Плотность - дырка
Cтраница 1
Плотность дырок в значительной степени концентрируется вблизи ионов Те - при больших г0, и модель ТФ дает гораздо лучшее приближение для Г У. Видно, что в случае / С1 величина Г - ЬУ меньше kT ( - 0 06 эВ) при г08 ат. При / С 3 Г У заметно изменяется во всем интервале эксперимента. Модель ТФ все же является достаточно грубой моделью. [1]
Тогда плотность дырок в базе от эмиттерной к коллекторной границе спадает от / 5рЭ ( 0) до NA. Градиент концентрации дырок в базе вызывает диффузию, дырки перемещаются в направлении от эмиттера к коллектору. Поскольку коллекторный переход находится под обратным напряжением, оно препятствует втягиванию дырок из базы в коллектор. Происходит накопление положительного заряда в области базы, расположенной вблизи от коллектора, а остальная часть базы становится отрицательной. Таким образом, в базе появляется электрическое поле, направленное от коллекторной границе к эмиттерной. Это поле противодействует диффузии дырок, вызывая их дрейф в обратном направлении. [2]
При изменении плотности дырок р от нуля до п ( это уже большой ток /) - б уменьшится в 2 раза, D6 увеличится в 1 5 раза. Но первый член скобки примерно в пять раз меньше второго члена, поэтому скобка увеличится в 1 2 раза, а все произведение уменьшится в 1 3 раза, что соответствует росту р ( 13) при малых токах. Далее рост D6 прекращается, а падение тб продолжается, от чего рост р ( /) замедляется. Таким образом, определенное заданное падение р ( /) является ограничением для максимального тока. [3]
В состоянии равновесия плотность дырок ( электронов) должна быть одинакова при одинаковом потенциале. [4]
Рп - излишек плотности дырок, и рп - плотность дырок в n - области при тепловом равновесии. [5]
Концентрация дырок р0 соответствует плотности дырок в плоскости д: 0 ( рис. 4.1), представляющей границу обедненного слоя со стороны n - области р - n - перехода. [6]
Таким образом, возрастание плотности дырок, вызванное возросшей в результате инжекции плотностью электронов ( требование нейтральности объемного заряда), приводит к быстрому росту проводимости области базы. [7]
Рп - излишек плотности дырок, и рп - плотность дырок в n - области при тепловом равновесии. [8]
С и С2 в ( 45) были бы пропорциональны плотности дырок в отсутствие освещения. [9]
Инжектированные в базу дырки диффундируют в направлении к коллектору за счет перепада плотности дырок по длине базы. Диффузия происходит в течение конечного времени при отсутствии электрического поля. [10]
Инжектированные в базу дырки диффундируют в направлении к коллектору за счет перепада плотности дырок по длине базы. Диффузия происходит в течение конечного времени при отсутствии электрического поля. [11]
Из уравнений ( 8.33 а) и ( 8.33 в) видно, что К равняется отношению изменения приращения плотности дырок на эмиттере к изменению приращения плотности дырок на коллекторе для того же самого приращения напряжения. [12]
При малых токах плотность электронов в базе р-типа ( для п-р - п транзисторов) пренебрежимо мала по сравнению с плотностью дырок, и проводимость относительно независима от тока эмиттера. [13]
Рассмотрим случай, когда материал р-типа активирован акцепторной примесью так, что плотность примесных атомов равна Na и эта величина равна плотности дырок рр. Подобным же образом в n - части перехода Nd - плотность доноров, равная в свою очередь плотности электронов проводимости пп. Кроме того, в - части имеются дырки с плотностью рш -, связанные с существованием собственной проводимости и создаваемые вследствие термического возбуждения. [14]
 |
Люкс-амперные характеристики. [15] |
Страницы: 1 2 3