Cтраница 2
В большинстве случаев для создания этих двух состояний необходимо, чтобы коэффициенты усиления прибора по току а изменялись в зависимости от плотности тока. Как уже отмечалось в разд. Следовательно, для перехода из закрытого состояния в открытое необходимо, чтобы плотность тока эмиттера поднялась до достаточно высокого уровня, при котором этот критерий удовлетворяется. Надо добавить, что ток должен нарастать за конечный промежуток времени, поскольку а зависит и от времени. Эта зависимость обусловлена тем, что неосновным носителям тока необходимо время для того, чтобы пройти через базовые области. В следующих разделах излагается несколько способов, при помощи которых р - п - р - га-приборы можно посредством внешних воздействий перевести из закрытого состояния в открытое. [16]
В свою очередь это вызывает локальное увеличение плотности тока, выделяемой электрической энергии, и дальнейший рост температуры первоначально перегретой части коллекторного перехода. Цепь теплоэлектрической обратной связи, таким образом, замыкается. При большой глубине обратной связи происходит лавинообразный рост температуры и локальный тепловой пробой. В мощных транзисторах равномерность распределения плотности тока эмиттера нарушается вследствие падения напряжения в базовой области. Плотность тока максимальна на периферии эмиттерного электрода. [17]