Плотность - неосновной носитель
Cтраница 1
Плотность неосновных носителей весьма мала по сравнению с плотностью основных носителей. [1]
В период восстановления плотность неосновных носителей в базе снижается до равновесного значения. [2]
Однако, хотя требование нейтральности при размещении Vр влияет на плотность неосновных носителей ( дырок в материале типа п), которая на несколько порядков ниже, чем для основных носителей, плотность неосновных носителей все еще далека от нуля, диффузионный ток неосновных носителей все еще существенен при термоэлектрическом преобразовании энергии. [3]
 |
Схема излучательной рекомбинации, стики Шокли-Рида, последняя пропорциональна. [4] |
Таким образом, согласно этим представлениям, интенсивность свечения пропорциональна плотности неосновных носителей. [5]
Таким образом, модель Линвилла с сосредоточенными параметрами отражает зависимости токов транзистора от плотностей неосновных носителей заряда на границах базы. Модель Линвилла позволяет связать внешние характеристики схемы с физическими и геометрическими параметрами транзистора. [6]
 |
Модель Линвилла с сосредоточенными параметрами для диода. [7] |
Итак, модель Линвилла с сосредоточенными параметрами, так же как и зарядная модель, не учитывает инерционности установления распределения плотности неосновных носителей в базе диода при изменении напряжения на переходе и поэтому может применяться при сравнительно медленном изменении напряжения. [8]
Для электронных цепей, использующих дискретные транзисторы в виде комплектующих элементов, при решении уравнений (1.35) - (1.38) вводят упрощения: устраняют из указанных уравнений Пространственные производные от плотности неосновных носителей. [9]
Однако, хотя требование нейтральности при размещении Vр влияет на плотность неосновных носителей ( дырок в материале типа п), которая на несколько порядков ниже, чем для основных носителей, плотность неосновных носителей все еще далека от нуля, диффузионный ток неосновных носителей все еще существенен при термоэлектрическом преобразовании энергии. [10]
Из рис. 4.7 следует, что протекание тока в областях транзистора обусловлено движением дырок и электронов. При этом имеет место резко выраженная зависимость плотности неосновных носителей ( электронов в эмиттере и коллекторе, дырок в базе) от расстояния. Следствием этой зависимости является зависимость плотностей тока электронов и дырок в слоях транзистора от расстояния, представленная на рис. 4.8. В эмит-терном слое вблизи эмиттерного контакта протекание тока осуществляется за счет перемещения дырок, поэтому электронная составляющая I эп равна нулю. Возле эмиттерного перехода электронная составляющая не равна нулю. [11]
По этой формуле можно рассчитать га, если известны температуры и Eg материала. При известной плотности основных носителей можно легко рассчитать плотность неосновных носителей. [12]
При низких уровнях инжекции и малых величинах тока базы падение напряжения в области базы настолько мало, что напряжение на всем эмиттерном переходе можно считать одинаковым. По мере увеличения уровней инжекции, и в особенности при высоких уровнях инжекции, когда плотность неосновных носителей становится сравнимой с плотностью основных носителей, увеличивается рекомбинационный гок и вызванное им падение напряжения. [13]
Принцип работы такого триода основан на известном ( из большого количества работ по туннельной спектроскопии, в том числе из работы [418]) эффекте появления туннельного сквозного тока через тонкий ( порядка 30 А) слой окисла из невырожденного полупроводника. Было замечено влияние на такой ток неосновных носителей, образованных вблизи границы раздела ДП, и показано, что увеличение плотности неосновных носителей ( например, при инъекции из другого МДП контакта) дает соответствующее увеличение тока насыщения обратно смещенной диодной структуры. [14]
В подтверждение этой теории предполагалось, что плотность неосковных носителей, возникающих вследствие инъекции эмиттера, была всегда пренебрежимо мала. Современная теория Вебстера показывает, что плотностью неосновных носителей в базовом слое нельзя пренебрегать даже при сравнительно низких величинах эмиттерного тока. В результате проводимость базового слоя возрастает, что, в свою очередь, - понижает эффективность эмиттера и увеличивает скорость объемной рекомбинации в базовой области. Каждое из этих явлений вызывает увеличение сигнала тока в базе и, следовательно, понижение акб. [15]
Страницы: 1 2