такая структура обусловливает анизотропию свойств графита. Электропроводность, сжимаемость, тепловые свойства, способность к взаимодействию с различными химическими реагентами и другие свойства значительно зависят от направления воздействия на слои графита. [14]
В базисной плоскости соседние атомы углерода удерживаются химическими связями, а сами плоскости образуют кристаллиты, связанные силами Ван-дер - Ваальса. Такая структура обусловливает анизотропию свойств графита. Электропроводность, сжимаемость -, тепловые свойства, способность к взаимодействию с различными химическими реагентами и другие свойства значительно зависят от направления воздействия на слои графита. [15]