Плотность - квантовое состояние
Cтраница 2
При увеличении положит, напряжения ( рис. 2, г) туннельный ток уменьшается в результате убывания плотности квантовых состояний в области туннельного механизма. Это соответствует участку отрицат. [16]
Начнем с плотностей квантовых состояний 8i ( S) и gz () Напомним, как в квантовой статистике определяется плотность квантовых состояний. Проще всего воспользоваться методом Дебая: в кубе с ребром L находим число устойчивых систем стоячих волн длиной Я. Получается некоторая величина, зависящая, естественно, от L и Я. [17]
Начнем с плотностей квантовых состояний Si ( S) и 8г () Напомним, как в квантовой статистике определяется плотность квантовых состояний. Проще всего воспользоваться методом Дебая: в кубе с ребром L находим число устойчивых систем стоячих волн длиной К. [18]
 |
Измерение дифференц. прямого сопротивления диода. М - эдс на частоте сигнала ш. ш. / Д. l ( oC6. uL. Д Д. 1 / шС Д0. [19] |
Ферми для зоны проводимости; fv ( E) - ф-ция распределения Ферми для валентной зоны; рс ( Е), pv ( E) - плотности квантовых состояний в зоне проводимости и валентной зоне соответственно. [20]
Банкер [8] подверг критике использование термина активированный комплекс в таком контексте и предложил другое определение [9] - критическая молекулярная конфигурация, имеющая такое значение координаты реакции, что плотность внутренних квантовых состояний минимальна ( см. также разд. [21]
Если, далее, уровни энергии расположены очень тесно, так что в этом малом интервале имеется много уровней, то 2g - может быть в хорошем приближении заменена на N ( E) 8E, где N ( Е) - непрерывная функция распределения ( плотность квантовых состояний), или число квантовых состояний на единичный интервал энергии при энергии Е ( см. также разд. [22]
До сих пор квантовому рассмотрению подвергались лишь колебательные и ( иногда) вращательные степени свободы частиц. Однако, если температура идеального газа ( при заданной его плотности) достаточно мала, то для всех степеней свободы, в том числе и поступательных, плотность одночастичных квантовых состояний не будет малой и возникнет квантовомеханическое обменное взаимодействие. Изучение газов при низких температурах, к которому мы переходим, должно, следовательно, быть с самого начала квантовым. Мы ограничимся идеальными квантовыми газами, в которых пренебрегается обычным силовым взаимодействием частиц. [23]
В конечном счете быстродействие туннельного диода определяется произведением отрицательного сопротивления на емкость перехода. Отрицательное сопротивление, как известно, определяется наклоном в. Наклон характеристики на участке отрицательного сопротивления обусловлен вероятностью туннельного эффекта, плотностью квантовых состояний и положением уровня Ферми в обеих зонах. [24]
В конечном счете быстродействие туннельного диода определяется произведением отрицательного сопротивления на емкость перехода. Отрицательное сопротивление, как известно, определяется наклоном вольтамлерной характеристики в рабочей точке. Наклон характеристики на участке отрицательного сопротивления обусловлен вероятностью туннельного эффекта, плотностью квантовых состояний и положением уровня Ферми в обеих зонах. [25]
В таком случае они лишь слабо влияют на термодинамические свойства сверхпроводника в отсутствие магнитного поля. Дело в том, что такие примеси не нарушают симметрии относительно обращения времени. Согласно теореме Крамерса, уровни энергии электронов в таком поле остаются двукратно вырожденными, причем соответствующие этим уровням состояния как раз являются взаимно обращенными по времени, и, следовательно, электроны в них могут образовывать куперовские пары. Это будет по-прежнему происходить вблизи резкой поверхности Ферми с той лишь разницей, что самая эта поверхность ограничивает теперь заполненные состояния не в импульсном пространстве, а в пространстве квантовых чисел в поле U ( г); при малой концентрации примеси плотность квантовых состояний вблизи ферми-поверхности изменяется мало. [26]
Страницы: 1 2