Плотность - поверхностный заряд
Cтраница 4
Дз, т - параметр вольт-амперной характеристики диода Дз, зависящий от плотности поверхностного заряда на границе полупроводника и окисла, скорости поверхностной рекомбинации и периметра эмиттерного р - п перехода. [46]
Нам остается еще выяснить связь между напряженностью волнового поля в кабеле и плотностью поверхностных зарядов и токов на его обкладках. [47]
Во многих задачах электростатики рассматриваются граничные поверхности, на которых задан потенциал или плотность поверхностного заряда. В практически встречающихся случаях ( даже при весьма сильной идеализации) определение соответствующей функции Грина подчас весьма затруднительно. В связи с этим был разработан ряд других методов решения граничных задач, причем некоторые из них довольно далеки от метода функций Грина. В этой главе мы познакомимся с двумя такими методами: 1) методом изображений, весьма тесно связанным с методом функций Грина, и 2) методом разложения по ортогональным функциям, в котором используется само дифференциальное уравнение, а непосредственное построение функции Грина не производится. [48]
Отличия между уравнениями ( 42) и ( 81) состоят в изменении плотности поверхностного заряда от 0 до ( 1 - х) а ж в том, что вводится дополнительный член, отражающий влияние добавки. [49]
Отличия между уравнениями ( 42) и ( 81) срстоят в изменении плотности поверхностного заряда от а до ( 1 - х) а и в том, что вводится дополнительный член, отражающий влияние добавки. [50]
 |
Разность между плотностью тока плазмы Jp и плотностью тока внешней цепи равна величине оа / о. на проводящей границе. [51] |
Граничные условия для зарядов и полей в Id, Новая физика здесь связана с плотностью поверхностного заряда на граничных электродах. [52]
Среднее значение потенциала пика десорбции н-амилового спирта на приведенных металлах составляет 3 3В; среднее значение плотности поверхностного заряда ( третья строка таблицы), соответствующего этому пику, - 9 15 мкКл / см2, что свидетельствует об отсутствии влияния природы металла на процесс появления пика на волътфарадной кривой. Очевидно, что этот максимум на С - р зависимости отвечает одному и тому же отклику взаимодействия свободного электрона металла с молекулой адсорбата. Теперь, поскольку обнаружилась аналогия с явлениями туннелирования, появляется возможность изучения электронной эмиссии и кинетических параметров на межфазной границе металл-раствор электролита, используя методы измерения дифференциальной емкости двойного слоя, которые значительно менее трудоемки, чем методы туннельной спектроскопии. [53]
 |
Конденсатор, заполненный диэлектриком ( б, можно рассматривать как суперпозицию заряженного воздушного конденсатора ( а и пластины из поляризованного материала ( в. [54] |
Электрическое поле равно сумме полей этих двух распределений, поля ЕО двух реальных заряженных слоев с плотностью поверхностного заряда 0 Q / A и поля Е двух заряженных слоев с плотностью а Р, которому эквивалентно поле поляризованной пластины. [55]
В этом случае центр кристалла уже не является электрически нейтральным и зоны в нем при той же плотности поверхностного заряда оказываются менее искривленными, чем в предыдущем случае. [56]
Страницы: 1 2 3 4