Плотность - объемный заряд
Cтраница 4
При положительном потенциале анода относительно катода ток возрастает, плотность объемного заряда уменьшается, и возникает новое состояние равновесия, соответствующее увеличенной скорости движения электронов к аноду. С уменьшением плотности объемного заряда по мере роста потенциала анода ток стремится к предельному значению - току насыщения. Дальнейшее увеличение тока возможно лишь при повышении температуры катода. [46]
Область с низким потенциалом в них создается путем увеличения плотности объемного заряда между анодом и экранирующей сеткой. [47]
Поверхностный заряд вызывается напряженностью электрического поля и косвенно зависит от плотности объемного заряда в нефтепродукте. [48]
Во-первых, предположим, что в граничном слое толщиной I плотность объемного заряда Q постоянна, а на больших расстояниях от поверхности полупроводника падает до нуля. Это означает, что каждый примесный центр в граничном слое отдал свой электрон хемосорбату ( п-проводник) или что каждая положительная дырка в граничном слое заполнена ( р-проводник), другими словами, граничный слой лишился всех носителей тока. Предположим также, что ионы в междуузлиях или вакантные места в полупроводнике неподвижны и что имеет место полная диссоциация примесных центров. [49]
Эта кривая в какой-то мере отображает усредненное во времени распределение плотности объемного заряда во внешней зоне короны переменного тока. [50]
В лучевых тетродах область с низким потенциалом создается путем увеличения плотности объемного заряда между анодом и экранирующей сеткой. Чтобы создать такую область, кадо увеличить расстояние между анодом и экранирующей сеткой, а также увеличить концентрацию электронов на пути от экранирующей сетки к аноду. [51]
Область с низким потенциалом в лучевых тетродах создается путем увеличения плотности объемного заряда между анодом и экранирующей сеткой. [52]
Изменение степени заполнения глубокого уровня электронами влечет за собой изменение плотности объемного заряда структуры, толщины обедненного слоя при постоянном обрат-юм напряжении и, как следствие, емкости структуры. [53]
 |
Световая характеристика трубки. [54] |
Форма паразитного сигнала, который генерирует иконоскоп, зависит от ( плотности объемного заряда перед различными участками мозаики. В свою очередь, плотность связана с числом электронов, попадающих в объемный заряд. Так как последний образуется не только вторичными, но и фотоэлектронами, уходящими с мозаики, то распределение плотности связано с распределением светотеней в передаваемом изображении и меняется вместе с ними. Последнее сильно усложняет процесс компенсации паразитных сигналов радиотехническими методами. [55]
Из анализа изменения плотности объемного и поверхностного зарядов следует, что плотность объемного заряда без слоя диэлектрика снижается довольно быстро. При наличии слоя диэлектрика плотность поверхностного заряда увеличивается быстрее, в результате чего резко возрастают потенциал и напряженность в газовом пространстве. [56]
 |
Зависимости удельного. [57] |
В первую очередь это относится к выводам указанных работ относительно соотношения плотностей объемных зарядов разной полярности в различных точках поля. [58]
 |
Схематическое изображение лучевого тетрода. [59] |
Создать минимум потенциала в пространстве вторая сетка - анод можно либо увеличив плотность объемного заряда в этой области, либо введя в это пространство дополнительный электрод с потенциалом, значительно меньшим потенциалов анода и второй сетки. [60]
Страницы: 1 2 3 4