Плотность - электронный ток
Cтраница 3
Из этого рисунка видно, что в первом случае кривая ie ( t) имеет два максимума ( см. рис. 2 - 3 и 2 - 4), а во втором - четыре. Иначе говоря, закон изменения плотности электронного тока во времени приближается к идеальному ( к образованию бесконечно плотных сгустков, длящихся бесконечно малое время), который теоретически может быть получен при использовании пилообразного модулирующего напряжения специальной формы ( см. сноску к стр. [31]
При U 0 плотность беспорядочного электронного тока на зонд равна плотности этого тока в невозмущенной нлазме. Поэтому ордината точки изгиба кривой К дает логарифм плотности хаотического электронного тока в плазме. [32]
Прежде чем получить полную плотность тока перехода, необходимо найти плотности электронных токов. [33]
Уравнения ( И, 11 а) и ( 11 14а) - ( 11 14с) имеют различный физический смысл. Уравнение ( 11Па) является следствием уравнений поля и позволяет по заданному выражению для плотности электронного тока рассчитать то электромагнитное поле, которое электроны возбуждают в спиральной линии. [34]
При создании между анодом и катодом разности потенциалов в неск. Электроны ускоряются и бомбардируют экран, вызывая свечение люминофора; в результате на экране воспроизводится распределение плотности электронного тока, отражающее в увелич. [35]
Эмиссия электронов с катода электронно-лучевой установки, применяющейся для экспонирования, представляет собой не последовательность равномерно распределенных во времени событий, а случайный во времени процесс. Поскольку число электронов, попадающих на какую-то малую поверхность AS ( элемент разложения) резиста за время t, составляет Nsj3t / e ( где ] э - плотность электронного тока, е - заряд электрона) и достаточно велико, то согласно закону больших чисел неопределенность этого числа составляет VNS. Это соотношение аналогично по смыслу известному в радиотехнике соотношению сигнал-шум. [36]
Плотность тока определяется электрическим зарядом q, проходящим через единичное поперечное сечение в единицу времени. Так как в одном кубическом сантиметре полупроводника содержится п электронов проводимости, что соответствует их концентрации, то при средней скорости дрейфа каждого электрона vn в направлении, нормальном к рассматриваемому сечению, плотность электронного тока будет равна jna. [37]
Разрешающая способность электр оноли-тографии зависит от плотности тока в пучке, ускоряющего напряжения, скорости перемещения луча по подложке, рассеяния электронов в маскирующем слое и других факторов. Наиболее существенно сказывается на сечении пучка плотность тока. С увеличением плотности электронного тока возрастают силы взаимного отталкивания и сечение считывающего пятна увеличивается. Толщина маскирующего покрытия для уменьшения рассеяния электронов должна быть снижена до 0 1 мкм и менее. [38]
Рассмотрим процесс накопления объемного заряда в высокоомных материалах под действием сильноточного электронного пучка. На рис. 3.20 представлены профили распределения термализованных электронов и образующиеся при термализации электрические поля в полиэтилене и кремнии. Видно, что нарастание плотности электронного тока вызывает существенную деформацию профиля термализованных электронов. Максимум сдвигается к облучаемой поверхности, значительно уменьшается толщина слоя, в котром тенрмализуются электроны. Таким образом, на развитие дальнейших процессов оказывает влияние не только фактор возрастания поглощенной диэлектриком плотности дозы, но и рост ее мощности. [39]
 |
Замена триода эквивалентными диодами. [40] |
Оба эквивалентных диода связаны между собой общим электронным потоком, который свободно проходит через идеальную сетку из одного диода в другой. Поэтому скорость электронов и электронный ток непрерывно переходят через плоскость идеальной сетки, а напряженность электрического поля и полный ток по обе стороны плоскости сетки различны. Обозначим, так же как и раньше, плотность электронного тока, через j [ x, t ], скорости электронов через v [ x, t ], а расстояние через х и индексом снизу будем отмечать, к какому диоду относится та или иная величина. [41]
 |
Зависимость содержания соединений урана и фтора от температуры при начальном. [42] |
В сочетании с высокой технологической надежностью и дешевизной ускорителей электронов это может служить основой промышленного метода конверсии UFg в UF4 и в металлический уран. В настоящее время имеются экономически обоснованные проекты использования ускорителей электронов для обеззараживания зерна и даже газификации твердых топлив. На пути промышленной реализации этого метода имеется ряд серьезных проблем: сравнительно высокая энергетическая цена радиационно-химическои конверсии; ограничения по плотности электронного тока, что ограничивает удельную производительность установки; высокие значения сечения захвата электрона и, соответственно, малая глубина проникновения электрона внутрь газообразного вещества, что при технически приемлемых концентрациях UFe даже при небольших электронных токах приводит к заметному перегреву. [43]
Действия, производимые в этом разделе, полностью подобны аналогичным операциям, выполненным в гл. В первую очередь решим для переменного сиг-нала два диффузионных уравнения, содержащих дрейфовое поле: для концентрации неосновных носителей и для плотности тока неосновных носителей в виде функции координаты. Последнее может быть использовано потом для получения плотности тока неосновных носителей эмиттера и коллектора. Если затем учесть плотности электронного тока, то получим полные эмиттерный и коллекторный переменные токи в виде функции эмиттерного и коллекторного напряжений. Из этих выражений можно легко определить полные проводимости. Выражения для этих проводимостей затем могут быть разложены в бесконечные ряды, из которых можно будет сохранить лишь несколько первых членов. [44]
Мощный электронный диод составляют катод и анод, размещенные в вакуумном объеме. Чаще всего анод-катодный узел осесим-метричен. Различают фольговые и бесфольговые мощные электронные диоды. В фольговых диодах фольга выполняет функции анода и границы раздела диода и пространства дрейфа пучка. Если ларморовский радиус электрона, испускаемого поверхностью катода, мал по сравнению с анод-катодным зазором или равен ему, то пучок самофокусируется. Если плотность электронного тока, достигающего анода, достаточна для плазмообразования на аноде, то на формирующийся пучок может оказать сильное воздействие поток ионов, испускаемый анодной плазмой. Еще одним требованием к материалу катода является высокая поверхностная плотность эмиссионных центров, обеспечивающая однородность распределения плотности энергии по сечению пучка. Другим способом решения этой задачи является увеличение длительности импульса ускоряющего напряжения до 1 мкс. В этом случае существенное улучшение однородности достигается за счет того, что длительность импульса превосходит время слияния плазмы отдельных эмиссионных центров ( - 10 - 7 с) в сплошную квазиоднородную плазменную эмиттирующую поверхность. [45]
Страницы: 1 2 3 4