Cтраница 2
Плотность заряда измеряли специально для этой цели изготовленным прибором, аналогичным прибору ВИНЭП-2, взрыво-непроницаемый датчик которого с помощью системы поплавков удерживался в процессе наполнения емкости на постоянном расстоянии от поверхности жидкости. [16]
Плотность заряда р - Ne, так как за - ряд электронов отрицательный. [17]
Плотности заряда и тока свободных зарядов определяются распределением и движением свободных зарядов. [18]
Электронные плотности для ковалентных двухатомных молекул. [19] |
Плотность заряда нанесена на график в электронах на кубический бор. [20]
Плотность распределения смеси интактных и инактивированных клеток Е. coli M-17 по значению f - потенциала. [21] |
Плотность зарядов определяют методом коллоидного титрования или рассчитывают из данных о f - потенциале клеток в предположении диффузионного строения двойного слоя. Последнее предположение не всегда оправдано, к тому же переход от ЭФП к f - потенциалу осуществляется не всегда корректно. В связи с этим имеющиеся в литературе данные о плотности зарядов на клеточной поверхности, вычисленные из данных электрофореза, можно считать лишь ориентировочными. [22]
Плотности заряда и тока, создаваемые движущейся частицей, заменить эквивалентным набором гармонических осцилля-торов. Здесь ЕВ ( А) - поле, создаваемое в точке А дипольным гармоническим осциллятором рв, находящимся в точке В; ЕА ( В) - поле, создаваемое в точке В осциллятором рл, находящимся в точке А. Так как точка наблюдения А находится на большом расстоянии от точки встречи заряда с диэлектриком ( в волновой зоне), то при вычислении ЕА ( В) можно воспользоваться формулами Френеля. [23]
Плотность заряда на ребрах листа может быть весьма большой, так как заряд распределен неравномерно по поверхности листа. Однако потенциал точек на поверхности листа остается постоянным и понятие емкости проводящего листа конечных размеров имеет смысл. [24]
Плотность заряда может быть выражена числом единичных зарядов ( например, числом адсорбированных на поверхности кремнезема гидроксил-ионов), приходящимся на единицу поверхности. Однако такая плотность зарядов не достигается из-за взаимного отталкивания ионов. Даже значение 1 заряд / нм2 представляет собой очень высокую плотность заряда для стабилизированной коллоидной системы. [25]
Плотность зарядов на внутренней поверхности сферы не одинакова - она наибольшая в точках, находящихся ближе к заряженному шарику. [26]
Плотности зарядов на шарах обратно пропорциональны их радиусам. [27]
Плотности зарядов и порядки связей в 2 4 6-тршштроциклогекса-диенат - анионе. Значения, полученные методами ССП и СМ, приведены соответственно сверху и снизу. [28]
Плотность зарядов на проводниках, имеющих одну и ту же кривизну во всех точках поверхности, например на поверхности шара, одинакова во всех точках поверхности таких проводников. [29]
Плотности заряда вычисляются в методе МОХ ( рис. 5.10) в предположении, что электроотрицательности всех атомов в ал-лиле одинаковы. Мы же показали, что в действительности центральный атом значительно менее электроотрицателен, чем концевые атомы. [30]