Базисная плоскость
Cтраница 2
Обработка базисной плоскости осуществляется обычно или обтачиванием, или фрезерованием. Кроме того, в ряде случаев эта плоскость подвергается дополнительной чистовой обработке шлифованием или притиркой. Необходимость дополнительной чистовой обработки может обусловливаться шби тр-еиованнямн конструктивного характера, либо стремлением уменьшить погрешность положения осей отверстий, порождаемую несовмещением установочной плоскости с соответствующими элементами приспособления. [16]
В базисной плоскости соседние атомы углерода удерживаются химическими связями, а сами плоскости образуют кристаллиты, связанные силами Ван-дер - Ваальса. Такая структура обусловливает анизотропию свойств графита. Электропроводность, сжимаемость -, тепловые свойства, способность к взаимодействию с различными химическими реагентами и другие свойства значительно зависят от направления воздействия на слои графита. [17]
В базисной плоскости монокристаллов цинка, подвергнутых усталостному нагружению при низкой температуре, были обнаружены большие дислокационные петли. Значительное восстановление наблюдается в цинке и кадмии уже при комнатной температуре. [18]
Почти вся базисная плоскость графита может окисляться атомарным кислородом, причем в отличие от окисления молекулярным кислородом в этом случае нет необходимости считать, что одни лишь структурные неоднородности служат инициирующими центрами. [19]
Степень упорядочения базисных плоскостей, соотношения между кристаллитами, неорганизованным углеродом ( боковые цепи) и единичными слоями зависит главным образом от условий получения сажи. Высокие температуры получения сажи и малая длительность пребывания сырья в зоне реакции позволяют получить углерод, не склонный к графитации. [20]
Аксиальное выравнивание базисных плоскостей увеличивается при возрастании степени стабилизации волокна и скорости подъема температуры при обработке. Упорядочение структуры в радиальном направлении для данного типа волокон определяется глубиной стабилизации и скоростью нагревания. Аксиальное и радиальное упорядочение микроструктуры увеличивается с повышением температуры обработки. [21]
 |
Кристаллизация KJ на контакте биотита и мусковита. [22] |
Понятие псевдоморфизм базисной плоскости было введено Финчем и Кво-реллом [57] при изучении механизма нарастания окисных пленок на некоторых металлах - Вслед за указанной работой появилось еще несколько исследований [58-61], авторы которых объясняли свои данные как результат изменения параметров решетки осадка до соответствия с параметрами решетки подложки. [23]
Степень упорядочения базисных плоскостей, соотношения между кристаллитами, неорганизованным углеродом ( боковые цепи) и единичными слоями зависит главным образом от условий получения сажи. Высокие температуры получения сажи и малая длительность пребывания сырья в зоне реакции позволяют получить углерод, не склонный к графитации. [24]
Если в базисной плоскости указанное замещение осуществляется в узле Л, то в следующем слое, содержащем атомы R, оно произойдет в узле С. [25]
Степень упорядочения базисных плоскостей, соотношения между кристаллитами, неорганизованным углеродом ( боковые цепи) и единичными слоями зависит главным образом от условий получения сажи. Высокие температуры получения сажи и малая длительность пребывания сырья в зоне реакции позволяют получить углерод, не склонный к графитации. [26]
К анизотропии в базисной плоскости приводит второй из них. [27]
Пренебрежение анизотропией в базисной плоскости означает определенные ограничения снизу на величину рассматриваемых полей. [28]
Берутся микрофотографии [67] базисных плоскостей шести кристаллов, которые были отобраны после 15 % выгорания, с большим содержанием ярко выраженных гексагональных ямок и поверхностных ступенек. [29]
Бюр-герса, параллельным базисной плоскости ( типа 1 по классификации Фуджита и Изуи [57]), и петли дислокаций, наклоненные к базисной плоскости. Первый тип уже был рассмотрен. [30]
Страницы: 1 2 3 4