Плотность - дырка
Cтраница 2
Поскольку в компенсированной я-области имеет место высокий уровень инжекции, то интенсивность свечения может быть пропорциональна как плотности электронов, так и плотности дырок. [16]
 |
Люкс-амперные характеристики. [17] |
Поскольку в компенсированной - области имеет место высокий уровень инжекции, то интенсивность свечения может быть пропорциональна как плотности электронов, так и плотности дырок. [18]
Из уравнений ( 8.33 а) и ( 8.33 в) видно, что К равняется отношению изменения приращения плотности дырок на эмиттере к изменению приращения плотности дырок на коллекторе для того же самого приращения напряжения. [19]
Из (4.44) видно, что повышение уровня инжекции приводит к ухудшению эффективности эмиттера, что естественно, поскольку при этом увеличивается концентрация дырок в базе и, следовательно, увеличивается плотность дырок, инжектируемых из базы в эмиттер. [20]
Левая часть (5.20) дает ток из резервуара в систему в виде интеграла от плотности возможных электронов, умноженной на квадрат модуля матричного элемента, на плотность конечных состояний и на плотность возможных дырок системы. Аналогично, правая часть дает ток из системы в резервуар. Можно показать, что строгое выполнение этого условия является очень нетривиальным. Однако для системы с большим числом каналов важным требованием будет отсутствие систематических изменений nr ( E) Vi ( E) 2 с изменением Е или г. Если такие изменения являются случайными, то можно ожидать, что они усреднятся. [21]
Для определения Nv можно, разумеется, пользоваться тем же графиком, что и для Nc ( рис. 2.5), если под величиной р понимать теперь отношение т р.тй. Точно так же при этом можно пользоваться рис. 2.6 для подсчета плотности дырок в валентной зоне. [22]
На коллектор и эмиттер соответственно в первом и во втором режимах приложено одинаковое напряжение. Поэтому плотности дырок на коллекторе и эмиттере в обоих режимах равны и в оставшихся двух членах уравнения ( 7 - 6) их можно опустить. [23]
Поток дырок, инжектированных в свободную от поля часть л-области, определяется диффузионными процессами. Следовательно, дырочный ток пропорционален градиенту плотности дырок. Плотность дырок в л-области падает экспоненциально с удалением от места их возникновения. [24]
Если в полупроводнике носители тока ( иногда именуемые свободными носителями) создаются в результате возбуждения и перескока через запрещенную зону электронов собственных атомов кристалла, то такой полупроводник называется собственным полупроводником. Внесение в полупроводник некоторых примесей может существенно изменить плотность дырок или электронов. Такие полупроводники, содержащие примеси, называются примесными. [25]
Из совместного анализа вольт-амперных и электролюминесцентных характеристик диодов было установлено, что интенсивность желтой полосы электролюминесценции пропорциональна плотности носителей перехода, где концентрация атомов бора, играющих роль активатора люминесценции, максимальна. Согласно предложенной схеме для объяснения механизма излучательных переходов интенсивность свечения пропорциональна плотности дырок. Данная схема кроме мономолекулярных механизмов рекомбинаций позволяет объяснить температурные условия интенсивности электролюминесценции и резкое снижение эффективности при повышении удельного сопротивления материала в районе перехода. Зависимости интенсивности свечения от тока и напряжения на диоде связаны не с изменением механизма излучательной рекомбинации, а с изменением механизма переноса электронного тока. Причиной снижения эффективности при увеличении электронного тока является инжекция электронов в р - область, вследствие чего происходит относительное снижение плотности носителей у переходов. Поэтому для создания индикаторных диодов с высокой эффективностью электролюминесценции необходимо компенсированную n - область делать по возможности более тонкой и не очень высокоомной. [26]
Из совместного анализа вольт-амперных и электролюминесцентных характеристик диодов было установлено, что интенсивность желтой полосы электролюминесценции пропорциональна плотности носителей перехода, где концентрация атомов бора, играющих роль активатора люминесценции, максимальна. Согласно предложенной схеме для объяснения механизма излучательных переходов интенсивность свечения пропорциональна плотности дырок. Данная схема кроме мономолекулярных механизмов рекомбинаций позволяет объяснить температурные условия интенсивности электролюминесценции и резкое снижение эффективности при повышении удельного сопротивления материала в районе перехода. Зависимости интенсивности свечения от тока и напряжения на диоде связаны не с изменением механизма излучательной рекомбинации, а с изменением механизма переноса электронного тока. Поэтому для создания индикаторных диодов с высокой эффективностью электролюминесценции необходимо компенсированную n - область делать по возможности более тонкой и не очень высокоомной. [27]
Дырки эмиттера легко преодолевают понизившийся потенциальный барьер и за счет диффузии инжектируются в базу, а электроны базы - в эмиттер. Дырки эмиттера диффундируют в базе в направлении к коллекторному переходу за счет перепада плотности дырок по длине базы, большинство из них доходит до коллекторного перехода, а незначительная часть рекомбинирует с электронами базы. Для уменьшения потерь дырок на рекомбинацию базу делают тонкой. Распространяясь вдоль коллектора за счет перепада плотности вдоль коллектора, дырки достигают контакта коллектора и рекомбинируют с электронами, подходящими к выводу от источника. [28]
Поток дырок, инжектированных в свободную от поля часть л-области, определяется диффузионными процессами. Следовательно, дырочный ток пропорционален градиенту плотности дырок. Плотность дырок в л-области падает экспоненциально с удалением от места их возникновения. [29]
Прагер и Лонг [261] полагают, что если сорбат и полимер по химической природе мало отличаются, доля контактов сорбата с полимером должна быть пропорциональна общей концентрации с по крайней мере при малых значениях с. Если эти контакты слабее, чем контакты полимера с полимером, энергия, необходимая для образования дырки определенного размера, понижается линейно с повышением концентрации. Следовательно, плотность дырок, достаточная для протекания единичного акта диффузии, должна экспоненциально возрастать с концентрацией. [30]
Страницы: 1 2 3