Плотность - неосновной носитель
Cтраница 2
 |
Схема для наблюдения электролюминесценции в структурах МДП. [16] |
Для этого необходимо достаточно большое знакопеременное напряжение, способное существенно изменить плотность неосновных носителей в ОПЗ. [17]
Взаимное расположение входных характеристик, как в схеме с ОБ, зависит от напряжения коллектора. Однако входные характеристики в схеме с ОЭ, снятые при больших значениях Uж, располагаются дальше от оси токов, чем характеристики, снятые при меньших С / кэ. Влияние напряжений UKa и UK на величину входного тока практически прекращается при напряжениях, больших 0 1 - 0 2 в. При Ui n и UH, близких к нулю, плотность неосновных носителей заряда вблизи коллекторного перехода будет отлична от нуля и градиент концентрации dp / dx в базе при этом уменьшается. По мере возрастания отрицательного напряжения t / кэ ток / б становится меньше. [18]
Страницы: 1 2