Плотность - поверхностный заряд
Cтраница 2
Уравнение Гуи выражает плотность поверхностного заряда т) 0 как функцию безразмерного потенциала tyi ( или потенциала Ji) в плоскости наибольшего приближения ионов и равновесной концентрации электролита в растворе с. Этот потенциал на внешней границе плотного слоя играет ( см. дальше) исключительно важную роль в коллоидной химии. [16]
Уравнение Гун выражает плотность поверхностного заряда ц как функцию безразмерного потенциала гр. Этот потенциал на внешней границе плотного слоя играет ( см. дальше) исключительно важную роль в коллоидной химии. [17]
 |
Плотность распределения смеси интактных и инактивированных клеток Е. coli M-17 по значению f - потенциала. [18] |
Достаточно высокие значения плотности поверхностного заряда клеток приводит к их электростатическому отталкиванию, что является одной из причин агрегативной устойчивости биоколлоидов. [19]
Поэтому определение емкости, плотности поверхностных зарядов и распределения поля является двухмерной задачей. Далее, ввиду зеркальной симметрии поперечного сечения в плоскости, перпендикулярной к - х проводникам и рассекающей их пополам, нужно строго определить поле только в одной половине линии, тогда поле другой половины будет получено путем использования упомянутой симметрии. [20]
В зависимости от знака и плотности поверхностного заряда приповерхностный слой кремния может находиться в трех различных режимах: обогащения, обеднения или инверсии. [21]
В зависимости от знака и плотности поверхностного заряда приповерхностный слой кремния может находиться в трех различных режимах: обогащения, обеднения или инверсии. Следовательно, плотность поверхностного заряда может быть больше или меньше плотности заряда в объеме подложки или вызывать в приповерхностном слое противоположный по сравнению с объемом подложки тип электропроводности. Энергетические зонные диаграммы, а также графики распределения плотности поверхностного заряда и напряженности электрического поля для различных режимов работы МДП-структуры ( рис. 3.14) приведены на рис. 3.15. В режиме обогащения ( рис. 3.15, а) границы энергетических зон вблизи поверхности полупроводника - типа изгибаются вниз. Если к МДП-структуре прикладывать соответствующее внешнее электрическое поле, притягивающее к поверхности электроны, то можно обеспечить режим обогащения в приповерхностном слое полупроводника. При этом тип электропроводности этого слоя сохранится, но его удельная проводимость повышается по сравнению с подложкой. [22]
Естественно предположить, что флуктуации плотности поверхностного заряда, обусловленные случайным характером локальных процессов термического окисления кремния, будут статистически независимы в разных точках поверхности образца. [23]
Другие данные приведены в табл. 27.8. Плотность поверхностного заряда для водных мицелл должна быть такая же или больше, чем в случае микрокапель, т.е. неэлектростатические эффекты также достаточно важны. Представляется интересным дальнейшее исследование этого эффекта. [24]
Целью феноменологической теории является получение зависимости плотности поверхностного заряда от времени 0 ( т) с характерным переходом гетеро-заряда в гомозаряд, а также попытка количественно согласовать получаемую из расчетов долговечность заряда с экспериментально наблюдаемой. [25]
Величина ШуиСв уравнении представляет собой изменение плотности поверхностного заряда электрода в единицу времени, т.е. имеет размерность электрического тока. [26]
D имеет одну нормальную компоненту, равную плотности поверхностного заряда. Теперь очевидно, что этот вывод относится к провод-пикам в электростатике. Именно их поверхности оказываются заряженными. [27]
Кроме того, напряжение плоских зон VFb зависит от плотности поверхностного заряда Qss на поверхностных уровнях полупроводника. Иными словами, на Qss влияет кристаллографическая ориентация поверхности кремния и технология изготовления окисного слоя. [28]
 |
Спектры ложных ПЭС, возникающие в результате обычно принятой математической обработки теоретических кривых 3 и 4 различными методами. [29] |
При этом было установлено, что гауссово распределение флуктуации плотности поверхностного заряда, влияя на форму измеряемых экспериментально характеристик МДП структуры, имитирует появление в запрещенной зоне полупроводника непрерывно распределен - к см-2. [30]
Страницы: 1 2 3 4