Плотность - пространственный заряд
Cтраница 4
Расчеты показывают, что при достаточно высокой плотности коллекторного тока из-за конечной скорости движения носителей в полупроводниковом материале плотностью подвижного пространственного заряда в коллекторном переходном слое нельзя пренебрегать по сравнению с зарядом ионизированных примесных атомов в этой области. Учет заряда неосновных носителей в коллекторном переходе приводит к тому, что при высоких плотностях тока граница переходной области, соседней с нейтральным базовым слоем, смещается по направлению к металлическому контакту коллектора. [46]
В этом случае электроны останавливаются перед виртуальным катодом и разворачиваются, что приводит к смещению виртуального катода и максимума плотности пространственного заряда в сторону плоскости инжекции. Кроме того, величина плотности пространственного заряда быстро увеличивается, так как практически все электроны оказываются захваченными движущимся к входной плоскости виртуальным катодом, образующим сгусток электронов. По мере приближения к плоскости инжекции величина потенциального барьера уменьшается и в некоторый момент времени становится меньше кинетической энергии влетающих электронов. Снижение величины потенциального барьера продолжается и после того, как отраженные электроны покидают пространство взаимодействия. Инжектируемые электроны теперь легко преодолевают уменьшившийся потенциальный барьер и двигаются к выходной плоскости промежутка. Виртуальный катод начинает смещаться к выходной плоскости диода до тех пор, пока не восстановится потенциальный барьер достаточной высоты для отражения электронов. Ток отраженных от виртуального катода и пролетных электронов оказывается промоделированным на частоте ио колебаний виртуального катода, которая, как будет обсуждаться дальше, связана с невозмущенной плазменной частотой пучка шр. [47]
Однако под влиянием положительной катодной сетки катод работает с относительно меньшим запасом тока эмиссии, что приводит к некоторому снижению плотности пространственного заряда у катода, а следовательно, к менее эффективному подавлению флуктуации всего потока электронов, эмиттируемых катодом. В результате этого широкополосные пентоды с катодной сеткой, как будет показано в § 18 - 1 ( табл. 18 - 1), обладают эквивалентным сопротивлением шума, в 2 - 3 раза превышающим значение этой величины у широкополосных пентодов с мелкоструктурными сетками и одного порядка с эквивалентным сопротивлением шума широкополосных пентодов с обычными сетками. [48]
Так, одновременно в системе в зависимости от начальных условий могут реализовываться как регулярные, так и хаотические режимы колебаний плотности пространственного заряда. [49]
 |
Характеристика диода.| Плотность тока / а / О плоскопараллельного диода при ограничении тока - пространственным зарядом и пренебрежимо малых начальных скоростях, электронов. [50] |
На рис. 12 - 25 даны кривые зависимости потенциала U ( х), напряженности поля Е ( х) и плотности пространственного заряда р ( л) между плоскопараллельными электродами. [51]
Зависимость напряженности электрического поля Е от расстояний г частя-цы до сигнальных проволо-чек: 1 - область газового усиления -, г - область высо-кой плотности пространственного заряда. [52]
На основе проведенного анализа можно заключить, что с укорочением длины волны мм ОК возрастает неоднородность поля отражателя, обусловленная искривлением отражателя и увеличением плотности пространственного заряда. Это приводит к росту времени дрейфа ( N) и к сгущению зон генерации, которая оказывается возможной лишь в узких дискретных областях напряжений отражателя ( наклон зависимости U0 ( l / o) уменьшается) и в более широком диапазоне ускоряющих напряжений. На движение электронов влияет очень малое изменение напряжения отражателя ( - 10 В), но оно не чувствительно к большим изменениям ускоряющего напряжения ( - 500 В), что согласуется с данными эксперимента. [54]
Зарядка частиц в поле коронного разряда обусловливается направленным движением ионов под действием электрического поля, а также в результате диффузии, связанной с возмущением плотности пространственного заряда ионов у поверхности частицы. Для частиц, радиус которых много больше длины свободного пробега ионов в газе ( - 10 - 5 см), возмущение в распределении ионов вблизи частицы незначительно и диффузионным механизмом заряжения можно пренебречь. [55]
 |
Семейство вольт-амперных характеристик диода / а / ( ( / а при различных значениях напряжения накала ( У. [56] |
На наклонном участке характеристики, называемом участком пространственного заряда, анодный ток почти не зависит от температуры, так как увеличение эмиссии одновременно вызывает повышение плотности пространственного заряда, углубление потенциального минимума, следовательно, увеличение сил поля, отталкивающего электроны обратно к катоду. [57]
На рис. 210 показаны все области, которые могут встречаться в тлеющем разряде, а также экспериментально найденные распределения свечения, потенциала, напряженности поля и плотности пространственного заряда вдоль разряда в том виде, в каком они получаются в неслишком широких трубках. [58]
Применение (2.6) при Uао ( i l) IUgoi 1 может дать заметную погрешность, если при данном значении тока в диоде тормозящее поле значительно повышает плотность пространственного заряда и создает распределение потенциала, отличающееся от предполагаемого при выводе линейного распределения. [59]
Были проведены более подробные расчеты величины усиления [100, 260] и, в частности, исследовано влияние, пространственного заряда [141, 147, 332, 457] с помощью введения Q - безразмерного параметра [367] плотности пространственного заряда, который представляет собой отношение емкостного сопротивления между пучком и замедляющей системой к активному сопротивлению системы. Результаты этих работ позволяют вычислить усиление в зависимости от тока пучка и геометрии устройства. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5