Cтраница 1
Плотности заряда и тока р и j ( обе величины берутся в единицах заряд / длина3) во всей четырехмерной области, ограниченной нашими двумя гиперповерхностями. [1]
Плотность заряда на границе иона, образованного атомом большого размера ( например, Cs, I -), относительно мала. Таким образом, ориентирующее влияние иона на молекулы БОДЫ будет слабым даже в первой координационной сфере, и прочно связанной гидратной оболочки не образуется. В этих условиях Г ] Е соответствует размеру чистого иона; ее величина мала, так же как и величина цог. Однако, с другой стороны, в окрестностях иона большого размера заметно нарушается структура воды, следовательно, T) sir велика. Для таких ионов T E - - v ori ] str и коэффициент В отрицателен. [2]
Плотность заряда обычно вычисляется с помощью волновой функции, записанной в виде линейной комбинации атомных ор-биталей. [3]
Плотность заряда возрастает в п раз, а ток - в п раз. [4]
Плотность заряда не зависит от геометрических размеров пьезоэлемента. Однако величину плотности необходимо умножить на п, если п пластинок собраны в стопку, в которой эти пластинки прилегают одна к другой гранями противоположной полярности так, что они оказываются включенными последовательно относительно действующей на них силы и параллельно электрически. При четном количестве пластинок один электрод изолирован от корпуса датчика самой пластинкой, что обеспечивает высокое сопротивление изоляции. [5]
Плотность зарядов на внутренней поверхности сферы ке одинакова - она наибольшая в точках, находящихся ближе к заряженному шарику. [6]
Плотности зарядов на шарах обратно пропорциональны их радиусам. [7]
Плотность заряда [ Cu ( NH3) 4 ] 2 по сравнению с Си2 уменьшается, связь с ионами ОН - ослабляется и [ Cu ( NH3) 4 ] ( OH) 2 ведет себя как сильное основание. Образование комплексных ионов сказывается не только на силе кислот и оснований, но и на каталитической активности ионов-комплексообразователей. В ряде случаев активность увеличивается. По-видимому, это связано с возникновением в растворе крупных структурных образований, способных участвовать в создании промежуточных продуктов и снижать энергию активации реакции. [8]
Плотность заряда на любом данном атоме равна сумме электронных плотностей на каждой из занятых орбиталей у этого атома. В енолят-анионе плотность заряда наибольшая у кислорода. [9]
Плотность зарядов Я оценивалась путем сравнения осмотических коэффициентов фр для сильносшитых ионитов, где эта величина при переменной степени диссоциации зависит от натяжения цепей ионита, с имеющимися в литературе осмотическими коэффициентами слабосшитых гелей. [10]
Плотность заряда и электрический ток могут быть вычислены прямо из волновых функций, и волновые функции приобретают физический смысл, который распространяется на классические, макроскопические ситуации. [11]
Плотность заряда в зоне низкой напряженности поля зависит от подвижности ионов, которая, в свою очередь, зависит от состава ионизуемого газа. Азот, водород и инертные газы при ударной ионизации поглощают очень мало электронов, поэтому заряды, присутствующие в этих газах - это электроны. [12]
Плотность зарядов на поверхности частиц из диэлектрика больше, если они ударяются о заземленную поверхность, металлическую или неметаллическую, но обладающую высокой электропроводностью. [13]
Плотность зарядов определялась как частное от деления величины полного заряда на площадь одной стороны образца. [14]
Зависимость плотности зарядов в приповерхностном слое от скорости подачи в резервуар различных жидкостей по вертикальной трубе диаметром 100 мм. [15] |