Плотность - объемный заряд
Cтраница 2
Иначе говоря, изменение плотности объемного заряда в любом объеме в единицу времени должно быть равно числу Вытекающих из этого объема ( или приходящих в этот объем) элементарных электрических зарядов. [16]
Предположим, что распределение плотности объемного заряда К ( х) в переходе можно аппроксимировать функцией, показанной на рис. 2.5, б сплошными линиями. [17]
Иначе говоря, изменение плотности объемного заряда в любом объеме в единицу времени должно быть равно числу Вытекающих из этого объема ( или приходящих в этот объем) элементарных электрических зарядов. [18]
При обычной конструкции электродов тетрода плотность объемного заряда оказывается недостаточной для создания у анода потенциального барьера требуемой величины. В лучевом тетроде для увеличения плотности объемного заряда электронный поток концентрируется в двух плоскостях в узкие пучки - лучи ( рис. 10.3, а, б, в), отсюда и происходит название лампы. [19]
 |
Зависимость коэффициента усиления ЛБВ по мощности от нормализованной длины при С 0 1. Ь опт d 0 при разных значениях нормализованной мощности возбуждения Рвх / С70 [. [20] |
В противоположность этому при увеличении плотности объемного заряда до 4QC 1, группирование ( рис. 8.12) сопровождается перегоном электронных слоев, и электронное уплотнение быстро распадается. [21]
Вычисленные из измеренных отклонений значения плотности объемного заряда по порядку величины совпадают с найденными нами значениями. Однако количественное сравнение указанных измерений с теоретическими формулами вряд ли имеет смысл: с методической стороны: все экспериментальные работы заслуживают серьезной критики. [22]
Эта фомула дает связь между плотностью объемных зарядов р и вторыми производными от потенциала по координатам. Сумму вторых производных от некоторой функции / ( х, у, г) по переменным х, у, z принято обозначать символом Г ( х, у, г), где Д носит название оператора Лапласа. [23]
 |
Диод с p - i - n структурой ( а, энергетическая диаграмма ( б, распределение примесей ( в, плотности объемного заряда ( г и напряженности электрического поля ( д. [24] |
Энергетическая диаграмма, распределение примесей, плотность объемного заряда и электрического поля в p - i - n - и р-л-п-структурах показаны на рис. 3.53. Методы формирования этих структур различны: вплавление и диффузия примесей, эпитаксиальное наращивание, ионное легирование. [25]
 |
Диод с / ы - п-структурой ( а, энергетическая диаграмма ( 6, распределение примесей ( в, плотности объемного заряда ( г и на мряженности электрического поля ( д. [26] |
Энергетическая диаграмма, распределение примесей, плотность объемного заряда и электрического поля в p - i - n - и р-я-л-структурах показаны на рис. 3.53. Методы формирования этих структур различны: вплавление и диффузия примесей, эпитаксиальное наращивание, ионное легирование. [27]
 |
Форма пространственного заряда в магнетроне при генерации. [28] |
В результате рассмотренного процесса произойдет изменение плотности объемного заряда и около пазов с тормозящей полуволной возникнут сгустки электронов, а около пазов с ускоряющей полуволной - разряжения объемного заряда. [29]
Создать этот минимум можно либо увеличением плотности объемного заряда в этой области, либо введением в это пространство дополнительного электрода с потенциалом, значительно меньшим потенциалов анода и второй сетки. [30]
Страницы: 1 2 3 4