Плотность - ток - эмиттер
Cтраница 1
Плотность тока эмиттера в одних и тех же режимах у высокочастотных транзисторов практически на два порядка выше, чем у низкочастотных. [1]
Здесь плотность тока эмиттера положительна, когда ток направлен в базу, и коллектора, если он направлен из базы. [2]
До сих пор были получены выражения для плотности тока эмиттера и коллектора. [3]
 |
Распределение потенциала в направлении диаметра прямосмещенного перехода. Пун. к-тир - потоки электронов. [4] |
Следующее ограничение импульсного тока связано с неравномерным распределением плотности тока эмиттера по площади эмиттерного перехода в области базы. [5]
Практически величина максимально допустимого импульсного тока транзистора кроме максимальной температуры ограничивается неравномерностью плотности тока эмиттера, обусловленной падением потенциала в распределенном сопротивлении базы, а также локальными неоднородностями структуры транзистора, которые могут вызвать его вторичный пробой. Поэтому в технических данных транзисторов, предназначенных для работы в импульсном режиме, обычно указывается величина максимально допустимого импульсного тока коллектора. [6]
Пока отношение At / Ба / фг0 3, значение Кот1 35, т.е. плотность тока эмиттера на краю на 35 % больше, чем в центре, и можно считать, что эмиттер инжектирует практически равномерно. [7]
Они связаны с максимально допустимой плотностью эмиттерного тока и действующей площадью эмиттера. Плотность тока эмиттера может регулироваться прямым напряжением смещения [ Ля на запорном слое между эмиттером и базой. [8]
Эмиттеры силовых транзисторов изготавливаются обычно в виде полосок самой различной конфигурации, в том числе и гребенчатой. На этом же рисунке изображено примерное распределение плотности тока эмиттера. [9]
В маломощных кремниевых пленарных транзисторах главной причиной уменьшения коэффициента усиления при малых плотностях тока является рекомбина-ционный ток эмиттерного перехода. Увеличения отношения сквозной и рекомбинационной составляющих эмиттерного перехода можно достичь увеличением плотности тока эмиттера. Чтобы ток эмиттера был мал ( транзистор работает в микрорежиме), а плотность тока велика, необходимо уменьшать площадь эмиттера. Это приводит не только к повышению коэффициента передачи, но и к увеличению граничных частот ( из-за уменьшения Сэ) транзистора для микрорежима. Таким образом, при создании микромощных транзисторов необходимо изготовлять эмиттер минимально возможной площади. [10]
Рассмотренные выше в настоящем разделе эффекты затрагивают только одномерную модель транзистора, когда концентрация носителей тока изменяется только в направлении, перпендикулярном плоскости р-п переходов. Эта модель не позволяет изучить один из важных эффектов в мощных транзисторах - изменение плотности тока эмиттера через р-п переход в зависимости от координаты. Физическую сущность этого процесса рассмотрим с помощью модели, представленной на рис. 4.12, а, которая отражает конструктивные особенности присоединения базового контакта к базовой области n - типа. При приложении прямого напряжения И ЭБ между эмиттером и базой через змиттерный переход начинает протекать ток. При этом условия для протекания тока на участке б у края эмиттера и на участке в, удаленном от края эмиттера, различны. В результате плотность базового тока и соответственно тока инжекции эмиттерного перехода убывает в направлении Ох. [11]
Отметим, что при напряжении на переходе ( 2), меньшем пробивного, и / у 0 также имеют место слабый дырочный ток в ргоб-ласть и слабая электронная эмиссия с Прэмиттера. Однако в этом случае механизм зажигания не срабатывает, так как при очень малой плотности тока эмиттера большинство электронов рекомбини-рует, не успевая достигнуть п2 - областн. При возрастании плотности тока эмиттера рекомбинационные потери снижаются, а коэффициент усиления тока в Л1 - / г2 - промежутке увеличивается. Поэтому зажигание не наступает до тех пор, пока плотность эмиттерного тока [ за счет лавинного пробоя перехода ( 2) ] не превзойдет некоторое наименьшее значение. [12]
Необходимо отметить, что отсутствие дефектов в структуре транзистора не гарантирует от возникновения вторичного пробоя. Так, базовая область под p - n - переходом может быть не эквипотенциальна из-за прохождения базовых токов. При различных направлениях тока базы наблюдается увеличение плотности тока эмиттера либо по периферии эмиттерного перехода, либо в центре перехода. Этот эффект может также создавать предпосылки для развития процессов шнурования тока. [13]
Необходимо отметить, что отсутствие дефектов в структуре транзистора не гарантирует от возникновения вторичного пробоя. Так, базовая область под р-тг-переходом может быть не эквипотенциальна из-за прохождения базовых токов. При различных направлениях тока базы наблюдается увеличение плотности тока эмиттера либо по периферии эмиттерного перехода, либо в центре перехода. Этот эффект может также создавать предпосылки для развития процессов шнурования тока. [14]
Необходимо отметить, что отсутствие дефектов в структуре транзистора не гарантирует от возникновения вторичного пробоя. Так, базовая область под p - n - переходом может быть не эквипотенциальна из-за прохождения базовых токов. При различных направлениях тока базы наблюдается увеличение плотности тока эмиттера либо по периферии эмиттерного перехода, либо в центре перехода. Зтот эффект может также создавать предпосылки для развития процессов шнурования тока. [15]
Страницы: 1 2