Плотность - поток - электрон
Cтраница 2
N, падающих на барьер, равна сумме плотности потока электронов N, отраженных от барьера, и плотности потока электронов N, прошедших через барьер. [16]
Нормировочную постоянную С удобно определить таким образом, чтобы плотность потока электронов, падающих на атом, Sq была бы равна единице. [17]
 |
Зависимость f ( Т моно - [ IMAGE ] Зависимость максималь. [18] |
Эксперименты показали, что при одной и той же плотности потока электронов и величине потока снижение энергии бомбардирующих электронов от 1 33 до 0 23 Мэв, т.е. ниже энергетического порога смещений Ва и Тс, , не меняет характера эффектов: сначала наблюдается типичное увеличение Р, 6 и tad, а затем их подавление. [19]
Электронные лампы ( триод, тетрод, пентод) изменяют плотность потока электронов с помощью управляющей сетки, расположенной на пути этого потока. Усиливаемый сигнал создает вблизи сетки тормозящее поле, которое регулирует ток источника питания, пропускаемый лампой и создающий в нагрузке более мощный сигнал. [20]
На условия перехода от режима возврата к режиму перехвата влияют также конструктивные параметры сетки и плотность потока электронов. [21]
 |
Энергия сродства атомов к протону ( РА.| Энергия сродства молекул к протону ( РА. [22] |
Сечение i-кратной ионизации а 4 есть отношение вероятности образования в единицу времени иона кратности i к плотности потока электронов. При энергии электронов, меньшей порога двукратной ионизации, 0 совпадает с ат. [23]
N, падающих на барьер, равна сумме плотности потока электронов N, отраженных от барьера, и плотности потока электронов N, прошедших через барьер. [24]
Трехэлектродная лампа, в которой, помимо катода и анода, имеется третий электрод - сетка, предназначенный для управления плотностью потока электронов, движущихся к аноду, называется триодом. Сетка располагается ближе к поверхности катода в области образования отрицательного пространственного заряда. [25]
При соприкосновении двух металлов за счет энергии теплового движения электроны будут переходить из металла с меньшим потенциальным барьером в металл с большим барьером, так как плотность потока электронов в этом направлении будет большей. Такой переход приводит к избытку электронов в металле с большим потенциальным барьером и недостатку электронов в другом металле. [26]
Эффективное сечение тормозного поглощения имеет размерность см сен:, так как в этом случае вероятность перехода в единицу времени равна эффективному сечению, умноженному на плотность потока фотонов и на плотность потока электронов. [27]
Луч выносит электроны с поверхности фотокатода. Плотность потоков электронов с разных участков пропорциональна интенсивности излучения, падающего на эти участки. Высокое напряжение между катодом и экраном ускоряет движение электронов, они получают дополнительную энергию и, зарядившись ею, падают на экран. [28]
Поэтому в каждый данный МО мент времени плотность потока электронов, движущегося на участках катод-сетка и анод-сетка, одинакова. [29]
На анодных характеристиках некоторых лучевых тетродов в начале режима прямого перехвата наблюдается незначительный, но характерный для динатронного эффекта провал кривой анодного тока. Как правило, такое изменение анодной характеристики наблюдается при больших отрицательных напряжениях Е7С1, когда плотность потока электронов невелика и недостаточна для полного подавления динатронного эффекта. [30]
Страницы: 1 2 3